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发明公开
一种兴奋-抑制神经形态晶体管、制作方法及工作方法审中-实审

公开(公告)号：CN115605021A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211266716.7

申请日：2022-10-17

申请人： 浙江大学(CN)

发明人： 陈安哲 , 俞滨 , 张亦舒 , 李菡茜 , 胡加杨

IPC分类号： H10B12/00 , G06N3/065

摘要： 本发明涉及半导体器件领域，特别涉及了一种兴奋‑抑制神经形态晶体管、制作方法及工作方法。本发明使用金属‑栅极电介质‑惰性电极构成易失性忆阻器，将易失性忆阻器和场效应管通过惰性电极耦合在一起，可以低成本的完成兴奋‑抑制神经形态晶体管器件的构建，总体形成一个结构紧凑的、可用于同时接受兴奋、抑制输入调控功能的兴奋‑抑制神经形态晶体管。本发明还包括具有多个漏极的兴奋‑抑制神经形态晶体管，可实现同时接受多端兴奋性刺激输入的调控。本发明所涉及的沟道层与惰性电极分别采用二维材料，实现对器件尺寸的极限缩微，使得兴奋‑抑制神经形态晶体管结构紧凑，具有强缩微性，同时降低器件的功耗。