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公开(公告)号：CN109825827A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910130903.4
申请日：2019-02-22
申请人： 沈阳富创精密设备有限公司
摘要： 本发明公开了一种IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法，采用冷喷涂沉积技术，将Al和Y2O3-ZrO2的混合粉末高速沉积，冷喷涂使用压缩空气为工作气体，喷涂距离10～60mm，喷涂温度200～600℃，气体压力1.5～3MPa，粉末粒度1～50μm，在等离子体刻蚀腔表面形成均匀分布的金属陶瓷防护涂层。该涂层能减少或阻止腐蚀性气体对刻蚀腔体的腐蚀和等离子体对芯片的污染，提高等离子体刻蚀腔在生产芯片过程中的使用寿命。首先，将Al和Y2O3-ZrO2粉末按比例混和均匀后进行干燥；其次，使用冷喷涂沉积技术将该粉末喷涂到基体表面，通过控制工艺过程参数得到金属陶瓷复合涂层；该方法沉积效率高，可根据实际使用情况随意调节涂层的厚度，可以用来制备厚的IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层。
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公开(公告)号：CN106591763B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201510672299.X
申请日：2015-10-15
申请人： 沈阳富创精密设备有限公司
摘要： 本发明涉及IC装备关键零部件领域，特别是一种爆炸喷涂制备IC装备铝合金零部件用高纯氧化钇涂层的方法。该方法步骤如下：(1)零件无涂层区域的防护；(2)零件喷涂区域的表面预处理；(3)采用高纯氧化钇粉末，纯度≥99.9％、平均粒度为2～50μm；(4)采用爆炸喷涂系统进行快速喷涂。相比于传统的热喷涂，爆炸喷涂的速度快、效率高，在一定程度上能够有效地减少和降低对基体的热输入，适宜于在铝及铝合金等IC装备用关键零部件表面喷涂涂层。本发明采用的爆炸喷涂方法，制备质量稳定、厚度均匀的氧化钇涂层，而且涂层致密，极大地提高IC装备零部件抗高能等离子和强腐蚀性气体的腐蚀性，同时提高零件的使用寿命和制备效率。
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公开(公告)号：CN106591763A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510672299.X
申请日：2015-10-15
申请人： 沈阳富创精密设备有限公司
摘要： 本发明涉及IC装备关键零部件领域，特别是一种爆炸喷涂制备IC装备铝合金零部件用高纯氧化钇涂层的方法。该方法步骤如下：(1)零件无涂层区域的防护；(2)零件喷涂区域的表面预处理；(3)采用高纯氧化钇粉末，纯度≥99.9％、平均粒度为2～50μm；(4)采用爆炸喷涂系统进行快速喷涂。相比于传统的热喷涂，爆炸喷涂的速度快、效率高，在一定程度上能够有效地减少和降低对基体的热输入，适宜于在铝及铝合金等IC装备用关键零部件表面喷涂涂层。本发明采用的爆炸喷涂方法，制备质量稳定、厚度均匀的氧化钇涂层，而且涂层致密，极大地提高IC装备零部件抗高能等离子和强腐蚀性气体的腐蚀性，同时提高零件的使用寿命和制备效率。
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公开(公告)号：CN109957748A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201910259684.X
申请日：2019-04-02
申请人： 沈阳富创精密设备有限公司
摘要： 本发明涉及半导体集成电路芯片等离子体刻蚀领域，具体是公开了一种IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法。采用超音速火焰喷涂和冷喷涂沉积技术，在等离子体刻蚀腔表面形成均匀分布的防护涂层。该防护涂层具有双层复合结构：底层为超音速火焰喷涂的沉积Al/Y2O3涂层作为打底层和中间过渡层，能够提高涂层与基体的结合力并减少涂层与基体之间热膨胀系数的差别；最外层为高纯Y2O3陶瓷涂层，采用冷喷涂将Y2O3陶瓷粉末高速沉积在Al/Y2O3中间过渡层上。本发明涂层能减少或阻止腐蚀性气体对刻蚀腔体的腐蚀和等离子体对芯片的污染，提高了等离子体刻蚀腔在生产芯片过程中的使用寿命。
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公开(公告)号：CN106591820A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510676326.0
申请日：2015-10-15
申请人： 沈阳富创精密设备有限公司
IPC分类号： C23C24/04
CPC分类号： C23C24/04
摘要： 本发明涉及冷喷涂制备陶瓷涂层领域，特别是一种IC装备关键零部件用高纯氧化钇涂层的制备方法。该方法主要包括以下操作步骤：(1)零件无涂层区域的防护；(2)零件喷涂区域的表面预处理；(3)采用高纯氧化钇粉末，纯度≥99.9wt％、平均粒度为2～50μm；(4)采用低压冷喷涂系统进行快速喷涂，获得高纯氧化钇涂层。相比于传统的热喷涂，冷喷涂能够有效地减少和降低对基体的热输入，因此，适宜于在铝及铝合金等IC装备用关键零部件表面喷涂涂层。本发明采用的冷喷涂方法，其喷涂温度仅为100～1000℃，远远低于等离子喷涂所需的温度(即氧化钇的熔点温度2410℃以上)；冷喷涂制备的氧化钇涂层质量稳定、厚度均匀。
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公开(公告)号：CN104928625B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201510268660.2
申请日：2015-05-22
申请人： 沈阳富创精密设备有限公司
摘要： 本发明涉及一种制备半导体装备用抗高温蠕变接地基片的方法，具体涉及一种PVD制备半导体装备用抗高温蠕变接地基片的方法。本发明的技术方案为，以不锈钢、镍合金或耐热钢材料作为半导体装备用抗高温蠕变接地基片的基体，采用PVD技术在所述基体表面制备无氧化纯铝涂层，制得半导体装备用抗高温蠕变接地基片。本发明一方面利用纯铝的导电性能及其与大规模集成电路工艺的相容性，另一方面利用基体的力学性能解决接地基片抗高温蠕变性不够的问题。
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公开(公告)号：CN104357840A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410589358.2
申请日：2014-10-28
申请人： 沈阳富创精密设备有限公司
CPC分类号： C23C28/32 , C23C28/345
摘要： 本发明涉及一种金属结构材料的表面防护涂层的制备方法，属于半导体零件表面防护领域。首先，机械喷砂，将硬质微粒喷射到材料的表面，形成具有粗糙度的表面；制备纯铝涂层，作为防护涂层的底层；对纯铝涂层进行表面抛光、纹理化处理，形成表面纹理自然、纹路均匀一致；进行阳极氧化处理，在纯铝涂层的表面制备氧化铝薄膜，作为防护涂层的表层；阳极氧化后，在纯铝涂层表面形成A12O3薄膜，作为防护涂层的表层；最后对氧化铝薄膜进行封闭处理。本发明能有效提高材料的耐腐蚀性能，提高大规模集成电路金属零部件的耐蚀性能，减少刻蚀腔及其零部件等在强腐蚀环境下形成的颗粒对半导体晶圆的污染，提高刻蚀腔及其零部件等金属零部件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN104294206A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410528539.4
申请日：2014-10-09
申请人： 沈阳富创精密设备有限公司
CPC分类号： H01L21/4835 , C23C24/04
摘要： 本发明涉及一种在金属或合金基片上制备纯铝涂层的方法，特别是涉及一种半导体装备用抗高温蠕变接地基片的制备方法。该制备方法包括如下步骤：(1)接地基片基体的前处理；(2)将基体放置于专用夹具上；(3)冷喷涂纯铝；(4)喷涂后热处理；(5)涂层表面后续处理。本发明的制备方法能够在各种金属或合金基片上形成纯铝涂层，使产品既在基体上保持基片的性能，如抗高温蠕变性能，同时在表面又有纯铝涂层的各种性能。
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公开(公告)号：CN106591820B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201510676326.0
申请日：2015-10-15
申请人： 沈阳富创精密设备有限公司
IPC分类号： C23C24/04
摘要： 本发明涉及冷喷涂制备陶瓷涂层领域，特别是一种IC装备关键零部件用高纯氧化钇涂层的制备方法。该方法主要包括以下操作步骤：(1)零件无涂层区域的防护；(2)零件喷涂区域的表面预处理；(3)采用高纯氧化钇粉末，纯度≥99.9wt％、平均粒度为2～50μm；(4)采用低压冷喷涂系统进行快速喷涂，获得高纯氧化钇涂层。相比于传统的热喷涂，冷喷涂能够有效地减少和降低对基体的热输入，因此，适宜于在铝及铝合金等IC装备用关键零部件表面喷涂涂层。本发明采用的冷喷涂方法，其喷涂温度仅为100～1000℃，远远低于等离子喷涂所需的温度(即氧化钇的熔点温度2410℃以上)；冷喷涂制备的氧化钇涂层质量稳定、厚度均匀。
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公开(公告)号：CN104294206B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201410528539.4
申请日：2014-10-09
申请人： 沈阳富创精密设备有限公司
IPC分类号： C23C24/02
CPC分类号： H01L21/4835 , C23C24/04
摘要： 本发明涉及一种在金属或合金基片上制备纯铝涂层的方法，特别是涉及一种半导体装备用抗高温蠕变接地基片的制备方法。该制备方法包括如下步骤：(1)接地基片基体的前处理；(2)将基体放置于专用夹具上；(3)冷喷涂纯铝；(4)喷涂后热处理；(5)涂层表面后续处理。本发明的制备方法能够在各种金属或合金基片上形成纯铝涂层，使产品既在基体上保持基片的性能，如抗高温蠕变性能，同时在表面又有纯铝涂层的各种性能。
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