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公开(公告)号：CN102569295B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201210060501.X
申请日：2012-03-09
申请人： 浙江大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明公开了一种基于电容辅助触发的双向可控硅器件，包括P衬底层；P衬底层上设有第一N阱、P阱和第二N阱；第一N阱上设有第一N+有源注入区、第一P+有源注入区和第二N+有源注入区；第二N阱上设有第三N+有源注入区、第二P+有源注入区和第四N+有源注入区；第三N+有源注入区连接有第一电容，第一电容的另一端与第一金属电极相连；第二N+有源注入区连接有第二电容，第二电容的另一端与第二金属电极相连。本发明可控硅器件利用电容作为辅助触发单元，使得器件具有可调且较低的正反向击穿电压，使得器件可适用于深亚微米工艺下的片上ESD防护，尤其可适用于一些混合电压接口电路或者不同电源域间的ESD防护应用。
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公开(公告)号：CN102544067B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201210060504.3
申请日：2012-03-09
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种基于NMOS管辅助触发的双向可控硅器件，包括P衬底层和四个NMOS管；P衬底层上设有第一N阱、P阱和第二N阱；第一N阱上设有第一N+有源注入区、第一P+有源注入区和第二N+有源注入区；第二N阱上设有第三N+有源注入区、第二P+有源注入区和第四N+有源注入区；第三N+有源注入区与第二NMOS管相连，第一NMOS管与第一金属电极相连；第二N+有源注入区与第三NMOS管相连，第四NMOS管与第二金属电极相连。本发明可控硅器件利用NMOS管作为辅助触发单元，使得器件具有可调且较低的正反向击穿电压，使得器件可适用于一些混合电压接口电路或者不同电源域间的ESD防护应用。
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公开(公告)号：CN102254911B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201110195355.7
申请日：2011-07-13
申请人： 浙江大学
CPC分类号： H01L29/87
摘要： 本发明公开了一种二极管辅助触发的具有二次导通路径的可控硅器件，通过优化可控硅与二极管的连接和布局，利用二极管串形成的寄生可控硅路径来实现二极管辅助触发的可控硅的二次导通，提高可控硅钳位电压时钳位点的电流值来避免闩锁效应的发生。本发明结构简单，电流均匀，器件强壮性好，稳定可靠。相比传统基于二极管和MOS管的ESD防护方案，本发明有着面积效率上的优势；相比传统二极管辅助触发的可控硅防护方案，本发明有着低闩锁风险的优势。
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公开(公告)号：CN102543963A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210028373.0
申请日：2012-02-09
申请人： 浙江大学
IPC分类号： H01L23/62
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种基于多级电流镜的ESD侦测箝位电路，包括RC延时电路；RC延时电路中的电容的一端连接有第二电流镜和第三电流镜，另一端连接有第一电流镜，第二电流镜分别与第一电流镜和第三电流镜相连。本发明通过多级电流镜原理将RC延时电路中RC节点处的位移电流放大，使得RC的阻值和容值大大降低，大大减少了RC版图的芯片占用面积，进而降低了相应的芯片成本。
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公开(公告)号：CN116943964A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310932147.3
申请日：2023-07-27
申请人： 浙江大学
IPC分类号： B05C5/02 , B05C11/10 , B05C11/00 , B25J11/00 , G06T7/00 , G06T7/77 , G06T1/00 , G06V10/762 , G06V10/82 , G01D21/02
摘要： 本发明公开了一种多功能涂胶机器人末端执行器。末端执行器的胶管夹装单元、气缸控制单元、装置位姿检测单元和视觉检测单元安装在底座上，执行器通过底座安装在工业机器人的末端；胶管夹装单元夹持胶管，胶管正对待涂胶工件。本发明末端执行器能实现自动换胶和控制，有效提高涂胶工作效率；采用压力闭环控制系统能够精确控制出胶量，提高涂胶质量；采用高速开关阀可以实现高效、精确、灵活的气动控制，使涂胶控制更加精确稳定；使用激光测距传感器和倾角传感器反馈位置关系，保证涂胶质量的准确性和一致性，更有效的对大尺寸易变形的工件进行涂胶工作；使用深度相机获取胶缝的位置信息，对涂胶路径规划进行修正和调整，提高涂胶的精确性和可靠性。
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公开(公告)号：CN102623450A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210091687.5
申请日：2012-03-30
申请人： 浙江大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明公开了一种基于场限环可控硅结构的瞬态电压抑制器，包括：P衬底层；P衬底层上设有并排相连的N阱和P阱；N阱上嵌有第一N+有源注入区和第一P+有源注入区；P阱上嵌有第二P+有源注入区和第二N+有源注入区；由N阱和P阱构成的阱层上且位于第一P+有源注入区与第二N+有源注入区之间嵌有一个或两个电流阻挡区。本发明通过在阱上嵌入与阱的导电类型相反的有源注入区，可以在阱的表面形成耗尽层，将电流引向器件的内部；这样的设计可以防止ESD电流在表面某处过于集中，而导致器件过早失效，提升了器件的鲁棒性。
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公开(公告)号：CN102569374A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210015046.1
申请日：2012-01-18
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种内嵌齐纳触发结构的可控硅器件，包括P-衬底层；P-衬底层上设有并排相连的N-阱和P-阱，N-阱与P-阱的接合处上设有第三N+有源注入区；N-阱上并排设有第一N+有源注入区和第一P+有源注入区；P-阱上并排设有第二P+有源注入区和第二N+有源注入区；第一N+有源注入区和第一P+有源注入区通过第一金属电极相连，第二P+有源注入区和第二N+有源注入区通过第二金属电极相连。本发明通过在可控硅器件中内嵌齐纳管结构，利用齐纳管作为辅助触发单元，可以进一步有效降低可控硅的触发电压，实现低触发电压的ESD防护，使得可控硅可直接应用于电源域为1.2～5V的深亚微米集成电路芯片的ESD防护。
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公开(公告)号：CN102569295A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210060501.X
申请日：2012-03-09
申请人： 浙江大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明公开了一种基于电容辅助触发的双向可控硅器件，包括P衬底层；P衬底层上设有第一N阱、P阱和第二N阱；第一N阱上设有第一N+有源注入区、第一P+有源注入区和第二N+有源注入区；第二N阱上设有第三N+有源注入区、第二P+有源注入区和第四N+有源注入区；第三N+有源注入区连接有第一电容，第一电容的另一端与第一金属电极相连；第二N+有源注入区连接有第二电容，第二电容的另一端与第二金属电极相连。本发明可控硅器件利用电容作为辅助触发单元，使得器件具有可调且较低的正反向击穿电压，使得器件可适用于深亚微米工艺下的片上ESD防护，尤其可适用于一些混合电压接口电路或者不同电源域间的ESD防护应用。
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公开(公告)号：CN102544085A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210060419.7
申请日：2012-03-09
申请人： 浙江大学
CPC分类号： H01L29/87
摘要： 本发明公开了一种基于PMOS管辅助触发的双向可控硅器件，包括P衬底层和四个PMOS管；P衬底层上设有第一N阱、P阱和第二N阱；第一N阱上设有第一N+有源注入区、第一P+有源注入区和第二N+有源注入区；第二N阱上设有第三N+有源注入区、第二P+有源注入区和第四N+有源注入区；第三N+有源注入区与第二PMOS管相连，第一PMOS管与第一金属电极相连；第二N+有源注入区与第三PMOS管相连，第四PMOS管与第二金属电极相连。本发明可控硅器件利用PMOS管作为辅助触发单元，使得器件具有可调且较低的正反向击穿电压，使得器件可适用于一些混合电压接口电路或者不同电源域间的ESD防护应用。
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公开(公告)号：CN102254912A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110195634.3
申请日：2011-07-13
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种内嵌P型MOS管辅助触发的可控硅器件，在第二P+注入区与第二N+注入区之间的P型衬底上，加入一块不接任何电位的第二N阱，可以有效地增加寄生NPN型三极管的纵向基区宽度。本发明利用内嵌P型MOS管的可控硅特有的低电压开启特性做到了可控硅的低电压开启，适用于大部分电路的ESD防护要求；同时，利用增加电位浮空N阱的方式做到了提高可控硅钳位电压的目的；此外，相比传统的单纯依靠拉伸三极管横向基区宽度的方法，本发明提供的可控硅器件面积上更有效率，更节省硅片面积与生产成本，是一种经济有效的低工作电压域电路ESD防护方案。本发明结构简单，电流均匀，器件强壮性好，稳定可靠。
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