一种基于应变介导精确调控磁斯格明子模态的装置和方法

    公开(公告)号:CN117440692A

    公开(公告)日:2024-01-23

    申请号:CN202311400323.5

    申请日:2023-10-26

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于应变介导精确调控磁斯格明子模态的装置和方法。该装置包括提供电压的面电极和电源,提供电致应变的压电材料层,提供产生斯格明子拓扑结构的重金属‑磁性材料层以及衬底层和外加的保护层。在压电材料层上下两面电极,通过施加脉冲电压,压电材料层产生应变,并传递到重金属‑磁性材料层,根据不同的脉冲电压产生不同的kπ斯格明子模态。本发明公开的方法利用该装置实现应变介导精确调控磁斯格明子模态。本发明能提高信息存储容量和存储密度,易于制备,能耗低,其小尺寸结构适用于电子器件的集成化,在存储器件、逻辑器件、类脑器件等领域具有潜在的应用前景。

    一种使磁斯格明子有序产生和定向运动的结构和方法

    公开(公告)号:CN117082960A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202311052303.3

    申请日:2023-08-21

    Abstract: 本发明公开了一种使磁斯格明子有序产生和定向运动的结构和方法。该结构包括提供电压的电源和线状电极,提供电致形变的压电材料层,提供绝缘功能的绝缘材料层,提供产生斯格明子拓扑结构的重金属‑磁性材料层。在压电材料层上下两面制备等间距线状电极,调控电压方向使压电材料层线状电极处产生垂直方向正负交替变换的幅值相同的形变,并传递到重金属‑磁性材料层。本发明公开的方法利用该结构实现磁斯格明子产生有序排列结构,并在驱动力作用下定向运动,有效对抗因斯格明子霍尔效应产生的横向偏转。本发明能提高信息读取速度和稳定性及存储容量,其小尺寸适用于电子器件的集成化,在存储器件、逻辑器件、类脑器件等领域具有潜在的应用前景。

    一种基于应变调控反铁磁频率梳的装置和方法

    公开(公告)号:CN118284313B

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN202410358566.5

    申请日:2024-03-27

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于应变调控反铁磁频率梳的装置和方法。该装置包括微波天线,磁场产生装置,面电极,电源,压电材料层,反铁磁材料层,探测元件和外加的保护层。微波天线可以在反铁磁材料上产生自旋波模式,磁场产生装置所施加的垂直磁场用于激发在薄膜中心区域钉扎的斯格明子呼吸模式。通过对面电极施加电压,在压电层产生形变,去调控斯格明子的尺寸和本征呼吸模式。自旋波与呼吸模式的耦合产生的散射波可被探测元件检测。通过信号处理绘制出磁频率梳及其齿间距的变化。本发明公开的方法是利用该装置实现应变调控反铁磁频率梳。本发明能实现太赫兹波段反铁磁频率梳的调控,填补调控方式的缺失,在太赫兹自旋电子器件中具有潜在的应用前景。

    一种基于应变调控反铁磁频率梳的装置和方法

    公开(公告)号:CN118284313A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202410358566.5

    申请日:2024-03-27

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于应变调控反铁磁频率梳的装置和方法。该装置包括微波天线,磁场产生装置,面电极,电源,压电材料层,反铁磁材料层,探测元件和外加的保护层。微波天线可以在反铁磁材料上产生自旋波模式,磁场产生装置所施加的垂直磁场用于激发在薄膜中心区域钉扎的斯格明子呼吸模式。通过对面电极施加电压,在压电层产生形变,去调控斯格明子的尺寸和本征呼吸模式。自旋波与呼吸模式的耦合产生的散射波可被探测元件检测。通过信号处理绘制出磁频率梳及其齿间距的变化。本发明公开的方法是利用该装置实现应变调控反铁磁频率梳。本发明能实现太赫兹波段反铁磁频率梳的调控,填补调控方式的缺失,在太赫兹自旋电子器件中具有潜在的应用前景。

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