公开(公告)号：CN114649475B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202210270381.X

申请日：2022-03-18

Applicant: 济南大学

Inventor： 李阳 ,  王娅琪 ,  徐蕾 ,  王文晓 ,  张春伟 ,  岳文静 ,  高嵩 ,  阚皞

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本公开提供了一种数字识别忆阻器及其制备方法，所述数字识别忆阻器包括：底电极、介质层和顶电极；其中，所述介质层位于所述底电极和顶电极之间，所述介质层为氧化锌纳米颗粒与氧化铜纳米线构成的异质结，所述氧化锌纳米颗粒附着在所述氧化铜纳米线上，所述异质结作为氧空位聚集层，连接顶电极和底电极形成导电通路，使电导形成渐变过程，表现出突触特性。与现有多用于存储型的忆阻器相比，本公开所述方案具有的制备简单，微观形貌特殊，具有模拟人脑突触的功能，实现于手写体数字识别，制备的忆阻器在神经形态计算中发挥了巨大的潜力，为未来的新兴计算机体系提供了基础。

公开(公告)号：CN114649475A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202210270381.X

申请日：2022-03-18

Applicant: 济南大学

Inventor： 李阳 ,  王娅琪 ,  徐蕾 ,  王文晓 ,  张春伟 ,  岳文静 ,  高嵩 ,  阚皞

IPC: H01L45/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本公开提供了一种数字识别忆阻器及其制备方法，所述数字识别忆阻器包括：底电极、介质层和顶电极；其中，所述介质层位于所述底电极和顶电极之间，所述介质层为氧化锌纳米颗粒与氧化铜纳米线构成的异质结，所述氧化锌纳米颗粒附着在所述氧化铜纳米线上，所述异质结作为氧空位聚集层，连接顶电极和底电极形成导电通路，使电导形成渐变过程，表现出突触特性。与现有多用于存储型的忆阻器相比，本公开所述方案具有的制备简单，微观形貌特殊，具有模拟人脑突触的功能，实现于手写体数字识别，制备的忆阻器在神经形态计算中发挥了巨大的潜力，为未来的新兴计算机体系提供了基础。