公开(公告)号：CN113745212A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202010478205.6

申请日：2020-05-29

申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司

发明人： 李威谕 ,  林瑞彬

IPC分类号： H01L27/02 ,  G06F30/392

摘要： 本申请实施例提供一种集成电路及其布局方法，该方法包括：从第一标准胞元件库和第二标准胞元件库中分别获取第一标准胞元和第二标准胞元，其中，第一标准胞元和第二标准胞元中的一者具有第一高度、另一者具有不等于第一高度的第二高度；布置第一标准胞元和第二标准胞元以使其在行的方向上彼此邻接或者邻近；从补充胞元件库中获取补充胞元；使补充胞元的横向边界和上述一者的横向边界重叠而形成重叠边界并且补充胞元和上述一者分别位于重叠边界的两侧，从而形成具有第三高度的组合胞元，其中，第二高度相比于第三高度具有倍率关系。本申请实施例的技术方案可以提高电路布局面积的使用率，缩小芯片的面积。

公开(公告)号：CN113066799B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202110281808.1

申请日：2021-03-16

申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司

发明人： 刘学刚 ,  李威谕

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/02 ,  H01L21/77

摘要： 本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：第一导体层，所述第一导体层包括至少一条第一走线；第二导体层，所述第二导体层包括至少一条第二走线；所述第一走线与所述第二走线交叉接触；绝缘层，所述绝缘层位于所述第二导体层背离所述第一导体层的一侧；通孔，所述通孔贯穿所述绝缘层，所述第一走线与所述第二走线的至少一个交叉位置上具有所述通孔；第三导体层，所述第三导体层位于所述绝缘层背离所述第一导体层与所述第二导体层的一侧。本发明方案通过在第一走线与第二走线的至少一个交叉位置上设置通孔，并将其余的通孔按照尽可能多的均匀分布，可以使得同层金属的连接性增加，提高可靠性。

公开(公告)号：CN113066799A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202110281808.1

申请日：2021-03-16

申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司

发明人： 刘学刚 ,  李威谕

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/02 ,  H01L21/77

摘要： 本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：第一导体层，所述第一导体层包括至少一条第一走线；第二导体层，所述第二导体层包括至少一条第二走线；所述第一走线与所述第二走线交叉接触；绝缘层，所述绝缘层位于所述第二导体层背离所述第一导体层的一侧；通孔，所述通孔贯穿所述绝缘层，所述第一走线与所述第二走线的至少一个交叉位置上具有所述通孔；第三导体层，所述第三导体层位于所述绝缘层背离所述第一导体层与所述第二导体层的一侧。本发明方案通过在第一走线与第二走线的至少一个交叉位置上设置通孔，并将其余的通孔按照尽可能多的均匀分布，可以使得同层金属的连接性增加，提高可靠性。

公开(公告)号：CN112255882A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN202011152838.4

申请日：2020-10-23

申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司

发明人： 徐恭铭 ,  李威谕

IPC分类号： G03F1/36 ,  G03F7/20

摘要： 本发明提供一种集成电路版图微缩方法，属于集成电路制造技术领域。集成电路版图微缩方法，包括：获取初始版图，并对初始版图内相互接触的图形单元进行合并，合并后的相互接触的图形单元构成图形单元组；根据预设微缩比例微缩处理经图形单元合并后的初始版图，以得到微缩版图。能够减少进行版图微缩后出现相接触的图形单元接触断开的情况，提高后续制得的集成电路的制造良率。