公开(公告)号：CN114937560B

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202210645625.8

申请日：2022-06-08

申请人： 河南农业大学

发明人： 王栋 ,  郭荣男 ,  丁攀 ,  夏月庆 ,  周培林 ,  张秀丽 ,  魏子键 ,  王天汉

IPC分类号： H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/86 ,  H01G11/56

摘要： 本发明提出了一种基于二维材料的全固态柔性超级电容器及其制备方法，用以解决柔性电容器比电容低、力学性能差的技术问题。所述全固态柔性超级电容器包括两个复合电极，两个复合电极之间设有固体电解质，复合电极包括铅锡合金基底和生长在铅锡合金基底上的二维PbSe/SnSe异质结，二维PbSe/SnSe异质结和固体电解质相邻。本发明采用化学气相沉积法在铅锡合金表面沉积二维PbSe/SnSe异质结材料；将两片沉积有二维PbSe/SnSe异质结的铅锡合金对称放置且中间加装固体电解质，制备得到全固态柔性超级电容器。本发明制备的电容器通过提高电极活性材料的比表面积和电子转移速率，提高了电容器的力学性能和电化学性能。

公开(公告)号：CN118102859A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410226741.5

申请日：2024-02-29

申请人： 河南农业大学

发明人： 王栋 ,  裴琪 ,  王天汉 ,  陈宝仪 ,  郭容男 ,  张倩 ,  夏月庆 ,  肖亚涛 ,  袁志华

IPC分类号： H10N70/00 ,  H10N70/20

摘要： 本发明提出了一种二维SnS/SnSe垂直异质结忆阻器及其制备方法，属于微电子器件的技术领域。二维SnS/SnSe垂直异质结忆阻器自下而上包括衬底、底电极层、二维材料异质结层及顶电极层，所述二维材料异质结层为二维SnS层和SnSe层组成的SnS/SnSe异质结，二维SnS层位于靠近底电极层的一侧。本发明SnS/SnSe垂直忆阻器拥有异质结构，忆阻器功能层由两不同材料构成，在性能上有着更低的开关电压(2V)较大的开关比，较好的循环稳定性，在循环一百次后仍能保持稳定的忆阻性能，本异质结忆阻器相对于单一材料的忆阻器，导通时更加稳定，循环性能更好。

公开(公告)号：CN114937560A

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202210645625.8

申请日：2022-06-08

申请人： 河南农业大学

发明人： 王栋 ,  郭荣男 ,  丁攀 ,  夏月庆 ,  周培林 ,  张秀丽 ,  魏子键 ,  王天汉

IPC分类号： H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/86 ,  H01G11/56

摘要： 本发明提出了一种基于二维材料的全固态柔性超级电容器及其制备方法，用以解决柔性电容器比电容低、力学性能差的技术问题。所述全固态柔性超级电容器包括两个复合电极，两个复合电极之间设有固体电解质，复合电极包括铅锡合金基底和生长在铅锡合金基底上的二维PbSe/SnSe异质结，二维PbSe/SnSe异质结和固体电解质相邻。本发明采用化学气相沉积法在铅锡合金表面沉积二维PbSe/SnSe异质结材料；将两片沉积有二维PbSe/SnSe异质结的铅锡合金对称放置且中间加装固体电解质，制备得到全固态柔性超级电容器。本发明制备的电容器通过提高电极活性材料的比表面积和电子转移速率，提高了电容器的力学性能和电化学性能。