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公开(公告)号：CN111826089B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010735582.3
申请日：2020-07-28
Applicant: 河北工业大学 , 天津晶岭微电子材料有限公司
IPC: H01L21/304 , C09G1/00 , C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种GLSI多层布线高价金属在CMP中的应用，为化学机械抛光平坦化提高稳定性提供一种新技术。所述多层布线高价金属的化合物替代氧化剂。CMP所用抛光液中含有与布线金属种类相同的布线高价金属化合物。采用本发明技术方案的抛光液可以稳定6个月以上，直接使用。使用时，不用专用设备的配置，简化了工艺，大大提高了抛光液的稳定性。而且，运输保存安全，不对设备产生腐蚀，使用更安全。
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公开(公告)号：CN112322190A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011220168.5
申请日：2020-11-05
Applicant: 河北工业大学 , 天津晶岭微电子材料有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种多层铜互连阻挡层抛光液及其制备方法，旨在提供一种能够延长抛光液的使用期限，有利于增强器件可靠性的多层铜互连阻挡层抛光液及其制备方法。按质量百分比计由下述组分组成：硅溶胶5‑20％，螯合剂0.1‑5％，杀菌剂0.15‑5％，表面活性剂0.001‑5％，pH值调节剂，去离子水余量；所述抛光液的pH值为7.5—11；所述杀菌剂为二价铜离子。本发明的抛光液通过各种组分的协同作用及合理配比，抛光效果好，稳定性强，能够满足微电子行业的需要。而且，本发明的抛光液呈碱性，pH为7.5‑11，不腐蚀设备，不污染环境。同时，原材料全部国产，生产成本低。
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公开(公告)号：CN112355884A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011220177.4
申请日：2020-11-05
Applicant: 河北工业大学 , 天津晶岭微电子材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于多层铜互连阻挡层CMP速率选择性的控制方法，旨在提供一种能控制不同材料的去除速率，从而实现对蝶形坑和蚀坑控制的方法。将抛光液加入抛光机中，在工作压力为1‑2PSI、抛盘转速为80‑100转/分、抛头转速为78‑98转/分、抛光液流量为200‑300ml/min的条件下抛光；所述抛光液由下述组分组成：硅溶胶5‑20％，功能型组分0.001‑10％，表面活性剂0.001‑10％，去离子水余量；功能型组分由A剂、B剂及C剂组成，A剂为FA/O螯合剂、四羟基乙基乙二胺、乙二胺及三乙醇胺中的任一种，B剂为硫酸铜、甘氨酸铜、柠檬酸铜及柠檬酸螯合铜中的任一种；C剂为硝酸钾、柠檬酸钾、酒石酸钾中的一种或者任意混合。该方法能提高芯片成品率和良率。
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公开(公告)号：CN112175756A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011219974.0
申请日：2020-11-05
Applicant: 河北工业大学 , 天津晶岭微电子材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于去除多层铜互连阻挡层CMP后表面残留物的清洗液，旨在而提供一种成分简单，能够有效去除多层铜互连阻挡层CMP后表面残留物的清洗液。按质量百分比计由下述组分组成：螯合剂0.1‑5％，表面活性剂0.1‑15％，消泡剂1％，pH调节剂，去离子水余量；所述清洗液的pH值为7‑7.5；所述表面活性剂由阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂及阴离子表面活性剂复配而成。本发明的清洗液选用阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂和阴离子表面活性剂复配，通过空间位阻作用，能有效去除多层铜互连阻挡层CMP后表面的大颗粒数及表面残留，从而提高器件的可靠性、电能性等性能，有利于提高器件的成品率。
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公开(公告)号：CN112355884B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202011220177.4
申请日：2020-11-05
Applicant: 河北工业大学 , 天津晶岭微电子材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于多层铜互连阻挡层CMP速率选择性的控制方法，旨在提供一种能控制不同材料的去除速率，从而实现对蝶形坑和蚀坑控制的方法。将抛光液加入抛光机中，在工作压力为1‑2PSI、抛盘转速为80‑100转/分、抛头转速为78‑98转/分、抛光液流量为200‑300ml/min的条件下抛光；所述抛光液由下述组分组成：硅溶胶5‑20％，功能型组分0.001‑10％，表面活性剂0.001‑10％，去离子水余量；功能型组分由A剂、B剂及C剂组成，A剂为FA/O螯合剂、四羟基乙基乙二胺、乙二胺及三乙醇胺中的任一种，B剂为硫酸铜、甘氨酸铜、柠檬酸铜及柠檬酸螯合铜中的任一种；C剂为硝酸钾、柠檬酸钾、酒石酸钾中的一种或者任意混合。该方法能提高芯片成品率和良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112340739A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011220164.7
申请日：2020-11-05
Applicant: 河北工业大学 , 天津晶岭微电子材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅溶胶在微电子领域的应用，而提供一种新型硅溶胶在微电子领域的应用。本发明的硅溶胶在微电子领域的应用，所述硅溶胶由湖北金伟新材料有限公司生产，所述硅溶胶中的原料为澳砂，所述硅溶胶在封闭式全自动条件下生产；在千级无尘条件下灌装及包装；采用0.2微米过滤系统过滤。本发明通过对湖北金伟新材料有限公司所生产的硅溶胶的改进，使其生产的硅溶胶的各方面性能满足微电子领域的使用需要，为国内硅溶胶广泛应用于微电子领域开辟了新途径。本发明精选原材料质量，所使用原材料为进口澳砂，从源头降低产品金属离子含量。
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公开(公告)号：CN111826089A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010735582.3
申请日：2020-07-28
Applicant: 河北工业大学 , 天津晶岭微电子材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种GLSI多层布线高价金属在CMP中的应用，为化学机械抛光平坦化提高稳定性提供一种新技术。所述多层布线高价金属的化合物替代氧化剂。CMP所用抛光液中含有与布线金属种类相同的布线高价金属化合物。采用本发明技术方案的抛光液可以稳定6个月以上，直接使用。使用时，不用专用设备的配置，简化了工艺，大大提高了抛光液的稳定性。而且，运输保存安全，不对设备产生腐蚀，使用更安全。
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公开(公告)号：CN105619235A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510993361.5
申请日：2015-12-24
Applicant: 天津晶岭微电子材料有限公司
CPC classification number: B24B37/044 , C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种控制GLSI多层铜布线精抛碟形坑延伸的碱性抛光液应用，主要由纳米Si02水溶胶、复合磨料、FA/O I型非离子表面活性剂、FA/O II型鳌合剂和双氧水组成的碱性抛光液，其特征是：所述FA/O I型非离子表面活性剂利用优先物理吸附特性，有效控制精抛过程中碟形坑延伸的应用。有益效果：本发明依据优先吸附理论和流体力学滞留层数学模型，在精抛完全去除残余铜的前提下，有效控制了碟形坑的延伸。选用FA/O型表面活性剂，利用其优先物理吸附特性，有效实现了精抛过程对碟形坑延伸的控制，在减小精抛后晶圆表面粗糙度的同时有利于精抛后清洗的进行。
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公开(公告)号：CN102010665B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201010231732.3
申请日：2010-07-21
Applicant: 天津晶岭微电子材料有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种用于极大规模集成电路多层布线中钨插塞的抛光液的制备方法。该抛光液选用纳米SiO2磨料，磨料的浓度为30-50％、粒径为15-25nm、莫氏硬度7以利于材料的去除及表面平整化，抛光液的pH值9-12，既能满足有效去除，也能保证硅溶胶的稳定性，制备采用负压涡流搅拌制备法，避免了传统的复配、机械搅拌等制备方法带来的有机物、大颗粒、金属离子等的污染，可以达到超净的要求，且对抛光设备无腐蚀，后清洗简单。该抛光液污染小、利于环保，成本低、应用广泛。
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公开(公告)号：CN102010665A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010231732.3
申请日：2010-07-21
Applicant: 天津晶岭微电子材料有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种用于极大规模集成电路多层布线中钨插塞的抛光液的制备方法。该抛光液选用纳米SiO2磨料，磨料的浓度为30-50％、粒径为15-25nm、莫氏硬度7以利于材料的去除及表面平整化，抛光液的pH值9-12，既能满足有效去除，也能保证硅溶胶的稳定性，制备采用负压涡流搅拌制备法，避免了传统的复配、机械搅拌等制备方法带来的有机物、大颗粒、金属离子等的污染，可以达到超净的要求，且对抛光设备无腐蚀，后清洗简单。该抛光液污染小、利于环保，成本低、应用广泛。
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