公开(公告)号：CN113871556B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202111133427.5

申请日：2021-09-27

申请人： 浙江大学

发明人： 徐宠恩 ,  田顺 ,  连亚霄 ,  狄大卫 ,  赵保丹

IPC分类号： H01L51/56 ,  H01L51/54 ,  C07C257/12 ,  C07C213/00 ,  C07C217/58

摘要： 本发明涉及半导体器件中钙钛矿薄膜的制备方法，涉及半导体器件，包括提供一半导体衬底，半导体衬底上形成有界面层；提供钙钛矿前驱体溶液，其中钙钛矿前驱体溶液为在CsPbBr3基础上添加了A位阳离子和/或有机阳离子分子形成的溶液，并采用所述钙钛矿前驱体溶液在界面层上直接形成一层钙钛矿薄膜层，以实现高平整与低针孔的钙钛矿薄膜，进而提高光电器件的性能。

公开(公告)号：CN113161499A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110392494.2

申请日：2021-04-13

申请人： 浙江大学

发明人： 狄大卫 ,  徐宠恩 ,  田顺 ,  连亚霄 ,  赵保丹

IPC分类号： H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H01L51/54

摘要： 本发明涉及光电器件，涉及半导体器件，光电器件的单个发光像素点或有效工作区域的特征尺寸小于等于500微米，包括：半导体衬底，其第一部分区域上形成有第一传输层，位于第一部分区域周围的第二部分区域上形成有第一层绝缘层，并在第一层绝缘层上形成有第一传输层；第一传输层上形成有一层界面层；界面层上形成有一层包含钙钛矿材料的发光材料层；第二部分区域内的发光材料层上及第一部分区域内的临近第二部分区域侧的发光材料层上形成有第二层绝缘层，以实现单个发光像素点或有效工作区域的特征尺寸可调，且其制备成本低、工艺复杂度低、器件光谱纯度高，可有效解决小型与微型光电器件外量子效率低、亮度低和漏电流大的问题。

公开(公告)号：CN113161499B

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202110392494.2

申请日：2021-04-13

申请人： 浙江大学

发明人： 狄大卫 ,  徐宠恩 ,  田顺 ,  连亚霄 ,  赵保丹

IPC分类号： H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H01L51/54

摘要： 本发明涉及光电器件，涉及半导体器件，光电器件的单个发光像素点或有效工作区域的特征尺寸小于等于500微米，包括：半导体衬底，其第一部分区域上形成有第一传输层，位于第一部分区域周围的第二部分区域上形成有第一层绝缘层，并在第一层绝缘层上形成有第一传输层；第一传输层上形成有一层界面层；界面层上形成有一层包含钙钛矿材料的发光材料层；第二部分区域内的发光材料层上及第一部分区域内的临近第二部分区域侧的发光材料层上形成有第二层绝缘层，以实现单个发光像素点或有效工作区域的特征尺寸可调，且其制备成本低、工艺复杂度低、器件光谱纯度高，可有效解决小型与微型光电器件外量子效率低、亮度低和漏电流大的问题。

公开(公告)号：CN113871556A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111133427.5

申请日：2021-09-27

申请人： 浙江大学

发明人： 徐宠恩 ,  田顺 ,  连亚霄 ,  狄大卫 ,  赵保丹

IPC分类号： H01L51/56 ,  H01L51/54 ,  C07C257/12 ,  C07C213/00 ,  C07C217/58

摘要： 本发明涉及半导体器件中钙钛矿薄膜的制备方法，涉及半导体器件，包括提供一半导体衬底，半导体衬底上形成有界面层；提供钙钛矿前驱体溶液，其中钙钛矿前驱体溶液为在CsPbBr3基础上添加了A位阳离子和/或有机阳离子分子形成的溶液，并采用所述钙钛矿前驱体溶液在界面层上直接形成一层钙钛矿薄膜层，以实现高平整与低针孔的钙钛矿薄膜，进而提高光电器件的性能。