-
公开(公告)号：CN118610312A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410808474.2
申请日：2024-06-20
申请人： 浙江晶盛光子科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种钝化晶舟和钝化装置，属于钝化设备技术领域，用于钝化电池片的待钝化面，钝化晶舟包括：舟托，舟托的容置腔包括：钝化通道，用以通过钝化气流；小舟容置区，小舟容置区设置有若干个；若干个小舟容置区随钝化气流的运动路线设置在钝化通道的外侧，且若干个小舟容置区围绕钝化通道；和小舟，小舟设置在小舟容置区中；小舟包括舟主体，舟主体设置有一带敞口端面的电池片仓；其中，每个小舟容置区容置若干个小舟，所有小舟容置区中的小舟的敞口端面朝向钝化通道，且待钝化面位于敞口端面处，使得钝化通道的钝化气流作用在电池片的待钝化面上；达到电池片批量钝化均匀的技术效果。
-
公开(公告)号：CN117380663A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311480129.2
申请日：2023-11-07
申请人： 浙江晶盛光子科技有限公司
IPC分类号： B08B7/00
摘要： 本发明公开了一种载片舟清洗装置，属于硅片生产技术领域。载片舟清洗装置包括内壳、外壳和密封组件，所述内壳置于所述外壳内，所述外壳具有第一开口，所述内壳具有反应腔以及与所述反应腔连通的第二开口，待清洗的载片舟在所述反应腔内被清洁气体清洗；所述密封组件包括第一密封件和第二密封件，所述第一密封件用于密封所述第一开口，所述第二密封件用于密封所述第二开口。本发明实施例的载片舟清洗装置具有清洗效率高，采用双腔设计，利用外壳保护内壳，保证内壳的反应腔正常工作；通过密封组件来封堵第一开口和第二开口，达到双重密封的效果，提高了载片舟清洗装置的密封性，避免清洗气体逸出等优点。
-
公开(公告)号：CN117374163A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311548386.5
申请日：2023-11-20
申请人： 浙江晶盛光子科技有限公司
摘要： 本发明属于光伏技术领域，公开了开合装置、炉门以及开合装置用安装调试方法。开合装置包括安装框、第一驱动组件以及第二驱动组件。安装框能沿第一方向滑动，安装框包括两个相对设置的安装架，每个安装架上均沿第二方向滑动连接有连接件，连接件用于与炉门固定连接，第一方向为靠近或远离炉体的方向，第二方向垂直于第一方向；第一驱动组件与安装框连接以驱动安装框沿所述第一方向滑动；第二驱动组件设置于安装框并与连接件连接，以驱动连接件沿第二方向滑动。以此该开合装置在使用时，不仅可以确保操作人员远离炉腔，降低高温对操作人员造成干扰甚至伤害的可能性，同时能够避免炉门在移动过程中与其他结构发生干涉。
-
公开(公告)号：CN117259345A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311472598.X
申请日：2023-11-07
申请人： 浙江晶盛光子科技有限公司
IPC分类号： B08B7/00
摘要： 本发明提供了一种石墨舟清洗方法及使用该方法的清洗装置，所述清洗方法包括：对石墨舟所在的反应空间进行加热，加热过程设置至少3个梯度的温度区域；对石墨舟所在的反应空间输送反应气体，反应气体沿温度区域变化方向流动，且相邻的温度区域的温度沿反应气体的流动方向依次升高。本发明提供的清洗方法具清洗效果好，清洗完全，清洗均匀性高，清洗效率高，气体利用率高的优点。
-
公开(公告)号：CN115036381B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202210580755.8
申请日：2022-05-25
申请人： 浙江晶盛光子科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明实施例提供了一种P型硅背接触电池和制备方法，属于硅片电池制备技术领域，电池包括：Si衬底，所述Si衬底具体为P型Si衬底；所述Si衬底的反面间隔设置有若干段磷扩散层，且相邻段的磷扩散层之间留设有一空白区；第一掺杂硅层，所述第一掺杂硅层设置有若干段，若干段第一掺杂硅层逐一设置在若干段的磷扩散层上；且所述第一掺杂硅层上方的磷扩散层和Si衬底形成一PN结；第二掺杂硅层，所述第二掺杂硅层设置有若干段，若干段第二掺杂硅层设置在若干个空白区内；以及电极，所述电极设置有若干个，且若干个电极分别电性连接在第一掺杂硅层和第二掺杂硅层上；达到提高P型背接触电池转换效率的技术效果。
-
公开(公告)号：CN117542923A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311604186.7
申请日：2023-11-28
申请人： 浙江晶盛光子科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/677
摘要： 本发明公开了一种软着陆承载座、搬运推舟装置和调平方法，属于光伏设备技术领域。本软着陆承载座软着陆承载座包括框架，所述框架用于安装推舟组件；四组升降组件，设置于所述框架的四周，每组所述升降组件包括顶板、底板、升降驱动件和升降件，所述升降件在升降驱动件驱动下能够相对所述底板靠近或远离，所述升降件与所述框架连接，用于调整所述框架的高度。本发明能够辅助抓舟机械手将石墨舟转运至清洗腔室内，弥补抓舟机械手与推舟组件存在的高度差，不仅保证石墨舟的软着陆，而且使推舟组件可升降，方便对清洗腔室的维修。
-
公开(公告)号：CN117012853A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310954986.5
申请日：2023-07-31
申请人： 浙江晶盛光子科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种硅片背抛后的清洗方法和TOPcon电池及其制备方法，属于TOPcon电池技术领域。所述硅片背抛后的清洗方法包括以下步骤：提供背抛后的硅片；用氢氟酸溶液对所述硅片进行酸洗处理，去除所述硅片背面的自然氧化层。通过所述硅片背抛后的清洗方法，可以去除硅片背面的自然氧化层，方便后续在隧穿氧化层沉积工序中均匀地控制隧穿氧化层的厚度，进而可有效地避免直接生长的隧穿氧化层偏厚或均匀性较差的问题，从而提高电池的转换效率。
-
公开(公告)号：CN117766600B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202311783594.3
申请日：2023-12-22
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江晶盛光子科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18 , C23C16/515 , C23C16/56 , C23C16/02 , C23C16/22
摘要： 本发明提供了一种PECVD沉积BSG‑硼源层制备硼发射极的方法及硅片与装置系统，所述方法包括依次进行的硅片预处理、PECVD沉积和热退火处理；其中，所述PECVD沉积的温度为250‑500℃，压力为800‑3000mTorr，工艺气体包括SiH4、B2H6和N2O，稀释气体包括Ar、H2或N2中的任意一种或至少两种的组合。本发明提供的方法特别适用于大尺寸电池在大管径的PECVD设备上沉积BSG，提升了硼掺杂均匀性及掺杂浓度，降低了表面BSG层去除难度，改善了钝化效果，同时简化了工艺流程，提高了生产效率，有利于大规模推广应用。
-
公开(公告)号：CN114855271B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202210428945.8
申请日：2022-04-22
申请人： 浙江晶盛光子科技有限公司
摘要： 本申请涉及外延生长装置，外延生长装置包括炉体，炉体设有反应腔，反应腔内分别设有水平设置的第一反应基座和第二反应基座，第一反应基座和第二反应基座沿着水平方向间隔设置。炉体还设有分别连通反应腔的第一进气部、第二进气部和出气部，第一反应基座设于第一进气部和出气部之间，第二反应基座设于第二进气部和出气部之间；反应介质能够分别通过第一进气部和第二进气部进入反应腔，并通过出气部离开反应腔。本申请提供的外延生长装置，解决了现有的外延炉的外延层产出效率过低的问题。
-
公开(公告)号：CN116895713A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310745807.7
申请日：2023-06-21
申请人： 浙江晶盛光子科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/677 , H01L31/04
摘要： 本发明公开了一种电池片加工设备和电池片加工方法，所述电池片加工设备包括取片装置、第一输送装置、第一缓存装置、加工装置、第二输送装置、第二缓存装置和放片装置，取片装置用于从第一花篮中取出待加工电池片；第一输送装置设置在取片装置的一侧，用于输送待加工电池片；第一缓存装置设置在第一输送装置上，用于存储待加工电池片；加工装置设置在第一输送装置的远离取片装置的一侧，用于加工待加工电池片；第二输送装置设置在加工装置的一侧，用于输送已加工电池片；第二缓存装置设置在第二输送装置上，用于存储已加工电池片；放片装置用于将已加工电池片放入第二花篮中。本发明实施例的电池片加工设备具有花篮转运效率高等优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
46 条记录 (耗时 0.05 秒)
