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公开(公告)号：CN114858324B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210793775.3
申请日：2022-07-07
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
摘要： 一种碳化硅晶体的残余应力检测方法和系统，涉及碳化硅晶体的应力检测技术领域，包括以下步骤：计算具有不同应力下晶体的晶格常数对应关系，形成应力‑晶格常数对照表；获取角度θ，所述角度θ通过摇摆曲线测量，测得对应晶面衍射角，取衍射角峰位值为角度θ；根据晶面间距计算公式，以所述角度θ计算第二晶格常数；参照所述应力‑晶格常数对照表，以第二晶格常数获取对应的残余应力数值。本专利提出的残余应力检测方法从原理上不依赖晶体材料的任何实验参数，不需要预先知道材料的力学性质。
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公开(公告)号：CN114754910A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210350969.6
申请日：2022-04-02
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
IPC分类号： G01L1/24
摘要： 本发明涉及压力测量技术领域，公开了一种基于碳化硅拉曼信号的压力测量方法，包括以下步骤：提供碳化硅，将所述碳化硅放置在待测压力位置处；对位于所述待测压力位置处的所述碳化硅进行激光照射，形成拉曼信号；根据所述拉曼信号中的TO模或者LO模的峰位处的拉曼位移计算所述待测压力位置处的压力值。本发明基于TO模或者LO模的峰位处的拉曼位移计算所述待测压力位置处的压力值的压力测量方法，测量精度高，且更具有实践意义；且在变温情形下，碳化硅非常高的热导率能够降低误差，无须特殊的X射线防护，且无峰位重叠情况，压力计算更加准确。
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公开(公告)号：CN114324428A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111643917.X
申请日：2021-12-29
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
IPC分类号： G01N23/207 , C30B29/36 , C30B23/00
摘要： 本发明公开了一种原位监测物理气相沉积法生长单晶微观缺陷的方法，使用X射线衍射观测PVT生长炉，采用面探测器收集单晶散射的高能XRD信号，获得的XRD谱用于分析单晶的结晶度、应力与位错密度。本发明采用高能X射线原位监测PVT法生长单晶过程中的晶体缺陷产生过程和晶体质量分析；对PVT法生长单晶过程并无影响。
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公开(公告)号：CN116002634A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211709768.7
申请日：2022-12-29
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
摘要： 本发明涉及立方偏转结构聚合氮及其制备方法和应用。其中，立方偏转结构聚合氮的制备方法，包括以下步骤：提供金刚石对顶砧样品腔；向金刚石对顶砧样品腔中填充玻璃碳，然后降温至‑148℃以下，继续填充液氮，然后加压至100GPa以上，并加热至2100K以上，最后泄压至常压以及降温至常温，得到封装在金刚石中的立方偏转结构聚合氮。本发明制备方法制备的立方偏转结构聚合氮可实现在常温常压下稳定保存，且保存时间长。
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公开(公告)号：CN114858324A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210793775.3
申请日：2022-07-07
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
摘要： 一种碳化硅晶体的残余应力检测方法和系统，涉及碳化硅晶体的应力检测技术领域，包括以下步骤：计算具有不同应力下晶体的晶格常数对应关系，形成应力‑晶格常数对照表；获取角度θ，所述角度θ通过摇摆曲线测量，测得对应晶面衍射角，取衍射角峰位值为角度θ；根据晶面间距计算公式，以所述角度θ计算第二晶格常数；参照所述应力‑晶格常数对照表，以第二晶格常数获取对应的残余应力数值。本专利提出的残余应力检测方法从原理上不依赖晶体材料的任何实验参数，不需要预先知道材料的力学性质。
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公开(公告)号：CN218297826U
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202221938327.X
申请日：2022-07-26
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心(CN)
摘要： 动态加载装置，涉及压力测试技术领域，包括装置本体、对顶砧、电致伸缩传感器与紧固组件，所述装置本体与所述对顶砧连接，所述对顶砧与所述电致伸缩传感器连接，所述装置本体与所述紧固组件连接，所述紧固组件与所述电致伸缩传感器连接，所述对顶砧设置在所述装置本体内，所述电致伸缩传感器也设置在所述装置本体内。本实用新型通过电致伸缩传感器，实现压力的动态加载，减少了电压循环变化时伸长量的滞后，可以多次重复试验，提高了装置试验的准确性。
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