公开(公告)号：CN114649475A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202210270381.X

申请日：2022-03-18

Applicant: 济南大学

Inventor： 李阳 ,  王娅琪 ,  徐蕾 ,  王文晓 ,  张春伟 ,  岳文静 ,  高嵩 ,  阚皞

IPC: H01L45/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本公开提供了一种数字识别忆阻器及其制备方法，所述数字识别忆阻器包括：底电极、介质层和顶电极；其中，所述介质层位于所述底电极和顶电极之间，所述介质层为氧化锌纳米颗粒与氧化铜纳米线构成的异质结，所述氧化锌纳米颗粒附着在所述氧化铜纳米线上，所述异质结作为氧空位聚集层，连接顶电极和底电极形成导电通路，使电导形成渐变过程，表现出突触特性。与现有多用于存储型的忆阻器相比，本公开所述方案具有的制备简单，微观形貌特殊，具有模拟人脑突触的功能，实现于手写体数字识别，制备的忆阻器在神经形态计算中发挥了巨大的潜力，为未来的新兴计算机体系提供了基础。

公开(公告)号：CN110504357A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910791592.6

申请日：2019-08-26

Applicant: 济南大学

Inventor： 陈月辉 ,  王文晓 ,  李阳 ,  岳文静 ,  高嵩

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/18 ,  C23C14/20 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明涉及阻变存储器技术领域，尤其涉及一种基于氧化锌量子点的多值阻变存储器及其制备方法和应用。所述多值阻变存储器包括：底电极、PMMA层、ZnO QDs层和顶电极；其中，所述PMMA层和ZnO QDs层交替设置后夹在底电极和顶电极之间，且所述ZnO QDs为纳米级颗粒，其分布在PMMA层表面；所述PMMA层的主要作为电荷阻挡层；所述ZnO QDs层的主要作为电子俘获与脱陷中心层。相比于现有的RRAM，本发明的制备方法简单，展现出的低操作电压与无需电激活的特性有利于降低器件的功耗，而且通过调控施加在器件上的限制电流实现了多值存储，制备的器件在高密度低功耗存储中展现出了巨大的应用潜力。

公开(公告)号：CN109768160B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201910063212.7

申请日：2019-01-23

Applicant: 济南大学

Inventor： 李阳 ,  王文晓 ,  岳文静 ,  张春伟

IPC: H10N70/20

Abstract: 本发明涉及一种二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器及其制备方法，属于忆阻器技术领域。所述忆阻器为MIM形式结构，其结构从下至上依次为：底电极、二硫化钼/硫化锌双层薄膜功能层、顶电极。本发明的这种二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器具有MoS2/ZnS界面，其在施加偏压下，硫空位能够容易地从MoS2漂移到ZnS中，形成硫空位导电通道，使器件进入低阻态；当施加相反偏压时，硫空位重新漂移回到MoS2，导电通道断裂，使器件回到高阻态，同时，本发明采用的惰性电极阻止了硫空位进入顶电极，大幅度改善了忆阻器的重复性。

公开(公告)号：CN109768160A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201910063212.7

申请日：2019-01-23

Applicant: 济南大学

Inventor： 李阳 ,  王文晓 ,  岳文静 ,  张春伟

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及一种二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器及其制备方法，属于忆阻器技术领域。所述忆阻器为MIM形式结构，其结构从下至上依次为：底电极、二硫化钼/硫化锌双层薄膜功能层、顶电极。本发明的这种二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器具有MoS2/ZnS界面，其在施加偏压下，硫空位能够容易地从MoS2漂移到ZnS中，形成硫空位导电通道，使器件进入低阻态；当施加相反偏压时，硫空位重新漂移回到MoS2，导电通道断裂，使器件回到高阻态，同时，本发明采用的惰性电极阻止了硫空位进入顶电极，大幅度改善了忆阻器的重复性。

公开(公告)号：CN114649475B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202210270381.X

申请日：2022-03-18

Applicant: 济南大学

Inventor： 李阳 ,  王娅琪 ,  徐蕾 ,  王文晓 ,  张春伟 ,  岳文静 ,  高嵩 ,  阚皞

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本公开提供了一种数字识别忆阻器及其制备方法，所述数字识别忆阻器包括：底电极、介质层和顶电极；其中，所述介质层位于所述底电极和顶电极之间，所述介质层为氧化锌纳米颗粒与氧化铜纳米线构成的异质结，所述氧化锌纳米颗粒附着在所述氧化铜纳米线上，所述异质结作为氧空位聚集层，连接顶电极和底电极形成导电通路，使电导形成渐变过程，表现出突触特性。与现有多用于存储型的忆阻器相比，本公开所述方案具有的制备简单，微观形貌特殊，具有模拟人脑突触的功能，实现于手写体数字识别，制备的忆阻器在神经形态计算中发挥了巨大的潜力，为未来的新兴计算机体系提供了基础。

公开(公告)号：CN110504357B

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN201910791592.6

申请日：2019-08-26

Applicant: 济南大学

Inventor： 李阳 ,  王文晓 ,  陈月辉 ,  岳文静 ,  高嵩

IPC: H10B63/00 ,  C23C14/18 ,  C23C14/20 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明涉及阻变存储器技术领域，尤其涉及一种基于氧化锌量子点的多值阻变存储器及其制备方法和应用。所述多值阻变存储器包括：底电极、PMMA层、ZnO QDs层和顶电极；其中，所述PMMA层和ZnO QDs层交替设置后夹在底电极和顶电极之间，且所述ZnO QDs为纳米级颗粒，其分布在PMMA层表面；所述PMMA层的主要作为电荷阻挡层；所述ZnO QDs层的主要作为电子俘获与脱陷中心层。相比于现有的RRAM，本发明的制备方法简单，展现出的低操作电压与无需电激活的特性有利于降低器件的功耗，而且通过调控施加在器件上的限制电流实现了多值存储，制备的器件在高密度低功耗存储中展现出了巨大的应用潜力。