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公开(公告)号：CN113880041B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202010636745.2
申请日：2020-07-03
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供一种微系统模组芯片嵌入式封装结构及封装方法，通过自上往下进行重新布线工艺的待封装芯片周围的光刻胶重新定形的方法，先在临时承载基底上制作重新布线结构，再将待封装芯片有芯片焊盘的一面与再布线结构上的电互连焊盘进行回流，之后再用厚膜光刻胶对待封装芯片的外层进行重新定形，最后将带有再布线结构的重新定形的待封装芯片扣到半导体基底的凹槽内，大大的减小了内埋芯片后硅空腔周边的剩余宽度，进而消除了悬空走线结构提高了模组整体的可靠性；避免了走线与芯片上的互连PAD偏离引起电互连失效，待封装芯片表面一次又一次承受强度较大的工艺及待封装芯片上表面的结构受到损坏等。
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公开(公告)号：CN113880041A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202010636745.2
申请日：2020-07-03
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供一种微系统模组芯片嵌入式封装结构及封装方法，通过自上往下进行重新布线工艺的待封装芯片周围的光刻胶重新定形的方法，先在临时承载基底上制作重新布线结构，再将待封装芯片有芯片焊盘的一面与再布线结构上的电互连焊盘进行回流，之后再用厚膜光刻胶对待封装芯片的外层进行重新定形，最后将带有再布线结构的重新定形的待封装芯片扣到半导体基底的凹槽内，大大的减小了内埋芯片后硅空腔周边的剩余宽度，进而消除了悬空走线结构提高了模组整体的可靠性；避免了走线与芯片上的互连PAD偏离引起电互连失效，待封装芯片表面一次又一次承受强度较大的工艺及待封装芯片上表面的结构受到损坏等。
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公开(公告)号：CN113880040A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202010635428.9
申请日：2020-07-03
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供一种微系统模组不同深度硅空腔的一次刻蚀方法，包括步骤：于半导体衬底上形成上下叠置的第一光刻胶层及第二光刻胶层，形成第一刻蚀开口及第二刻蚀开口，基于形成的光刻胶图形形成初始硅空腔，去除剩余第一光刻胶层，刻蚀形成第一深度硅空腔及第二深度硅空腔。通过上述方案，本发明在半导体基底上形成上下两层光刻胶层，即第一光刻胶层及第二光刻胶层，在一次刻蚀之前形成所有不同深度空腔的光刻胶图形，刻蚀过程中，通过更换刻蚀气氛与刻蚀能量等实现上一个深度的硅空腔刻蚀与下一个深度硅空腔刻蚀前表面光胶的清洗，从而实现不同深度硅空腔的一次刻蚀，避免了深硅空腔上涂胶时光刻胶覆盖性差的问题，同时也提高了工作效率，减少污染。
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