公开(公告)号：CN115036381B

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202210580755.8

申请日：2022-05-25

申请人： 浙江晶盛光子科技有限公司

发明人： 王树林 ,  曹建伟

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

摘要： 本发明实施例提供了一种P型硅背接触电池和制备方法，属于硅片电池制备技术领域，电池包括：Si衬底，所述Si衬底具体为P型Si衬底；所述Si衬底的反面间隔设置有若干段磷扩散层，且相邻段的磷扩散层之间留设有一空白区；第一掺杂硅层，所述第一掺杂硅层设置有若干段，若干段第一掺杂硅层逐一设置在若干段的磷扩散层上；且所述第一掺杂硅层上方的磷扩散层和Si衬底形成一PN结；第二掺杂硅层，所述第二掺杂硅层设置有若干段，若干段第二掺杂硅层设置在若干个空白区内；以及电极，所述电极设置有若干个，且若干个电极分别电性连接在第一掺杂硅层和第二掺杂硅层上；达到提高P型背接触电池转换效率的技术效果。

公开(公告)号：CN114855271B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202210428945.8

申请日：2022-04-22

申请人： 浙江晶盛光子科技有限公司

发明人： 王树林 ,  曹建伟

IPC分类号： C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  C30B25/08

摘要： 本申请涉及外延生长装置，外延生长装置包括炉体，炉体设有反应腔，反应腔内分别设有水平设置的第一反应基座和第二反应基座，第一反应基座和第二反应基座沿着水平方向间隔设置。炉体还设有分别连通反应腔的第一进气部、第二进气部和出气部，第一反应基座设于第一进气部和出气部之间，第二反应基座设于第二进气部和出气部之间；反应介质能够分别通过第一进气部和第二进气部进入反应腔，并通过出气部离开反应腔。本申请提供的外延生长装置，解决了现有的外延炉的外延层产出效率过低的问题。