一种基于纳米ZnO‑rGO复合材料的光电导型紫外探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN106601858A

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201611046887.3

    申请日:2016-11-23

    申请人: 浙江大学

    摘要: 本发明公开了一种基于纳米ZnO‑rGO复合材料的光电导型紫外探测器,该紫外探测器依次有低阻Si层、SiO2绝缘层、纳米ZnO‑rGO旋涂层和Al电极。其制备方法如下:先采用溶剂热法制备ZnO纳米颗粒,用APTES对ZnO纳米颗粒进行表面改性,再用水热法制备ZnO‑rGO复合物,然后将复合物溶液旋涂在Si/SiO2的SiO2面上,再在旋凃层表面镀上Al电极获得紫外探测器。相比基于纳米ZnO的紫外探测器,本发明的紫外探测器暗电流低,光电流、响应度、灵敏度都得到较大提升,且该方法制备的器件结构简单、方法简单易行、成本低、适合大面积制备,在军事、民用以及一些特殊领域有重要的应用价值和良好的应用前景。

    一种基于纳米ZnO-rGO复合材料的光电导型紫外探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN106601858B

    公开(公告)日:2018-03-06

    申请号:CN201611046887.3

    申请日:2016-11-23

    申请人: 浙江大学

    摘要: 本发明公开了一种基于纳米ZnO‑rGO复合材料的光电导型紫外探测器,该紫外探测器依次有低阻Si层、SiO2绝缘层、纳米ZnO‑rGO旋涂层和Al电极。其制备方法如下:先采用溶剂热法制备ZnO纳米颗粒,用APTES对ZnO纳米颗粒进行表面改性,再用水热法制备ZnO‑rGO复合物,然后将复合物溶液旋涂在Si/SiO2的SiO2面上,再在旋凃层表面镀上Al电极获得紫外探测器。相比基于纳米ZnO的紫外探测器,本发明的紫外探测器暗电流低,光电流、响应度、灵敏度都得到较大提升,且该方法制备的器件结构简单、方法简单易行、成本低、适合大面积制备,在军事、民用以及一些特殊领域有重要的应用价值和良好的应用前景。