公开(公告)号：CN102623450B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201210091687.5

申请日：2012-03-30

申请人： 浙江大学

发明人： 董树荣 ,  曾杰 ,  吴健 ,  钟雷 ,  韩雁

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 本发明公开了一种基于场限环可控硅结构的瞬态电压抑制器，包括：P衬底层；P衬底层上设有并排相连的N阱和P阱；N阱上嵌有第一N+有源注入区和第一P+有源注入区；P阱上嵌有第二P+有源注入区和第二N+有源注入区；由N阱和P阱构成的阱层上且位于第一P+有源注入区与第二N+有源注入区之间嵌有一个或两个电流阻挡区。本发明通过在阱上嵌入与阱的导电类型相反的有源注入区，可以在阱的表面形成耗尽层，将电流引向器件的内部；这样的设计可以防止ESD电流在表面某处过于集中，而导致器件过早失效，提升了器件的鲁棒性。

公开(公告)号：CN102856323A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210341652.2

申请日：2012-09-14

申请人： 浙江大学

发明人： 董树荣 ,  曾杰 ,  吴健 ,  钟雷 ,  戴一思

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 本发明公开了一种瞬态电压抑制器，包括P衬底；P衬底上嵌设有N阱、第一N+有源注入区和第一P+有源注入区；N阱上嵌设有第二N+有源注入区和第二P+有源注入区；P衬底与N阱的交界处嵌设有第三N+有源注入区；第一N+有源注入区与第三N+有源注入区之间的P衬底上设有栅区，第二N+有源注入区通过金属线引出作为瞬态电压抑制器的阳极，栅区通过金属线与第一N+有源注入区和第一P+有源注入区相连并引出作为瞬态电压抑制器的阴极。本发明瞬态电压抑制器具备相对较低的触发电压，相对较高的维持电压，回滞很小，ESD导通能力很强，具有较强的ESD防护能力。

公开(公告)号：CN102623450A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210091687.5

申请日：2012-03-30

申请人： 浙江大学

发明人： 董树荣 ,  曾杰 ,  吴健 ,  钟雷 ,  韩雁

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 本发明公开了一种基于场限环可控硅结构的瞬态电压抑制器，包括：P衬底层；P衬底层上设有并排相连的N阱和P阱；N阱上嵌有第一N+有源注入区和第一P+有源注入区；P阱上嵌有第二P+有源注入区和第二N+有源注入区；由N阱和P阱构成的阱层上且位于第一P+有源注入区与第二N+有源注入区之间嵌有一个或两个电流阻挡区。本发明通过在阱上嵌入与阱的导电类型相反的有源注入区，可以在阱的表面形成耗尽层，将电流引向器件的内部；这样的设计可以防止ESD电流在表面某处过于集中，而导致器件过早失效，提升了器件的鲁棒性。