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公开(公告)号：CN106521448A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510585185.1
申请日：2015-09-14
申请人： 沈阳拓荆科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种应用于半导体薄膜沉积设备的双电缸垂直升降的开腔结构。双电缸倒置安装，同步控制，两侧提供举升力开启腔体上盖板。属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域。包括：上盖板，设置在腔体上，用于开启与开闭；两个电机，分别固定安装在两个电缸主体上，与电缸主体一起倒置设置在上盖板的上方，通过电缸主体与上盖板固定；电缸推杆，穿过上盖板与电机的输出轴连接，其端部固定安装在腔体上。本发明通过双电缸倒置式安装，两侧提供举升力，避免单边受力造成上盖板扭曲变形。电缸推杆安装在腔体上，电缸主体安装在上盖板上，运动过程中，杠杆伸出，使电缸主体与上盖板一起运动。倒置式安装方式，节省设备下方所需空间。
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公开(公告)号：CN105132889A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510582457.2
申请日：2015-09-14
申请人： 沈阳拓荆科技有限公司
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本发明属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域，具体涉及一种应用于薄膜沉积装置喷淋头中的双气路中心进气结构，所述进气结构的进气气路包括气体A进气气路和气体B进气气路，两条气路均为喷淋头中央进气，并且两条进气气路相互独立，解决了不同气体提前在喷淋头中混合使薄膜生长在喷淋头内部，造成喷淋板气孔堵塞或孔径改变的问题，并且两种气路从从喷淋头中央进气，解决了从边缘进气造成沉积的薄膜厚度不均匀的问题，两种气体可以均匀地到达基底表面进行沉积反应。
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公开(公告)号：CN106608730A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510698059.7
申请日：2015-10-26
申请人： 沈阳拓荆科技有限公司
CPC分类号： C04B35/5603 , C04B35/806 , C04B38/085 , C04B2235/74 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B38/0045 , C04B38/0054 , C04B38/0067 , C04B38/08
摘要： 本发明属于半导体制备所应用的隔热保温材料技术领域，具体涉及一种碳基Si-C-O气凝胶隔热复合材料及其制备方法，制备该材料首先将硅源和碳源混合，经反应后制备出具有纳米多孔的三维网络骨架结构的溶胶，然后以短切碳纤维为原料，通过纤维浆料抽滤、模压成型的方法经高温烧结制备多孔纤维预制体，接着将所述溶胶与碳多孔纤维预制体复合，形成碳纤维与Si-C-O气凝胶的混合体，然后通过超临界流体干燥得到具有纳米多孔结构的Si-C-O气凝胶先驱体复合材料，再对Si-C-O气凝胶先驱体复合材料进行高温惰性气氛裂解，最终形成碳基Si-C-O气凝胶隔热复合材料，该材料将Si-C-O气凝胶与碳纤维结合在一起，制备出了一种性能优越的隔热材料，适合应用于半导体制造行业中。
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公开(公告)号：CN106609891A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510694912.8
申请日：2015-10-22
申请人： 沈阳拓荆科技有限公司
CPC分类号： F16L53/30 , G05D23/1902 , G05D23/193
摘要： 本发明属于半导体领域所应用的加热保温材料技术领域，具体涉及一种智能温控加热保温材料及其温控系统，所述智能温控加热保温材料包括形状记忆合金层、隔热复合材料层以及绝缘外套，所述记忆合金层和隔热复合材料层中间设置温度传感器，在温控系统的控制下，传感器将检测到的温度传递给控制器，控制器将检测温度与设定温度进行比对，从而通过调整驱动电路电流的方向和大小来使热电制冷器对智能温控加热保温材料进行加热或者制冷，达到对工艺管路的温度控制，本发明将加热带和保温套制成一体结构，既能提高人力物力的利用率，同时还能使反应工艺正常进行，保证薄膜产品的质量，结构简单、合理、易于在半导体薄膜沉积应用及制备技术领域推广。
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公开(公告)号：CN106609356A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510707361.4
申请日：2015-10-27
申请人： 沈阳拓荆科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种固定与抽气相互独立的管道结构，通过固定件与抽气管道相互独立的结构方式，达到内部组件拆卸安装与抽气管道的拆卸安装互不干扰的目的，属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域。安装在设备的反应腔体上，其特征在于，设置一固定件，采用螺丝固定在腔体下表面，抽气管道加工成环形结构，安装在固定件的外圈，所述固定件为筒状结构，内置加热器。本发明采用固定件中心安装，套式结构，用螺丝固定在腔体下表面，加热器落在固定件内部。抽气管道加工成环形结构，安装在加热器固定件外圈，在腔体底面上抽气管道环形结构对应位置均匀的打一圈抽气孔，即可实现将腔室抽真空的目的，可拆卸，安装方便。
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公开(公告)号：CN106609391A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510706176.3
申请日：2015-10-27
申请人： 沈阳拓荆科技有限公司
发明人： 霍阳阳
IPC分类号： C25F3/24
CPC分类号： C25F3/24
摘要： 本发明属于半导体制造工艺管路焊接处内壁处理方法技术领域，具体涉及一种对薄膜沉积设备工艺管路焊接点电抛光的方法，以待处理工艺管路为阳极，以同样大小的铅板为阴极，工艺步骤包括电抛光液的制备和电抛光装置组合，通过在被抛光的不锈钢表面形成一层极化膜，使金属离子通过这层薄膜扩散，表面上的显微及宏观的凸点或粗糙处的高点及毛刺区的电流密度比表面其余部分大，并以较快的速度溶解，从而达到整平和去毛刺的目的，通过延长抛光时间，提高抛光温度和电流密度可得到光亮的表面。
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公开(公告)号：CN106521454A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510583527.6
申请日：2015-09-14
申请人： 沈阳拓荆科技有限公司
IPC分类号： C23C16/44
摘要： 本发明涉及一种用于拉拽式开腔的电缸装置，适用于拉拽式开腔方式的应用于半导体薄膜沉积设备的开腔结构辅助装置。属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域。包括电缸、电缸杆以及内置于电缸杆内的推杆，所述推杆穿过所安装的设备的上盖板后在推杆的端部安装提升构件，在上盖板的外部设置行程开关，推杆上设置限位压块，在所述限位压块与所述行程开关接触时，提升构件与上盖板之间形成一定距离的空行程。本发明通过增加空行程装置，上盖板可以与腔室完全闭合，避免了不能完全闭合而不能达到真空度要求，或者工艺气体泄漏的风险。腔体闭合后限位开关可以完全触发，设备顺利接收到信号可以进行下一项动作，避免了时间的浪费。
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公开(公告)号：CN106521454B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201510583527.6
申请日：2015-09-14
申请人： 沈阳拓荆科技有限公司
IPC分类号： C23C16/44
摘要： 本发明涉及一种用于拉拽式开腔的电缸装置，适用于拉拽式开腔方式的应用于半导体薄膜沉积设备的开腔结构辅助装置。属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域。包括电缸、电缸杆以及内置于电缸杆内的推杆，所述推杆穿过所安装的设备的上盖板后在推杆的端部安装提升构件，在上盖板的外部设置行程开关，推杆上设置限位压块，在所述限位压块与所述行程开关接触时，提升构件与上盖板之间形成一定距离的空行程。本发明通过增加空行程装置，上盖板可以与腔室完全闭合，避免了不能完全闭合而不能达到真空度要求，或者工艺气体泄漏的风险。腔体闭合后限位开关可以完全触发，设备顺利接收到信号可以进行下一项动作，避免了时间的浪费。
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公开(公告)号：CN106521453B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201510583323.2
申请日：2015-09-14
申请人： 沈阳拓荆科技有限公司
IPC分类号： C23C16/44
摘要： 本发明涉及一种倒置式推举电缸装置，应用于半导体薄膜沉积设备的开腔结构辅助装置，通过增加一定的空行程提高腔盖关闭时触发信号的稳定性。属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域。包括电缸安装在电缸杆上，电缸杆为中空结构，内设有推杆；电缸杆固定在上盖板上；推杆穿过上盖板，在电缸杆内可伸缩，实现与腔体接触或与腔体之间具有空行程，在推杆的端部安装限位压块，与安装在腔体上的限位开关相配合限定空行程的距离。本发明通过增加空行程，上盖板可以与腔室完全闭合，避免了不能完全闭合而不能达到真空度要求。
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公开(公告)号：CN105132889B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201510582457.2
申请日：2015-09-14
申请人： 沈阳拓荆科技有限公司
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本发明属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域，具体涉及一种应用于薄膜沉积装置喷淋头中的双气路中心进气结构，所述进气结构的进气气路包括气体A进气气路和气体B进气气路，两条气路均为喷淋头中央进气，并且两条进气气路相互独立，解决了不同气体提前在喷淋头中混合使薄膜生长在喷淋头内部，造成喷淋板气孔堵塞或孔径改变的问题，并且两种气路从从喷淋头中央进气，解决了从边缘进气造成沉积的薄膜厚度不均匀的问题，两种气体可以均匀地到达基底表面进行沉积反应。
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