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公开(公告)号：CN114335250B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202111661840.9
申请日：2021-12-30
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开一种钝化接触结构的制备方法及应用方法；其制备方法包括：对硅衬底进行微结构形貌处理；制备隧穿氧化层；使用中间为空心的第一载板装载硅衬底，再采用PVD法以向上沉积方式在隧穿氧化层的表面沉积第一掺杂非晶硅层；再使用图案化镂空的第二载板装载并掩盖第一掺杂非晶硅层的局部表面，然后采用PVD法以向上沉积方式在第一掺杂非晶硅层的表面选择性沉积第二掺杂非晶硅层；再经高温处理后，在仅沉积第一掺杂非晶硅层的区域形成第一掺杂区，并在沉积第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层的区域形成第二掺杂区；进而制得具有选择性厚度和掺杂浓度的多晶硅的钝化接触结构，且该制备方法能使钝化接触结构的制备更方便、更精准、更高效。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114551639A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210099446.9
申请日：2022-01-27
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，公开一种局域钝化接触的选择性发射极结构的制备方法及应用方法；其制备方法包括：对硅片进行制绒处理，以在硅片的表面形成金字塔结构；在硅片正面制备隧穿氧化硅；使用带有栅线状镂空图案的载板装载硅片，隧穿氧化硅的正面朝下，以使载板局部掩盖隧穿氧化硅的正面，再采用磁控溅射法以向上沉积方式在隧穿氧化硅的正面局域沉积掺杂非晶硅；对局域沉积后的硅片正面进行扩散掺杂处理，使非局域沉积区域形成轻掺杂发射极，而局域沉积区域形成重掺杂多晶硅，得到依次叠加有隧穿氧化硅和重掺杂多晶硅的局域钝化接触结构。该制备方法不仅能制备局域钝化接触的选择性发射极结构，还兼具制备工序少、精度高、成本低的优点。
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公开(公告)号：CN114551639B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202210099446.9
申请日：2022-01-27
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，公开一种局域钝化接触的选择性发射极结构的制备方法及应用方法；其制备方法包括：对硅片进行制绒处理，以在硅片的表面形成金字塔结构；在硅片正面制备隧穿氧化硅；使用带有栅线状镂空图案的载板装载硅片，隧穿氧化硅的正面朝下，以使载板局部掩盖隧穿氧化硅的正面，再采用磁控溅射法以向上沉积方式在隧穿氧化硅的正面局域沉积掺杂非晶硅；对局域沉积后的硅片正面进行扩散掺杂处理，使非局域沉积区域形成轻掺杂发射极，而局域沉积区域形成重掺杂多晶硅，得到依次叠加有隧穿氧化硅和重掺杂多晶硅的局域钝化接触结构。该制备方法不仅能制备局域钝化接触的选择性发射极结构，还兼具制备工序少、精度高、成本低的优点。
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公开(公告)号：CN114335250A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111661840.9
申请日：2021-12-30
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开一种钝化接触结构的制备方法及应用方法；其制备方法包括：对硅衬底进行微结构形貌处理；制备隧穿氧化层；使用中间为空心的第一载板装载硅衬底，再采用PVD法以向上沉积方式在隧穿氧化层的表面沉积第一掺杂非晶硅层；再使用图案化镂空的第二载板装载并掩盖第一掺杂非晶硅层的局部表面，然后采用PVD法以向上沉积方式在第一掺杂非晶硅层的表面选择性沉积第二掺杂非晶硅层；再经高温处理后，在仅沉积第一掺杂非晶硅层的区域形成第一掺杂区，并在沉积第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层的区域形成第二掺杂区；进而制得具有选择性厚度和掺杂浓度的多晶硅的钝化接触结构，且该制备方法能使钝化接触结构的制备更方便、更精准、更高效。
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公开(公告)号：CN221201185U
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202322279111.8
申请日：2023-08-23
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/048
Abstract: 本实用新型涉及光伏电池技术领域，公开一种光伏电池用栅线电极、光伏电池及光伏组件。该栅线电极，包括主栅线、第一细栅线和第二细栅线；第一、二细栅线相邻、且横向设置；主栅线沿纵向分段设置；第一细栅线连接并延伸至相邻的一主栅线段的左右两侧，以使第一细栅线包括第一连接部和第一延伸部；第二细栅线连接并延伸至相邻的另一主栅线段的左右两侧，以使第二细栅线包括第二连接部和第二延伸部；主栅线的分段位置位于第一、二连接部之间；第一、二延伸部之间的间距小于第一、二连接部之间的间距，以使第一、二连接部之间的间距加宽。该栅线电极能增加第一、二细栅线与硅片的接触面积，缩小遮光面积，提升电池效率，并能增大焊接窗口，降低成本。
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公开(公告)号：CN217293878U
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202220695542.5
申请日：2022-03-28
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
Abstract: 本实用新型涉及丝网印刷技术领域，公开一种用于太阳电池的丝网印刷设备，包括底座，底座安装有用于运送承印物的传送带，传送带的上方安装有丝网框架以及供承印物上印刷的浆料干燥的干燥腔；底座上安装有高度调节装置，高度调节装置连接丝网框架，以调节丝网框架的高度；丝网框架安装有能随其进行高度调节的移动组件，移动组件连接有刮刀组，以使刮刀组能沿丝网框架进行平移；刮刀组包括可转动连接于移动组件的传动件、连接传动件的驱动件以及固定连接于传动件的外侧壁且间隔布置的至少两个刮刀，印刷时，刮刀的下端刀口位于丝网框架的印刷丝网上。该丝网印刷设备能加速浆料干燥，还能快速、灵活地对多个刮刀进行切换，能提高印刷效率和印刷品质。
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