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公开(公告)号：CN104810378B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201510099725.5
申请日：2015-03-08
Applicant: 河南理工大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/09 , H01L31/0232
Abstract: 本发明属于半导体光电子器件领域，具体涉及一种小尺寸像元量子阱红外焦平面光敏元芯片，包括自下而上的顺序依次设置的GaAs衬底、由在金薄膜中刻蚀出M×N个凹字型光栅孔，并在光栅孔中填充GaAs构成的透射光栅、n型GaAs下接触层、金/锗/镍合金公共下电极、M×N个像元、二氧化硅钝化层；像元包括自下而上的GaAs/AlGaAs多量子阱层、n型GaAs上接触层、金反射层、金/锗/镍合金上电极。本发明采用分子束外延方法和常规半导体工艺将凹字型光栅孔构成的透射光栅置于多量子阱层的底部，既提高了量子阱红外焦平面光敏元芯片的光耦合效率和探测率，又减小了像元的尺寸，提高了光敏元芯片的成像分辨率。
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公开(公告)号：CN104810378A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510099725.5
申请日：2015-03-08
Applicant: 河南理工大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/09 , H01L31/0232
Abstract: 本发明属于半导体光电子器件领域，具体涉及一种小尺寸像元量子阱红外焦平面光敏元芯片，包括自下而上的顺序依次设置的GaAs衬底、由在金薄膜中刻蚀出M×N个凹字型光栅孔，并在光栅孔中填充GaAs构成的透射光栅、n型GaAs下接触层、金/锗/镍合金公共下电极、M×N个像元、二氧化硅钝化层；像元包括自下而上的GaAs/AlGaAs多量子阱层、n型GaAs上接触层、金反射层、金/锗/镍合金上电极。本发明采用分子束外延方法和常规半导体工艺将凹字型光栅孔构成的透射光栅置于多量子阱层的底部，既提高了量子阱红外焦平面光敏元芯片的光耦合效率和探测率，又减小了像元的尺寸，提高了光敏元芯片的成像分辨率。
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公开(公告)号：CN109916865A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910135771.4
申请日：2019-02-22
Abstract: 本发明公开了一种集成LED光源的表面量子点湿度传感器及制作方法，方法包括：制备LED光源层，在LED光源层上沉积一GaAs层；在GaAs层上依次沉积n型GaAs缓冲层、N层InGaAs掩埋量子点层和InGaAs表面量子点层，形成表面量子点湿度传感层；在n型GaAs缓冲层上形成第一台阶；在p型GaP电流扩展层上形成第二台阶；在n型AlGaInP下限制层上形成第三台阶；在InGaAs表面量子点层的上表面一端、第一台阶、第二台阶、第三台阶的上表面及两侧，沉积形成钝化层；在钝化层上腐蚀出四个引线孔，并在四个引线孔中分别蒸度Au/Ge/Ni，形成传感上电极、传感下电极、LED上电极和LED下电极。
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公开(公告)号：CN106255247B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201610966302.3
申请日：2016-11-05
Applicant: 河南理工大学
IPC: H05B6/08
Abstract: 本发明涉及一种表面温度均匀的电磁感应加热平板，可有效解决现有设备消耗功率大和温度均匀性差的问题，技术方案是，该加热平板包括外壳、金属平板、上隔热层、磁柱、磁材料层、下隔热层、感应线圈和中频电源，外壳为非磁性材料制成的上部开口的中空结构，外壳内底部装有下隔热层，下隔热层上装有磁材料层，磁材料层上装有均布的磁柱，磁柱上装有上隔热层，上隔热层上装有金属平板，每个磁柱外侧均装有感应线圈，本发明结构新颖独特，简单合理，易操作，成本低，表面温度均匀性好，加热效率高，能耗低，是电磁感应加热平板上的创新。
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公开(公告)号：CN102437228B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201110380428.X
申请日：2011-11-25
Applicant: 河南理工大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及底部耦合光栅量子阱红外焦平面光敏元芯片及其制备方法，可有效解决简化焦平面光敏元芯片制作工艺，提高光栅耦合效率的问题，方法是，在砷化镓衬底上面有由n型砷化镓和金交替周期性排列构成的透射光栅，透射光栅上面有下接触层，下接触层上有多量子阱层，多量子阱层上有上接触层，上接触层上有金反射层，金反射层上面有合金上电极，下接触层的一端上有合金公共下电极，下接触层、多量子阱层、上接触层、金反射层、合金上电极和合金公共下电极的两侧有二氧化硅钝化层；其制备方法是，采用晶片键合工艺和常规半导体工艺将透射光栅置于多量子阱层的底部，形成一体结构，本发明结构新颖独特，提高光耦合效率，制作工艺、方法简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101819636B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010154823.1
申请日：2010-03-30
Applicant: 河南理工大学
Abstract: 本发明涉及一种数字图像中不规则区域自动匹配方法，包括：采集图像并输入计算机；提取图像中的不规则区域；通过计算不规则区域内各点的平均梯度方向确定不规则区域的主方向；通过计算各点的不对称性确定其最大对称位置；以最大对称位置为中心，以主方向为起始方向，确定不规则区域的邻域；将不规则区域的邻域从里到外划分为三层，并将每层进一步沿圆周方向划分为至少一个子区域；利用梯度内积与外积运算构造不规则区域的匹配描述子；通过计算所得描述子之间欧式距离并利用双向匹配准则计算不规则区域之间的相似性，进行区域匹配并输出结果。本发明提供的方法，不会引入由于将不规则区域的形状拟合为规则形状带来的误差，提高了匹配的准确性。
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公开(公告)号：CN106946212A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710316751.8
申请日：2017-05-08
Applicant: 河南理工大学
CPC classification number: B81B3/0032 , G01N21/6402
Abstract: 本发明之目的是提供一种表面量子点湿度传感器芯片，包括由下而上的GaAs（砷化镓）衬底层、n型GaAs缓冲层、掩埋InGaAs量子点层和InGaAs表面量子点层，掩埋InGaAs量子点层左端台阶上淀积有第一二氧化硅钝化层，掩埋InGaAs量子点层右端台阶上淀积有第二二氧化硅钝化层，第二二氧化硅钝化层的右侧下部在n型GaAs缓冲层上淀积有第三二氧化硅钝化层，第三二氧化硅钝化层的上面淀积有Au/Ge/Ni合金下电极，InGaAs表面量子点层左边上面有第四二氧化硅钝化层，第四二氧化硅钝化层上沉积有Au/Ge/Ni合金上电极；本发明结构简单，生产制备方便，成本低，效果好，经济和社会效益显著。
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公开(公告)号：CN106255247A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610966302.3
申请日：2016-11-05
Applicant: 河南理工大学
IPC: H05B6/08
CPC classification number: H05B6/08
Abstract: 本发明涉及一种表面温度均匀的电磁感应加热平板，可有效解决现有设备消耗功率大和温度均匀性差的问题，技术方案是，该加热平板包括外壳、金属平板、上隔热层、磁柱、磁材料层、下隔热层、感应线圈和中频电源，外壳为非磁性材料制成的上部开口的中空结构，外壳内底部装有下隔热层，下隔热层上装有磁材料层，磁材料层上装有均布的磁柱，磁柱上装有上隔热层，上隔热层上装有金属平板，每个磁柱外侧均装有感应线圈，本发明结构新颖独特，简单合理，易操作，成本低，表面温度均匀性好，加热效率高，能耗低，是电磁感应加热平板上的创新。
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公开(公告)号：CN109932346A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910135744.7
申请日：2019-02-22
Applicant: 河南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种集成OLED光源的表面量子点湿度传感器及其制作方法。制作方法包括：制备表面量子点湿度传感层，包括：在GaAs衬底上从下到上依次沉积的n型GaAs缓冲层、N层InGaAs掩埋量子点层、InGaAs表面量子点层；对表面量子点湿度传感层进行刻蚀，在n型GaAs缓冲层上形成由InGaAs掩埋量子点层组成的第一台阶，在第一台阶上形成由InGaAs表面量子点层组成的第二台阶；在第一台阶的两侧及露出的上表面和第二台阶的上表面及两侧，形成沉积钝化层；在钝化层上进行光刻，腐蚀两个引线孔，在两个引线孔中分别蒸度Au、Ge、Ni；在InGaAs表面量子点层的露出的上表面一端，制备OLED光源层。
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公开(公告)号：CN102437228A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110380428.X
申请日：2011-11-25
Applicant: 河南理工大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及底部耦合光栅量子阱红外焦平面光敏元芯片及其制备方法，可有效解决简化焦平面光敏元芯片制作工艺，提高光栅耦合效率的问题，方法是，在砷化镓衬底上面有由n型砷化镓和金交替周期性排列构成的透射光栅，透射光栅上面有下接触层，下接触层上有多量子阱层，多量子阱层上有上接触层，上接触层上有金反射层，金反射层上面有合金上电极，下接触层的一端上有合金公共下电极，下接触层、多量子阱层、上接触层、金反射层、合金上电极和合金公共下电极的两侧有二氧化硅钝化层；其制备方法是，采用晶片键合工艺和常规半导体工艺将透射光栅置于多量子阱层的底部，形成一体结构，本发明结构新颖独特，提高光耦合效率，制作工艺、方法简单。
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