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公开(公告)号:CN117426157A
公开(公告)日:2024-01-19
申请号:CN202280036169.5
申请日:2022-05-17
申请人: 法国国家科学研究中心 , 巴黎-萨克雷大学 , 原子能和替代能源委员会
摘要: 一种用于制造非对称SOT‑MRAM存储元单元的方法(50),所述存储元单元包括导体轨道和焊盘,所述焊盘布置在所述导体轨道上并且包括具有自由磁化的至少一个第一磁性区域,其特征在于,所述方法包括以下步骤:制造(100)多个延伸层的堆叠,所述多个延伸层包括至少一个第一延伸磁性层;在所述堆叠的上表面上沉积(200)掩模;以及通过对承载掩模的堆叠的上表面进行离子辐照,在第一延伸磁性层中限定(400、500)第一磁性区域,离子辐照的参数适于修改形成第一磁性层的材料的磁特性。
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公开(公告)号:CN118215924A
公开(公告)日:2024-06-18
申请号:CN202280066757.3
申请日:2022-09-30
申请人: 法国国家科学研究中心 , 格勒诺布尔大学 , 原子能和替代能源委员会 , 格勒诺布尔综合理工学院 , 达妮埃尔·平纳
摘要: 装置(1)包括预处理级(10)、物质系统(20)和识别级(30),其特征在于:预处理级(10)将感兴趣的信号(S0)转换为激励信号(Sext);所述物质系统(20)包括磁性介质(50),其被细分为处于第一磁性状态或第二磁性状态的多个区域(51),激励模块(26)根据激励信号(Sext)生成适于使磁性介质(50)中的磁畴壁(56)移位的物理激励量,读取模块(62),其测量磁性介质(50)达到的最终磁性配置;以及识别级(30)根据最终磁性配置确定感兴趣的信号(S0)所属的类别(Ci)。
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