公开(公告)号：CN118553539A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410624978.9

申请日：2024-05-20

Applicant: 河南农业大学

Inventor： 郭容男 ,  李太文 ,  王栋

IPC: H01G11/26 ,  C01B32/318 ,  C01B32/342 ,  C01B32/348 ,  C01B32/354 ,  H01G11/34 ,  H01G11/44 ,  H01G11/84

Abstract: 本发明公开了一种高杂原子掺杂的生物质多孔碳材料及其制备方法和应用。所述材料由葎草碳化、活化以及氮和硫等元素掺杂获得。所述材料的总比表面积为1000‑2500m2/g、微孔比表面积在200‑1000m2/g、平均孔径在1‑5nm、碳化后氧元素含量在1‑30at.%、总杂原子含量20‑35at.%。本发明可将氮、氧和硫元素均匀掺杂在富氧生物质多孔碳材料中，且对其孔结构具有有效调制作用。所得生物质多孔碳材料用于制备对称超级电容器和混合超级电容器，表现出优异的电容性能和载流子传输速率。所制备的混合超级电容器循环15000次，容量保持率在94%以上。高负载下面积比容量高达4.27F/cm2，循环15000次，容量保持率在117%左右。即使组装成柔性混合超级电容器，仍能稳定循环5000次。

公开(公告)号：CN118102859A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410226741.5

申请日：2024-02-29

Applicant: 河南农业大学

Inventor： 王栋 ,  裴琪 ,  王天汉 ,  陈宝仪 ,  郭容男 ,  张倩 ,  夏月庆 ,  肖亚涛 ,  袁志华

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20

Abstract: 本发明提出了一种二维SnS/SnSe垂直异质结忆阻器及其制备方法，属于微电子器件的技术领域。二维SnS/SnSe垂直异质结忆阻器自下而上包括衬底、底电极层、二维材料异质结层及顶电极层，所述二维材料异质结层为二维SnS层和SnSe层组成的SnS/SnSe异质结，二维SnS层位于靠近底电极层的一侧。本发明SnS/SnSe垂直忆阻器拥有异质结构，忆阻器功能层由两不同材料构成，在性能上有着更低的开关电压(2V)较大的开关比，较好的循环稳定性，在循环一百次后仍能保持稳定的忆阻性能，本异质结忆阻器相对于单一材料的忆阻器，导通时更加稳定，循环性能更好。

公开(公告)号：CN222299877U

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202421055054.3

申请日：2024-05-15

Applicant: 河南农业大学

Inventor： 王栋 ,  王天汉 ,  裴琪 ,  陈宝怡 ,  郭容男 ,  张冰倩 ,  张秀丽 ,  肖亚涛

IPC: G02B21/26

Abstract: 本实用新型涉及三轴转移台技术领域，具体为一种三轴转移台的维护装置，包括三轴转移台本体，所述三轴转移台本体的一侧设置有第一安装块，所述第一安装块上活动安装有套杆，所述套杆内活动插设有活动杆，所述活动杆的上端固定安装有第二安装块，所述第二安装块内活动设置有压制块，所述第二安装块上设置有观察刻度；调节机构，所述调节机构设置在第一安装块上，所述调节机构用于调节压制块的位置。本实用新型通过可以根据压制块的活动进行测量，同时配备有放大镜来观察观察刻度，使得压制块相对于观察刻度的位移变化可以更好的被观察，增加了设备使用时的便捷性，还设置有第一安装块与稳定杆，使得压制块可以更好的与三轴转移台本体平行。

公开(公告)号：CN216058295U

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202122245876.0

申请日：2021-09-16

Applicant: 河南农业大学

Inventor： 王栋 ,  张倩 ,  夏月庆 ,  郭容男 ,  张秀丽 ,  丁攀 ,  陈永 ,  李慧琴 ,  田辉

IPC: A01D34/01

Abstract: 本实用新型公开了一种熔覆仿生耦合割草机刀片，包括刀片本体和固定板，所述刀片本体与固定板的一侧固定连接，所述固定板上设有与刀片本体对应的插槽，所述刀片本体的外壁上设有多排菱形凹槽，所述固定板远离刀片本体的一侧设有多个固定槽，所述固定槽内滑动插设有插杆，所述插杆的一端贯穿固定槽内壁并向外延伸，所述固定板的外壁上固定连接有卡块，所述卡块上滑动插设有卡杆，所述插杆上设有与卡杆对应的卡槽。本实用新型中通过采用优化的熔覆工艺对不同形貌的仿生表面进行等离子熔覆，最终做到材料和仿生形貌的耦合，使刀片材料表面达到最佳使用性能。