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公开(公告)号：CN105444931B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201610012130.6
申请日：2016-01-08
申请人： 沈阳工业大学
摘要： 本发明公开了一种基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片及其制造方法。该芯片采用绝缘层上的单晶硅薄膜（SOI）材料制造，包括SOI的单晶硅衬底，SOI二氧化硅绝缘层作为牺牲层形成的腔体，在单晶硅薄膜上刻蚀隔离槽形成的四个应变电阻及其金属导线。金属导线上下的氮化硅绝缘保护层及最外层的多晶硅结构层与单晶硅薄膜共同构成敏感芯片感压膜，感压膜边缘刻蚀八个方形孔，用于腐蚀二氧化硅牺牲层。四个应变电阻通过金属导线连接成惠斯通电桥，将压力信号转换成电压信号输出。制备的基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片具有感器灵敏度高、重复性和稳定性好、可靠性高、耐高温、抗辐射以及制造工艺与集成电路工艺兼容等优点。
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公开(公告)号：CN105444931A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201610012130.6
申请日：2016-01-08
申请人： 沈阳工业大学
CPC分类号： G01L1/22 , B81B3/00 , B81C1/00015
摘要： 本发明公开了一种基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片及其制造方法。该芯片采用绝缘层上的单晶硅薄膜（SOI）材料制造，包括SOI的单晶硅衬底，SOI二氧化硅绝缘层作为牺牲层形成的腔体，在单晶硅薄膜上刻蚀隔离槽形成的四个应变电阻及其金属导线。金属导线上下的氮化硅绝缘保护层及最外层的多晶硅结构层与单晶硅薄膜共同构成敏感芯片感压膜，感压膜边缘刻蚀八个方形孔，用于腐蚀二氧化硅牺牲层。四个应变电阻通过金属导线连接成惠斯通电桥，将压力信号转换成电压信号输出。制备的基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片具有感器灵敏度高、重复性和稳定性好、可靠性高、耐高温、抗辐射以及制造工艺与集成电路工艺兼容等优点。
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公开(公告)号：CN104391133B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410661641.1
申请日：2014-11-19
申请人： 沈阳工业大学
摘要： 本发明公开了一种压阻式高固有频率MEMS加速度敏感芯片，该芯片主要包括硅基框架，主梁，微梁，质量块，其中质量块通过主梁和微梁与硅基框架相连；质量块一端设置有微梁，微梁上设有应变电阻，质量块另一端设置有对称的两个主梁，主梁一端与质量块相连，另一端与硅基框架相连，应变电阻通过金属导线连接成惠斯通电桥。主梁的劲度系数远大于微梁的劲度系数（通常大几十到上千倍），应变电阻为多晶硅纳米膜电阻。本发明具有固有频率高、灵敏度高、过载能力强、温度特性好等优点，其制造方法与IC工艺兼容适于大批量生产。
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公开(公告)号：CN104391133A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410661641.1
申请日：2014-11-19
申请人： 沈阳工业大学
摘要： 本发明公开了一种压阻式高固有频率MEMS加速度敏感芯片，该芯片主要包括硅基框架，主梁，微梁，质量块，其中质量块通过主梁和微梁与硅基框架相连；质量块一端设置有微梁，微梁上设有应变电阻，质量块另一端设置有对称的两个主梁，主梁一端与质量块相连，另一端与硅基框架相连，应变电阻通过金属导线连接成惠斯通电桥。主梁的劲度系数远大于微梁的劲度系数（通常大几十到上千倍），应变电阻为多晶硅纳米膜电阻。本发明具有固有频率高、灵敏度高、过载能力强、温度特性好等优点，其制造方法与IC工艺兼容适于大批量生产。
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公开(公告)号：CN205317381U
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201620017149.5
申请日：2016-01-08
申请人： 沈阳工业大学
摘要： 本实用新型公开了一种基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片。该芯片采用绝缘层上的单晶硅薄膜（SOI）材料制造，包括SOI的单晶硅衬底，SOI二氧化硅绝缘层作为牺牲层形成的腔体，在单晶硅薄膜上刻蚀隔离槽形成的四个应变电阻及其金属导线。金属导线上下的氮化硅绝缘保护层及最外层的多晶硅结构层与单晶硅薄膜共同构成敏感芯片感压膜，感压膜边缘刻蚀八个方形孔，用于腐蚀二氧化硅牺牲层。四个应变电阻通过金属导线连接成惠斯通电桥，将压力信号转换成电压信号输出。制备的基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片具有感器灵敏度高、重复性和稳定性好、可靠性高、耐高温、抗辐射以及制造工艺与集成电路工艺兼容等优点。
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公开(公告)号：CN204241503U
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201420695745.X
申请日：2014-11-19
申请人： 沈阳工业大学
摘要： 本实用新型公开了一种压阻式高固有频率MEMS加速度敏感芯片，该芯片主要包括硅基框架，主梁，微梁，质量块，其中质量块通过主梁和微梁与硅基框架相连；质量块一端设置有微梁，微梁上设有应变电阻，质量块另一端设置有对称的两个主梁，主梁一端与质量块相连，另一端与硅基框架相连，应变电阻通过金属导线连接成惠斯通电桥。主梁的劲度系数远大于微梁的劲度系数（通常大几十到上千倍），应变电阻为多晶硅纳米膜电阻。本实用新型具有固有频率高、灵敏度高、过载能力强、温度特性好等优点，其制造方法与IC工艺兼容适于大批量生产。
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