一种用于碳化硅炉炉底板的升降合笼结构

    公开(公告)号:CN209655810U

    公开(公告)日:2019-11-19

    申请号:CN201920036264.0

    申请日:2019-01-10

    IPC分类号: F27D1/00 F27D19/00

    摘要: 本实用新型涉及碳化硅炉炉底板提升领域,特别涉及一种用于碳化硅炉炉底板的升降合笼结构。包括机架;机架内设有水平支撑板;水平支撑板的四角分别设有直线轴承,其中直线轴承分别与竖向的导杆相连,另外水平支撑板与竖向设置的丝杆组件的螺母相连;丝杆组件的端部与电机相连;炉底板通过弹簧组件设于支撑板的上端面;炉底板正上方的机架内设有过渡段,过渡段上设有锁紧机构。本实用新型能够安全平稳的将炉底板提升,并完成贴合。不会有震动和噪音,且操作简便。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种用于碳化硅单晶生长炉的温度检测调整机构

    公开(公告)号:CN210151244U

    公开(公告)日:2020-03-17

    申请号:CN201920537696.X

    申请日:2019-04-19

    IPC分类号: C30B29/36 C30B23/00 G01K1/14

    摘要: 本实用新型涉及碳化硅炉,特别是涉及一种用于碳化硅单晶生长炉的温度检测调整机构。包括测温仪;还包括测温仪固定板,测温仪设于测温仪固定板上;测温仪固定板下方设有下底板,测温仪固定板与下底板通过螺杆相连。本实用新型在实际应用中,可以通过调节锁紧螺母来带动调节测温仪固定板的垂直距离从而调节测温仪的高度距离,达到测不同高度距离的温度的效果。本调整机构也可以测量同一高度不同角度下的温度,调节锁紧螺母在不同的水平面上,使测温仪固定板有一定的角度倾斜,测温仪固定板带动测温仪使之距中心轴有偏差角度从而达到测不同角度下的温度。

    一种用于碳化硅炉炉腔压力控制的控压装置

    公开(公告)号:CN210089430U

    公开(公告)日:2020-02-18

    申请号:CN201920537661.6

    申请日:2019-04-19

    IPC分类号: F27D19/00 F27D7/06

    摘要: 本实用新型涉及一种压力装置,尤其涉及一种用于碳化硅炉炉腔压力控制的控压装置。包括碳化硅炉腔体,碳化硅炉腔体设有腔体进气口与腔体出气口;腔体出气口与主真空管路一端相连;主真空管路另一端与真空泵相连;主真空管路上设有真空阀与旁路支路;旁路支路为若干并联的控压支路,各个控压支路上均设有真空阀;控压支路直径小于主真空管路,且各个控压支路的直径各不相等。本实用新型由于该装置存在几路不同大小的管径,使得通气量具有可调性,因此可根据实际的使用经验改进管径大小及数量,因此配合真空泵变频使得腔体内部压力在惰性气体的充入和抽吸过程中容易达到平衡。

    一种区熔炉氧化物隔离及小头收集装置

    公开(公告)号:CN206768272U

    公开(公告)日:2017-12-19

    申请号:CN201720514349.6

    申请日:2017-05-10

    IPC分类号: C30B13/00 C30B29/06

    摘要: 本实用新型涉及非金属晶体制造设备,旨在提供一种区熔炉氧化物隔离及小头收集装置。该种区熔炉氧化物隔离及小头收集装置包括下炉室隔板组件、下炉室单晶头隔板组件、下炉室隔板座,用于设置在下炉室中。本实用新型采用多重隔板,能有效的阻隔熔区产生的氧化物及杂质随着炉室内的气流进入到单晶保持区域,污染高纯度的单晶硅;本实用新型采用在距离切小头下方不远处设置隔板,并在隔板内孔的四周焊接有高度25mm的挡边,可以有效的防止切下来的单晶头调入下炉室底部,防止砸坏零件。

    一种用于区熔炉的炉体支撑装置

    公开(公告)号:CN206768271U

    公开(公告)日:2017-12-19

    申请号:CN201720406820.X

    申请日:2017-04-18

    IPC分类号: C30B13/00 C30B29/06

    摘要: 本实用新型涉及单晶硅生长设备,旨在提供一种用于区熔炉的炉体支撑装置。该装置包括两根平行布置的支撑架纵梁,在其之间焊接了两根支撑架横梁,支撑架横梁与支撑架纵梁呈90°夹角;其中一根支撑架横梁位于支撑架纵梁的首端,另一根支撑架横梁位于支撑架纵梁的中部与末端之间;在两根支撑架横梁之间的支撑架纵梁的上表面,各焊接了一根长条形的槽路移动导轨安装板;两根槽路移动导轨安装板相互平行,且相对的一侧突出于支撑架纵梁的边缘;若干个等距布置的加强筋固定在槽路移动导轨安装板的突出部分的下方。本实用新型优化了整体受力分布状况,结构更为紧凑;有效降低甚至消除了炉体振动的发生,满足区熔法生长单晶硅的要求。

    区熔炉多CCD系统观测装置

    公开(公告)号:CN205974743U

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201620937947.X

    申请日:2016-08-25

    IPC分类号: C30B13/28

    摘要: 本实用新型涉及区熔炉的观察装置,旨在提供区熔炉多CCD系统观测装置。该区熔炉多CCD系统观测装置包括CCD摄像装置和固定支架,CCD摄像装置包括CCD摄像头和CCD摄像头支架,CCD摄像头支架利用固定支架安装在主观察窗上,CCD摄像头至少设有三个,分别安装在CCD摄像头支架上,能实现利用CCD摄像头对主观察窗内的情况进行实时监控。本实用新型采用多CCD摄像头,能实时、全方位的监控引晶时籽晶与熔区的接触状况和拉晶过程中熔区附近的图像,并将图像数据传输到操作终端,使拉晶人员能实现远程引晶和实时掌握熔区的状态。

    一种区熔炉炉体机构
    8.
    实用新型

    公开(公告)号:CN205974741U

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201620952122.5

    申请日:2016-08-25

    IPC分类号: C30B13/00

    摘要: 本实用新型涉及非金属晶体的制造设备,旨在提供一种区熔炉炉体机构。该种区熔炉炉体机构中,隔板固定块固定于下炉室本体的单晶棒升降区内侧,炉室隔板平放于隔板固定块上,且炉室隔板至少设置有两层;下炉室本体的一侧安装有炉门本体,炉门本体通过门铰链固定在下炉室本体上;下炉室本体的另一侧安装有观察窗本体,且观察窗本体能利用观察窗铰链进行开关动作,真空管路设置在下炉室本体的下部位置。本实用新型的下炉室本体结构,融合了现有技术中主炉室和下炉室的所有功能,清理炉室时可以同时打开观察窗和炉门,操作空间大,更易于清理炉室,大大提高生产效率。

    区熔炉炉体(新型)
    9.
    外观设计

    公开(公告)号:CN304250421S

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201730054355.3

    申请日:2017-02-28

    摘要: 1.本外观设计产品的名称:区熔炉炉体(新型)。
    2.本外观设计产品的用途:本外观设计产品用于生产硅单晶。
    3.本外观设计产品的设计要点:产品的外形及各部件在产品上的布局设计。
    4.最能表明本外观设计设计要点的图片或照片:立体图。