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公开(公告)号：CN116487724B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310758957.1
申请日：2023-06-26
申请人： 河北光兴半导体技术有限公司 , 北京远大信达科技有限公司
IPC分类号： H01M10/058 , H01M10/0562 , H01M10/0525 , B08B7/00
摘要： 本发明涉及新能源材料领域，公开了一种复合固态电解质片及其制备方法和应用、一种固态电池，该复合固态电解质片的制备方法包括：（1）在含氧气氛下，将原料电解质片进行煅烧，得到电解质片I；（2）在第一气氛下，将所述电解质片I进行等离子体活化处理，得到电解质片II；（3）将正极浆料和负极浆料分别涂覆在所述电解质片II的两侧，以分别形成正极涂层和负极涂层，得到所述复合固态电解质片。本发明提供的复合固态电解质片能够有效降低固态电解质与电极之间的界面电阻，具有高离子电导率，采用本发明提供的复合固态电解质片制备得到的固态电池具有阻抗低、高循环稳定性和高倍率性。
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公开(公告)号：CN116487724A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310758957.1
申请日：2023-06-26
申请人： 河北光兴半导体技术有限公司 , 北京远大信达科技有限公司
IPC分类号： H01M10/058 , H01M10/0562 , H01M10/0525 , B08B7/00
摘要： 本发明涉及新能源材料领域，公开了一种复合固态电解质片及其制备方法和应用、一种固态电池，该复合固态电解质片的制备方法包括：（1）在含氧气氛下，将原料电解质片进行煅烧，得到电解质片I；（2）在第一气氛下，将所述电解质片I进行等离子体活化处理，得到电解质片II；（3）将正极浆料和负极浆料分别涂覆在所述电解质片II的两侧，以分别形成正极涂层和负极涂层，得到所述复合固态电解质片。本发明提供的复合固态电解质片能够有效降低固态电解质与电极之间的界面电阻，具有高离子电导率，采用本发明提供的复合固态电解质片制备得到的固态电池具有阻抗低、高循环稳定性和高倍率性。
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公开(公告)号：CN117700100A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311746749.6
申请日：2023-12-18
申请人： 河北光兴半导体技术有限公司 , 北京盛达众安科技有限公司
摘要： 本发明涉及玻璃生产技术领域，尤其涉及一种低熔点高熵玻璃及其制备方法和应用，该低熔点高熵玻璃包括以摩尔比计的以下组分：V2O5：5～35％；Bi2O3:5～35％；P2O5:5～35％；Al2O3：5～35％；B2O3：5～35％。本发明将高熵的概念应用到玻璃领域，通过合理的成分设计，开发出能够代替铅系低熔点玻璃的新型、环保的封接玻璃。该低熔点高熵玻璃的玻璃化转变温度范围为480～520℃，软化温度范围为610～650℃，使用温度范围为650℃～900℃，其化学稳定性高且具有较大的烧结温度范围。采用该低熔点高熵玻璃封接氧化铝陶瓷、玻璃、半导体等材料时，接头的剪切强度可达32～36MPa左右。
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公开(公告)号：CN117209289A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311168501.6
申请日：2023-09-11
申请人： 河北光兴半导体技术有限公司 , 北京盛达众安科技有限公司
IPC分类号： C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本公开提供一种氮化硅陶瓷、用于制备其的组合物及其制备方法和应用，按摩尔百分比计，该组合物包含：2‑10％的由La2O3、Al2O3和MgO组成的复合烧结助剂、1‑5％的β‑Si3N4以及85‑97％的α‑Si3N4。本公开能够基于β‑Si3N4晶种的促进作用以及特定复合烧结助剂的作用来有效改善氮化硅陶瓷的韧性和强度，有利于扩展氮化硅陶瓷的应用范围。
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公开(公告)号：CN117706218A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311434824.5
申请日：2023-10-31
申请人： 河北光兴半导体技术有限公司 , 北京盛达众安科技有限公司
IPC分类号： G01R29/24
摘要： 本发明实施例提供一种摩擦静电参数的检测方法及检测系统，属于静电检测领域。检测方法包括：对消除静电的绝缘基板进行多组摩擦，并在每组摩擦之后对绝缘基板的电压值进行检测，以获取按照摩擦的先后顺序排列的多个电压值；确定多个电压值中的每相邻两个电压值的差值；以及在每相邻两个电压值的差值随摩擦的先后顺序逐渐减小且最大差值小于第一设定值的情况下，将最后一组摩擦之后的电压值确定为目标电压值。从而适用于测试绝缘基板的积累静电能力，模拟实际生产工序中因摩擦而产生的静电状况，准确对比不同产品的静电积累能力，便于对产品进行摩擦静电性能评估。
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公开(公告)号：CN115986202A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310272696.2
申请日：2023-03-21
申请人： 河北光兴半导体技术有限公司 , 东旭科技集团有限公司
IPC分类号： H01M10/0562 , H01M10/052
摘要： 本发明是关于一种氧化物固态电解质片及其制备方法和应用，所述方法包括：1）将氧化物固态电解质粉末压制成片，得到固态电解质片；将所述固态电解质片高温煅烧，降温，打磨，得到固态电解质基底；2）在所述固态电解质基底的表面镀制氧化亚硅膜，得到氧化物固态电解质片。本发明制备得到的氧化物固态电解质片的表层镀有氧化亚硅膜，将镀有氧化亚硅膜的氧化物固态电解质片与锂金属组装成锂金属电池时，沉积的氧化亚硅层起到隔绝固态电解质与锂金属的作用，并增强与锂金属的界面接触，因此能够提升氧化物固态电解质的对锂稳定性，降低界面阻抗提升循环与倍率性能，能够使锂金属电池具有优异的容量保持率。
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公开(公告)号：CN118561529A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410620129.6
申请日：2024-05-17
申请人： 河北光兴半导体技术有限公司 , 北京盛达众安科技有限公司
IPC分类号： C03C17/245
摘要： 本申请涉及一种激光增透膜、具有激光增透膜的玻璃及其制备方法，该激光增透膜包括交替层叠设置的过渡金属氧化物层和氧化硅层，通过使用IVB族过渡金属氧化物和VB族过渡金属氧化物的混合物来形成过渡金属氧化物层，能够在较少堆叠层数的情况下将1064nm波段激光的透光率提升至99％以上，大大降低了生产成本，解决了现有增透膜需要堆叠十几层甚至几十层才能将透光率提升至99％以上的问题。
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公开(公告)号：CN118086891A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410094384.1
申请日：2024-01-23
申请人： 河北光兴半导体技术有限公司 , 北京盛达众安科技有限公司
摘要： 本发明涉及高性能金属粉末材料技术领域，公开了一种激光熔覆高熵合金离子渗氮复合涂层及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：(1)将含有Al、Co、Cr、Fe、Ni、Ti的配合料接触混合，得到合金粉体，然后将合金粉体涂覆在预处理后的基体材料表面，得到沉积基底；(2)在保护气体存在下，将沉积基底进行激光熔覆，形成熔覆层；(3)在氮气和氢气存在下，将熔覆层进行离子渗氮处理。该制备方法制备得到的激光熔覆高熵合金离子渗氮复合涂层在保证涂层成型良好、塑韧性良好的前提下，既避免材料的浪费、降低成本，又具有高熵合金优异的性能，其表面硬度高达1200HV0.2以上。
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公开(公告)号：CN115799618A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202310009942.5
申请日：2023-01-05
申请人： 河北光兴半导体技术有限公司 , 东旭科技集团有限公司
IPC分类号： H01M10/0562 , H01M10/0525
摘要： 本发明是关于一种氧化物固态电解质及其制备方法和应用。所述方法包括以下步骤：1）向二氧化锆罐体中加入溶剂，使用二氧化锆磨球球磨氧化物电解质；所述氧化物电解质为NASICON结构的LATP；2）对球磨后的浆料进行沉降分离，得湿态氧化物电解质；3）干燥，得氧化物固态电解质。所解决的技术问题是如何降低氧化物固态电解质中二氧化锆杂质含量（锆含量≤350ppm），提高氧化物固态电解质的纯度和离子电导率（离子电导率≥7.3×10‑4 S/cm），提升电池的倍率及循环等电化学性能，从而更加适于实用。
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公开(公告)号：CN118344162A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410243855.0
申请日：2024-03-04
申请人： 河北光兴半导体技术有限公司 , 北京盛达众安科技有限公司
摘要： 本发明涉及陶瓷制备技术领域，公开了用于制备氧化锆陶瓷的混合物、氧化锆陶瓷及其制备方法和应用。以混合物的总重量为基准，混合物中含有92‑98wt％的ZrO2、4‑8wt％的CaO、0‑0.12wt％的Fe2O3、0‑0.35wt％的Al2O3、0‑0.20wt％的TiO2、0‑0.45wt％的SiO2和0‑0.08wt％的R2O；其中，R2O选自Na2O和/或K2O。本发明提供的氧化锆陶瓷烧结不开裂，致密性较好，热冲击性能优异，且强度高、耐高温、耐侵蚀。
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