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公开(公告)号：CN109709023A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811601366.9
申请日：2018-12-26
申请人： 沈阳富创精密设备有限公司
IPC分类号： G01N15/10
摘要： 本发明涉及一种应用于半导体领域的氧化钇涂层零件颗粒的检测方法，该技术的检测方法采用LPC设备。该颗粒的检测方法主要包括以下步骤：(1)将零件用IPA擦拭；(2)纯水喷洗零件；(3)热水喷洗零件；(4)装有纯水的超声波槽里振；(5)纯水冲洗零件；(6)氮气吹干零件；(7)LPC测试空白；(8)LPC测试放入槽里的零件；(9)检测完后记录结果，将零件清洗、吹干、包装。采用该方法可以检测到零件表面颗粒物在规定的范围内是否达标，能否符合要求，同时降低了零件之间组装的污染，可有效提高零部件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN109440052A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811441086.6
申请日：2018-11-29
申请人： 沈阳富创精密设备有限公司
摘要： 本发明涉及一种大气等离子体喷涂氧化钇涂层的复合涂层制备方法，该技术使用大气等离子体喷涂设备进行制备。制备方法为：(1)将零件表面制备硬质阳极氧化；(2)对零件非涂层位置进行遮蔽；(3)对零件硬质阳极氧化区域进行喷砂处理；(4)对零件喷砂区域进行大气等离子体氧化钇涂层制备。该方法获得的氧化钇涂层具有高硬度，高致密性，高抗拉伸性，耐腐蚀及抗电压性均有很优异的性能指标，有效延长零件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN109355612A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811440906.X
申请日：2018-11-29
申请人： 沈阳富创精密设备有限公司
摘要： 本发明涉及一种用大气等离子喷涂制备氧化钇涂层的方法，应用于半导体领域。主要包括以下操作步骤：(1)对零件的无涂层区域进行保护；(2)采用大气等离子喷涂技术喷涂氧化钇涂层；(3)去除遮挡保护，清洗零件。采用该方式获得的涂层厚度在200-250μm范围内，涂层的孔隙率低于5％，涂层更致密、更均匀，涂层的耐腐蚀性更强，可以提高零部件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN106591820A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510676326.0
申请日：2015-10-15
申请人： 沈阳富创精密设备有限公司
IPC分类号： C23C24/04
CPC分类号： C23C24/04
摘要： 本发明涉及冷喷涂制备陶瓷涂层领域，特别是一种IC装备关键零部件用高纯氧化钇涂层的制备方法。该方法主要包括以下操作步骤：(1)零件无涂层区域的防护；(2)零件喷涂区域的表面预处理；(3)采用高纯氧化钇粉末，纯度≥99.9wt％、平均粒度为2～50μm；(4)采用低压冷喷涂系统进行快速喷涂，获得高纯氧化钇涂层。相比于传统的热喷涂，冷喷涂能够有效地减少和降低对基体的热输入，因此，适宜于在铝及铝合金等IC装备用关键零部件表面喷涂涂层。本发明采用的冷喷涂方法，其喷涂温度仅为100～1000℃，远远低于等离子喷涂所需的温度(即氧化钇的熔点温度2410℃以上)；冷喷涂制备的氧化钇涂层质量稳定、厚度均匀。
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公开(公告)号：CN106591763B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201510672299.X
申请日：2015-10-15
申请人： 沈阳富创精密设备有限公司
摘要： 本发明涉及IC装备关键零部件领域，特别是一种爆炸喷涂制备IC装备铝合金零部件用高纯氧化钇涂层的方法。该方法步骤如下：(1)零件无涂层区域的防护；(2)零件喷涂区域的表面预处理；(3)采用高纯氧化钇粉末，纯度≥99.9％、平均粒度为2～50μm；(4)采用爆炸喷涂系统进行快速喷涂。相比于传统的热喷涂，爆炸喷涂的速度快、效率高，在一定程度上能够有效地减少和降低对基体的热输入，适宜于在铝及铝合金等IC装备用关键零部件表面喷涂涂层。本发明采用的爆炸喷涂方法，制备质量稳定、厚度均匀的氧化钇涂层，而且涂层致密，极大地提高IC装备零部件抗高能等离子和强腐蚀性气体的腐蚀性，同时提高零件的使用寿命和制备效率。
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公开(公告)号：CN109632926A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811598346.0
申请日：2018-12-26
申请人： 沈阳富创精密设备有限公司
摘要： 本发明涉及一种应用于半导体领域的涂层的洁净度的检测方法，该检测方法的制备应用ICP‑MS电感耦合等离子体质谱仪。该涂层洁净度的检测方法主要包括以下步骤：1)将1‑4ml的稀酸滴到零件涂层区域，数分钟后收集稀酸称重并检测；2)清洗后，取1‑4ml水滴在与酸相同的区域，用直尺做标准，照下包含水滴与直尺的照片，用ImageJ软件算出面积；3)将稀释后的样品用外标法DRC模式进行检测。采用该方法获得的检测结果去除干扰较彻底，测试结果更准确可信度高。
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公开(公告)号：CN109609888A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811440874.3
申请日：2018-11-29
申请人： 沈阳富创精密设备有限公司
摘要： 本发明涉及一种防止边界脱落的等离子体喷涂氧化钇涂层制备方法，该技术使用大气等离子体喷涂设备进行制备。制备方法为：(1)将所需喷涂的零件表面整体进行喷砂处理；(2)对零件边界以外区域进行遮蔽；(3)对零件边界区域进行硬质阳极化涂层处理；(4)对零件整体区域进行大气等离子体氧化钇涂层制备。该方法获得的氧化钇涂层具有高硬度，高致密性，高抗拉伸性，耐腐蚀及抗电压性均有很优异的性能指标，氧化钇涂层边界也有很好的结合力，不会发生脱落现象。
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公开(公告)号：CN106591763A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510672299.X
申请日：2015-10-15
申请人： 沈阳富创精密设备有限公司
摘要： 本发明涉及IC装备关键零部件领域，特别是一种爆炸喷涂制备IC装备铝合金零部件用高纯氧化钇涂层的方法。该方法步骤如下：(1)零件无涂层区域的防护；(2)零件喷涂区域的表面预处理；(3)采用高纯氧化钇粉末，纯度≥99.9％、平均粒度为2～50μm；(4)采用爆炸喷涂系统进行快速喷涂。相比于传统的热喷涂，爆炸喷涂的速度快、效率高，在一定程度上能够有效地减少和降低对基体的热输入，适宜于在铝及铝合金等IC装备用关键零部件表面喷涂涂层。本发明采用的爆炸喷涂方法，制备质量稳定、厚度均匀的氧化钇涂层，而且涂层致密，极大地提高IC装备零部件抗高能等离子和强腐蚀性气体的腐蚀性，同时提高零件的使用寿命和制备效率。
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公开(公告)号：CN106591820B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201510676326.0
申请日：2015-10-15
申请人： 沈阳富创精密设备有限公司
IPC分类号： C23C24/04
摘要： 本发明涉及冷喷涂制备陶瓷涂层领域，特别是一种IC装备关键零部件用高纯氧化钇涂层的制备方法。该方法主要包括以下操作步骤：(1)零件无涂层区域的防护；(2)零件喷涂区域的表面预处理；(3)采用高纯氧化钇粉末，纯度≥99.9wt％、平均粒度为2～50μm；(4)采用低压冷喷涂系统进行快速喷涂，获得高纯氧化钇涂层。相比于传统的热喷涂，冷喷涂能够有效地减少和降低对基体的热输入，因此，适宜于在铝及铝合金等IC装备用关键零部件表面喷涂涂层。本发明采用的冷喷涂方法，其喷涂温度仅为100～1000℃，远远低于等离子喷涂所需的温度(即氧化钇的熔点温度2410℃以上)；冷喷涂制备的氧化钇涂层质量稳定、厚度均匀。
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公开(公告)号：CN109468575A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811440872.4
申请日：2018-11-29
申请人： 沈阳富创精密设备有限公司
摘要： 本发明涉及一种应用于半导体领域的氧化钇涂层的制备方法，该技术制备的制备采用大气等离子喷涂。该涂层的制备方法主要包括以下步骤：(1)将零件的无喷涂区域进行遮蔽；(2)利用大气等离子喷涂技术制备氧化钇涂层；(3)将遮蔽保护去除，清洗零件。采用该方法获得的氧化钇涂层具有高致密性、高耐腐性、高结合力以及高显微硬度，涂层的综合性能良好，可有效提高零部件的使用寿命。
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