公开(公告)号：CN102437228B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201110380428.X

申请日：2011-11-25

Applicant: 河南理工大学

Inventor： 王国东 ,  王允建 ,  李端 ,  谢贝贝 ,  杨莹丽 ,  王素玲

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及底部耦合光栅量子阱红外焦平面光敏元芯片及其制备方法，可有效解决简化焦平面光敏元芯片制作工艺，提高光栅耦合效率的问题，方法是，在砷化镓衬底上面有由n型砷化镓和金交替周期性排列构成的透射光栅，透射光栅上面有下接触层，下接触层上有多量子阱层，多量子阱层上有上接触层，上接触层上有金反射层，金反射层上面有合金上电极，下接触层的一端上有合金公共下电极，下接触层、多量子阱层、上接触层、金反射层、合金上电极和合金公共下电极的两侧有二氧化硅钝化层；其制备方法是，采用晶片键合工艺和常规半导体工艺将透射光栅置于多量子阱层的底部，形成一体结构，本发明结构新颖独特，提高光耦合效率，制作工艺、方法简单。

公开(公告)号：CN102437228A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110380428.X

申请日：2011-11-25

Applicant: 河南理工大学

Inventor： 王国东 ,  王允建 ,  李端 ,  谢贝贝 ,  杨莹丽 ,  王素玲

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及底部耦合光栅量子阱红外焦平面光敏元芯片及其制备方法，可有效解决简化焦平面光敏元芯片制作工艺，提高光栅耦合效率的问题，方法是，在砷化镓衬底上面有由n型砷化镓和金交替周期性排列构成的透射光栅，透射光栅上面有下接触层，下接触层上有多量子阱层，多量子阱层上有上接触层，上接触层上有金反射层，金反射层上面有合金上电极，下接触层的一端上有合金公共下电极，下接触层、多量子阱层、上接触层、金反射层、合金上电极和合金公共下电极的两侧有二氧化硅钝化层；其制备方法是，采用晶片键合工艺和常规半导体工艺将透射光栅置于多量子阱层的底部，形成一体结构，本发明结构新颖独特，提高光耦合效率，制作工艺、方法简单。

公开(公告)号：CN101867092A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010191987.1

申请日：2010-05-28

Applicant: 河南理工大学

Inventor： 王素玲 ,  汪旭东 ,  艾永乐 ,  王国东 ,  李然

IPC: H01Q13/08 ,  H01Q1/38

Abstract: 本发明公开了一种微带天线侧向辐射装置，本发明的目的是设计一种成本低，辐射方向易控制的微带天线侧向辐射装置。本发明的技术方案是，微带天线侧向辐射装置，它包括微带天线，将辐射贴片设置在介质基片中心，在介质基片周边上设有金属薄膜。所述金属薄膜是铜片。本发明结构简单，成本低廉，使用效果好。

公开(公告)号：CN201717366U

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN201020214372.1

申请日：2010-05-28

Applicant: 河南理工大学

Inventor： 王素玲 ,  汪旭东 ,  艾永乐 ,  王国东 ,  李然

IPC: H01Q13/08 ,  H01Q1/38

Abstract: 本实用新型公开了一种微带天线侧向辐射装置，本实用新型的目的是设计一种成本低，辐射方向易控制的微带天线侧向辐射装置。本实用新型的技术方案是，微带天线侧向辐射装置，它包括微带天线，将辐射贴片设置在介质基片中心，在介质基片周边上设有金属薄膜。所述金属薄膜是铜片。本实用新型结构简单，成本低廉，使用效果好。