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公开(公告)号：CN116931367B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311196005.1
申请日：2023-09-18
申请人： 济南量子技术研究院
摘要： 本发明涉及一种铌酸锂薄膜脊型波导调制器及其制备方法，该方法包括：提供一铌酸锂薄膜晶圆；在薄膜上涂覆光刻胶和导电胶；进行电子束曝光处理，在所述光刻胶中形成金属标记凹槽、第一波导凹槽和第二波导凹槽；显影处理；金属电镀处理，在相应凹槽中生成金属标记和波导结构硬掩膜；利用掩膜对薄膜进行刻蚀得到第一、第二波导；去除波导结构硬掩膜，然后涂覆导电胶，以金属标记为套刻标记进行曝光、显影处理，电镀处理分别形成三个金属电极，得到脊型波导；沉积保护层以及在脊型波导上耦合光纤，得到铌酸锂薄膜脊型波导调制器。本发明只需一步套刻法，就能制备出调制器，支持使用成本相对低很多的普通曝光胶，大大降低工艺复杂度和成本、更节能。
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公开(公告)号：CN116953850A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311203319.X
申请日：2023-09-19
申请人： 济南量子技术研究院
摘要： 本发明适用于光通信器件微纳加工技术领域，尤其涉及一种铌酸锂薄膜波导器件及其制备方法。方法包括：提供铌酸锂薄膜晶圆；在铌酸锂薄膜晶圆上涂电子束光刻胶，电子束光刻胶包括正胶；将涂电子束光刻胶的铌酸锂薄膜晶圆经过电子束曝光、显影、镀膜、剥离工艺，得到标记以及波导结构硬掩膜；镀膜工艺包括镀金属，标记以及波导结构硬掩膜均为金属材料；对标记保护后，利用波导结构硬掩膜，通过刻蚀工艺对铌酸锂薄膜进行刻蚀，并经过清洗后得到带有标记的铌酸锂薄膜波导结构；通过带有标记的铌酸锂薄膜波导结构得到铌酸锂薄膜波导器件。本发明提高了分辨率和套刻精度，降低了套刻误差。
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公开(公告)号：CN114911292B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210544206.5
申请日：2022-05-18
申请人： 济南量子技术研究院
IPC分类号： G05D23/24
摘要： 本发明适用于量子探测和量子通信技术领域，尤其涉及一种波导温度控制方法及系统。方法包括：获取波导正常工作后波导的工作温度和探测器计数率；若探测器计数率的变化率超出变化率设定范围，则控制波导的工作温度在当前工作温度的第一温度设定范围内扫描；找出第一温度设定范围内，探测器计数率最大时对应的第一温度，将所述第一温度作为波导的最佳工作温度；以最佳工作温度控制波导温度。本发明控制精确，而且更加高效，同时该方法应用于阵列相机等多通道场合，可节省大量的人工成本且可避免人为误差。
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公开(公告)号：CN118550108A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202310186798.2
申请日：2023-02-25
申请人： 济南量子技术研究院
摘要： 本发明公开了一种高速X切铌酸锂调制器，其中，射频电极区域中的光波导靠近电极火线一侧，且在光波导和射频电极之间设有缓冲层，而偏置电极区域中的光波导位于地线和火线之间，但在光波导和偏置电极之间不设置缓冲层，由此在不影响带宽的前提下，有效降低射频和偏置半波电压。此外，还在调制器的MZ结构光波导中引入分段设计，使光波导的两臂在射频段和偏置段中具有不同间距，从而有效降低半波电压。因此，本发明可以在不引入新工艺的情况下减低调制器的半波电压，有利于批量生产大带宽、低半波电压的铌酸锂高速调制器。
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公开(公告)号：CN115469497A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211116638.2
申请日：2022-09-14
申请人： 济南量子技术研究院
摘要： 本申请适用于量子技术领域，涉及一种双路周期极化波导的量子纠缠源。该量子纠缠源包括第一路PPLN波导和第二路PPLN波导构成的波导装置，以及第一准直器、第二准直器、半波片、全透片和光束偏移器构成的纠缠装置，PPLN波导均连接光源，两路PPLN波导的参数相同，使两路PPLN波导输出具有相同参数的光子对，两个准直器的光路平行设置且参数相同，并分别连接一路PPLN波导的输出端，两个准直器的另一端分别覆盖半波片和全透片，透过半波片和全透片的光子同时进入光束偏移器，光束偏移器用于将两路光子对聚合后形成干涉并输出，使得两路光子能够形成纠缠，使用PPLN波导提高了光子的转换效率，提高了纠缠源的亮度和对比度。
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公开(公告)号：CN116953850B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311203319.X
申请日：2023-09-19
申请人： 济南量子技术研究院
摘要： 本发明适用于光通信器件微纳加工技术领域，尤其涉及一种铌酸锂薄膜波导器件及其制备方法。方法包括：提供铌酸锂薄膜晶圆；在铌酸锂薄膜晶圆上涂电子束光刻胶，电子束光刻胶包括正胶；将涂电子束光刻胶的铌酸锂薄膜晶圆经过电子束曝光、显影、镀膜、剥离工艺，得到标记以及波导结构硬掩膜；镀膜工艺包括镀金属，标记以及波导结构硬掩膜均为金属材料；对标记保护后，利用波导结构硬掩膜，通过刻蚀工艺对铌酸锂薄膜进行刻蚀，并经过清洗后得到带有标记的铌酸锂薄膜波导结构；通过带有标记的铌酸锂薄膜波导结构得到铌酸锂薄膜波导器件。本发明提高了分辨率和套刻精度，降低了套刻误差。
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公开(公告)号：CN114362829B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202111571781.6
申请日：2021-12-21
申请人： 济南量子技术研究院
IPC分类号： H04B10/532 , H04B10/548 , H04B10/25 , H04J14/02
摘要： 本发明提出了一种基于周期性极化铌酸锂(PPLN)波导实现信号光偏振无关的频率转换方法和器件，以及由此实现的单光子探测器。其中，通过在同一PPLN波导芯片上形成两种正交偏振光的极化区，使得允许只使用单通道波导即可实现不同正交输入偏振光的转换效率适配。
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公开(公告)号：CN116931367A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311196005.1
申请日：2023-09-18
申请人： 济南量子技术研究院
摘要： 本发明涉及一种铌酸锂薄膜脊型波导调制器及其制备方法，该方法包括：提供一铌酸锂薄膜晶圆；在薄膜上涂覆光刻胶和导电胶；进行电子束曝光处理，在所述光刻胶中形成金属标记凹槽、第一波导凹槽和第二波导凹槽；显影处理；金属电镀处理，在相应凹槽中生成金属标记和波导结构硬掩膜；利用掩膜对薄膜进行刻蚀得到第一、第二波导；去除波导结构硬掩膜，然后涂覆导电胶，以金属标记为套刻标记进行曝光、显影处理，电镀处理分别形成三个金属电极，得到脊型波导；沉积保护层以及在脊型波导上耦合光纤，得到铌酸锂薄膜脊型波导调制器。本发明只需一步套刻法，就能制备出调制器，支持使用成本相对低很多的普通曝光胶，大大降低工艺复杂度和成本、更节能。
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公开(公告)号：CN115390335A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211354058.7
申请日：2022-11-01
申请人： 济南量子技术研究院
摘要： 本发明适用于量子物理技术领域，尤其涉及一种量子纠缠源的补偿装置。补偿装置包括双折射晶体；双折射晶体的一端用于连接波导模块的输出端，以对波导模块输出的关联的光子对进行色散补偿，并且对补偿后的光子对进行干涉，形成纠缠态经过双折射晶体的另一端输出；双折射晶体的长度根据第二PPLN波导的长度，结合经过第二PPLN波导后参量光的双光子态总相位与经过补偿晶体后引入参量光的双光子态总相位相等的原理计算得到。本发明大大的增加了单路双波导纠缠源的对比度和亮度，同时本发明采用一个双折射晶体实现了补偿，减小了补偿装置的体积，使得补偿装置可以集成化设置，提高了纠缠源的稳定性。
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公开(公告)号：CN115657395A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211343560.8
申请日：2022-10-31
申请人： 济南量子技术研究院
摘要： 本申请涉及一种片上单周期极化薄膜铌酸锂波导的量子纠缠源。该量子纠缠源包括两个光源、片上PPLN波导和片上合束器，片上PPLN波导的一端连接一光源，通过模式翻转器连接片上合束器的第一输入端，其另一端连接另一光源和片上合束器的第二输入端，一光源通过片上PPLN波导进行SPDC转换后的光子对进入第二输入端，另一光源通过片上PPLN波导进行SPDC转换后的光子对进入模式翻转器进行模式翻转，并在翻转后进入第一输入端，通过控制两个光源，对进入的光子对进行相位补偿，并将相位补偿后的光子对聚合后形成干涉并输出，通过一个片上PPLN波导，形成两路的光子对进行纠缠输出，无需考虑波导一致性的问题，设计更加简单，可以缩小纠缠源的体积。
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