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公开(公告)号：CN114411148B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202111641991.8
申请日：2021-12-29
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
IPC分类号： C23C28/00 , C23C14/24 , C23C14/16 , C23C14/54 , C23C16/30 , C23C16/52 , C23C14/08 , H01L21/02
摘要： 本发明提供了一种二维材料、二维材料合金以及二维材料异质结制备方法，属于二维材料制备的技术领域。通过热蒸发镀膜方法在硅片上制备金属薄膜或者金属氧化物薄膜作为前驱体薄膜，将镀有前驱体薄膜的硅片与衬底面对面放置于蒸发舟中，利用化学气相沉积方法硫化前驱体薄膜，在衬底上生长二维过渡金属硫族化物。通过改变前驱体薄膜的厚度、硅片与衬底面对面的间距，能够得到厚度和尺寸可控的二维材料。本发明提供的制备方法普遍适用于二维材料的生长，包括二维过渡金属硒族化物和二维过渡金属碲族化物，同时能够用于二维材料合金以及异质结构材料的制备，制备工艺简单且可重复性高，能够有效的改善二维材料生长过程中的可控性和稳定性。
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公开(公告)号：CN114411148A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111641991.8
申请日：2021-12-29
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
IPC分类号： C23C28/00 , C23C14/24 , C23C14/16 , C23C14/54 , C23C16/30 , C23C16/52 , C23C14/08 , H01L21/02
摘要： 本发明提供了一种二维材料、二维材料合金以及二维材料异质结制备方法，属于二维材料制备的技术领域。通过热蒸发镀膜方法在硅片上制备金属薄膜或者金属氧化物薄膜作为前驱体薄膜，将镀有前驱体薄膜的硅片与衬底面对面放置于蒸发舟中，利用化学气相沉积方法硫化前驱体薄膜，在衬底上生长二维过渡金属硫族化物。通过改变前驱体薄膜的厚度、硅片与衬底面对面的间距，能够得到厚度和尺寸可控的二维材料。本发明提供的制备方法普遍适用于二维材料的生长，包括二维过渡金属硒族化物和二维过渡金属碲族化物，同时能够用于二维材料合金以及异质结构材料的制备，制备工艺简单且可重复性高，能够有效的改善二维材料生长过程中的可控性和稳定性。
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公开(公告)号：CN114212824B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210165317.5
申请日：2022-02-23
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
IPC分类号： C01G39/06
摘要： 本发明属于二维层状材料制备的技术领域，提供了一种可控生长六角星形单层MoS2的方法。通过将粒径尺寸为40‑50 nm的MoO3粉末的乙醇分散液滴在放置于石墨槽底部的碳布表面，SiO2/Si衬底倒扣于石墨槽顶部，利用常压化学气相沉积技术，可大规模地合成六角星形单层MoS2。由于MoO3粉末粒径尺寸较小（40‑50 nm），可提供充足的形核位点，使用本发明提供的方法可以大规模地可控合成六角星形单层MoS2，在制作大规模基于二维层状材料的忆阻器件领域有应用前景。
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公开(公告)号：CN114212824A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202210165317.5
申请日：2022-02-23
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
IPC分类号： C01G39/06
摘要： 本发明属于二维层状材料制备的技术领域，提供了一种可控生长六角星形单层MoS2的方法。通过将粒径尺寸为40‑50 nm的MoO3粉末的乙醇分散液滴在放置于石墨槽底部的碳布表面，SiO2/Si衬底倒扣于石墨槽顶部，利用常压化学气相沉积技术，可大规模地合成六角星形单层MoS2。由于MoO3粉末粒径尺寸较小（40‑50 nm），可提供充足的形核位点，使用本发明提供的方法可以大规模地可控合成六角星形单层MoS2，在制作大规模基于二维层状材料的忆阻器件领域有应用前景。
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