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公开(公告)号：CN113378109A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110436350.2
申请日：2021-04-22
IPC: G06F17/14
Abstract: 本发明公开了一种基于存内计算的混合基快速傅里叶变换计算电路。存内计算阵列和电路中的存储模块相连接；地址生成模块和存储模块相连接，生成不同的地址数据控制存储模块中数据送入存内计算阵列中进行计算；数据流控制模块产生控制信号，通过与地址生成模块和存储模块的连接，控制整个系统中数据流的流动时序；存内计算阵列接收从存储模块中传入数据，经过计算后输出结果至存储模块中。本发明有效地利用存内计算低功耗和乘累加计算的特点，解决了传统快速傅里叶变换电路设计中高功耗，高延迟的技术问题。
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公开(公告)号：CN113378109B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202110436350.2
申请日：2021-04-22
IPC: G06F17/14
Abstract: 本发明公开了一种基于存内计算的混合基快速傅里叶变换计算电路。存内计算阵列和电路中的存储模块相连接；地址生成模块和存储模块相连接，生成不同的地址数据控制存储模块中数据送入存内计算阵列中进行计算；数据流控制模块产生控制信号，通过与地址生成模块和存储模块的连接，控制整个系统中数据流的流动时序；存内计算阵列接收从存储模块中传入数据，经过计算后输出结果至存储模块中。本发明有效地利用存内计算低功耗和乘累加计算的特点，解决了传统快速傅里叶变换电路设计中高功耗，高延迟的技术问题。
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公开(公告)号：CN110484951A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910740451.1
申请日：2019-08-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种采用在氮气气氛下高温煅烧来减小电沉积CuO电极带隙的方法。利用廉价的氮气气氛在管式炉可控高温温度下，对阳极恒电流电沉积制备所得CuO电极进行退火处理，经过紫外透射测试计算，500℃的氮气中退火的CuO电极的带隙最小，明显小于在氮气中500摄氏度以下的高温下退火电极的带隙。
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公开(公告)号：CN106637332A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611049774.9
申请日：2016-11-22
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种通过阳极氧化电沉积来制备阴极材料AgCuO2的方法。本发明的特点是以一种阳极电沉积的方法于氨水和Ag+、Cu2+分别络合的强碱性混合电解液中，在40℃水浴中进行恒电流电沉积，较短时间内就可得到沉积于ITO导电玻璃上的具有片状形貌的AgCuO2薄膜电极，后又对沉积得到的AgCuO2薄膜电极进行了X‑射线粉末衍射、场发射扫描电镜表征以及碱性溶液中放电实验的测试。本发明使用的原料成本低廉，设备简单，操作简便快速，同时具有环境友好等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102691071B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201210177981.8
申请日：2012-06-01
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种铁掺杂三氧化钨光电极的制备方法。包括如下步骤：1)无定形氧化钨薄膜的制备：以ITO导电玻璃为工作电极，铂片电极为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，置于电解液中进行电沉积，得到无定形氧化钨薄膜，晾干备用；2)浸渍法掺杂铁：将步骤1)所得无定形氧化钨薄膜置于0.005mol/L的Fe(NO3)3溶液中浸渍20~40分钟，得到铁掺杂氧化钨薄膜，取出后用蒸馏水冲洗，空气中晾干；3)煅烧：将步骤2)所得铁掺杂氧化钨薄膜置于马弗炉中，在450°C下高温煅烧3小时，冷却至室温后取出，得到铁掺杂三氧化钨光电极。本发明的光电转换效率和光电催化活性都显著提高，采用的实验设备简单，易于操作，所使用的原料在自然界丰富，且成本低廉，同时具有环境友好等优点。
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公开(公告)号：CN103774198A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410017632.9
申请日：2014-01-15
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种通过光助电沉积法在二氧化钛纳米管上制备稀土Eu掺杂CaF2薄膜的方法。本发明以一种光助电沉积的方法于乙二胺四乙酸钠和Ca2+、Eu3+分别络合的中性混合电解液中进行恒电位电沉积，于二氧化钛纳米管上得到具有球状形貌的稀土Eu掺杂CaF2薄膜电极，再把薄膜电极在空气氛围中煅烧，后又对不同阳极沉积电量下沉积得到的稀土Eu掺杂CaF2薄膜电极进行了模拟太阳光下的光电性能测试，考察了阳极沉积电量对稀土Eu掺杂CaF2薄膜电极光电性能的影响。本发明使用的原料成本低廉，设备简单，易于操作，同时具有环境友好等优点。
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公开(公告)号：CN103627394A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310503726.2
申请日：2013-10-24
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种通过阳极氧化电沉积制备β-NaGdF4:Yb3+,Er3+上转换荧光材料的方法。ITO导电玻璃预处理，得到干净的ITO导电玻璃；β-NaGdF4:Yb3+,Er3+薄膜电极制备，将EDTA与Gd(NO3)3、Yb(NO3)3·5H2O、Er(NO3)3常温络合后，加入NaF溶液，搅拌混匀，然后加入抗坏血酸钠，调节pH6.9-7.1得到电解液；阳极氧化电沉积；煅烧后得到β-NaGdF4:Yb3+,Er3+上转换荧光材料。本发明采用阳极氧化电沉积法制备出β-NaGdF4:Yb3+,Er3+薄膜，发光强度高，出峰尖锐，方便用于生物检测或太阳能电池。此外，该方法设备简单、操作方便、在常温常压下可进行，有望进行工业化生产。
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公开(公告)号：CN103436934A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310313455.4
申请日：2013-07-24
Applicant: 浙江大学
IPC: C25D9/08
Abstract: 本发明公开了一种通过阴极电沉积来制备ZnFe2O4的方法。本发明的特点是以一种阴极电沉积的方法于三乙醇胺和Fe3+、Zn2+分别络合的强碱性混合电解液中进行恒电位电沉积，沉积后的样品在Ar氛围中煅烧，于ITO导电玻璃上得到具有八面体形貌的尖晶石ZnFe2O4薄膜电极，后又对不同阴极沉积电压下沉积得到的ZnFe2O4薄膜电极进行了模拟太阳光下的光电性能测试。本发明使用的原料成本低廉，设备简单，易于操作，同时具有环境友好等优点。
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公开(公告)号：CN103088381A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310033459.7
申请日：2013-01-29
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种锌修饰三氧化钨薄膜光电极的制备方法，属于无机光电极材料制备领域。本发明的特点是以ITO导电玻璃为基底，采用电沉积的方法制备得到的无定形氧化钨薄膜为基体，通过浸渍法将锌均匀修饰在无定形的氧化钨薄膜上，然后在空气中经过一定温度的热处理后，得到一种新型锌修饰三氧化钨薄膜光电极材料。Zn修饰WO3后在WO3的表面形成了一层ZnO薄膜，由于ZnO的价带位置与WO3相比更负，当光照射到薄膜电极时，WO3价带上的光生空穴在电场力的作用下会流入ZnO的价带中，从而抑制了WO3光生电子和空穴的复合，达到了提高光电转换效率和光电催化能力的目的。本发明的优点在于：所制得的薄膜均匀，与基底附着性好，所采用的设备简单，易于操作，成本低，环境友好等。
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