公开(公告)号：CN116387141B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310664916.6

申请日：2023-06-07

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 王蓉 ,  刘晓双 ,  皮孝东 ,  钱怡潇 ,  陈方远 ,  王万堂 ,  杨德仁

IPC: H01L21/263 ,  H01L21/324 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种低裂纹碳化硅晶圆制备方法及碳化硅晶圆，包括：具有裂纹的待加工碳化硅晶圆进行粒子辐照形成空位，再进行退火，退火工艺中溢出的硅原子与氧气反应生成具有粘性流动的二氧化硅，并且所述空位层中的原子借助空位的长程传输，在所述二氧化硅和所述原子的长程传输的共同作用下，填充待加工碳化硅晶圆表面的裂纹，形成自愈合层，最后通过研磨和抛光，获得低裂纹碳化硅晶圆。本发明采用粒子辐照先在待加工碳化硅晶圆的表面至内部一定深度位置形成空位，在后续退火工艺，形成自愈合层，自愈合层阻止了裂纹在后续的研磨和抛光工艺中向待加工碳化硅晶圆内部延伸以及裂纹之间的耦合，最终得到低裂纹的碳化硅晶圆。

公开(公告)号：CN116387141A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310664916.6

申请日：2023-06-07

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 王蓉 ,  刘晓双 ,  皮孝东 ,  钱怡潇 ,  陈方远 ,  王万堂 ,  杨德仁

IPC: H01L21/263 ,  H01L21/324 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种低裂纹碳化硅晶圆制备方法及碳化硅晶圆，包括：具有裂纹的待加工碳化硅晶圆进行粒子辐照形成空位，再进行退火，退火工艺中溢出的硅原子与氧气反应生成具有粘性流动的二氧化硅，并且所述空位层中的原子借助空位的长程传输，在所述二氧化硅和所述原子的长程传输的共同作用下，填充待加工碳化硅晶圆表面的裂纹，形成自愈合层，最后通过研磨和抛光，获得低裂纹碳化硅晶圆。本发明采用粒子辐照先在待加工碳化硅晶圆的表面至内部一定深度位置形成空位，在后续退火工艺，形成自愈合层，自愈合层阻止了裂纹在后续的研磨和抛光工艺中向待加工碳化硅晶圆内部延伸以及裂纹之间的耦合，最终得到低裂纹的碳化硅晶圆。