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公开(公告)号：CN117426157A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202280036169.5
申请日：2022-05-17
申请人： 法国国家科学研究中心 , 巴黎-萨克雷大学 , 原子能和替代能源委员会
摘要： 一种用于制造非对称SOT‑MRAM存储元单元的方法(50)，所述存储元单元包括导体轨道和焊盘，所述焊盘布置在所述导体轨道上并且包括具有自由磁化的至少一个第一磁性区域，其特征在于，所述方法包括以下步骤：制造(100)多个延伸层的堆叠，所述多个延伸层包括至少一个第一延伸磁性层；在所述堆叠的上表面上沉积(200)掩模；以及通过对承载掩模的堆叠的上表面进行离子辐照，在第一延伸磁性层中限定(400、500)第一磁性区域，离子辐照的参数适于修改形成第一磁性层的材料的磁特性。
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公开(公告)号：CN108140727A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680058600.0
申请日：2016-10-05
申请人： 国家科学研究中心 , 原子能和替代能源委员会
发明人： 吉勒斯·高登 , 约安·米哈依·米隆 , 奥利维尔·布勒 , 萨菲尔·查纳图库智依
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/1659 , G11C11/1675
摘要： 本发明涉及磁存储器元件(30)，包括：堆叠部(31)，该堆叠部(31)包括在导电层部(32)和与该导电层不同的层部(36)之间的磁性层部(34)，磁性层具有垂直于层的平面的磁化(35)；金属化部(42)，堆叠部置于该金属化部(42)上；以及第一金属化臂、第二金属化臂、第三金属化臂和第四金属化臂(44D至44G)，每个臂具有中轴线(45D至45G)，其中，对于每个臂而言，电流沿每个臂的中轴线的方向流向堆叠部，在电流看来，对于第一臂和第二臂(44E，44G)而言堆叠部的最靠近臂的部分大部分在电流的左边，并且对于第三臂和第四臂(44D，44F)而言堆叠部的最靠近臂的部分大部分在电流的右边。
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公开(公告)号：CN108140727B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201680058600.0
申请日：2016-10-05
申请人： 国家科学研究中心 , 原子能和替代能源委员会
发明人： 吉勒斯·高登 , 约安·米哈依·米隆 , 奥利维尔·布勒 , 萨菲尔·查纳图库智依
摘要： 本发明涉及磁存储器元件(30)，包括：堆叠部(31)，该堆叠部(31)包括在导电层部(32)和与该导电层不同的层部(36)之间的磁性层部(34)，磁性层具有垂直于层的平面的磁化(35)；金属化部(42)，堆叠部置于该金属化部(42)上；以及第一金属化臂、第二金属化臂、第三金属化臂和第四金属化臂(44D至44G)，每个臂具有中轴线(45D至45G)，其中，对于每个臂而言，电流沿每个臂的中轴线的方向流向堆叠部，在电流看来，对于第一臂和第二臂(44E，44G)而言堆叠部的最靠近臂的部分大部分在电流的左边，并且对于第三臂和第四臂(44D，44F)而言堆叠部的最靠近臂的部分大部分在电流的右边。
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