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公开(公告)号：CN110685007B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201910963279.6
申请日：2019-10-11
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及单晶硅生产技术，特别涉及直拉法生长硅单晶过程中测量晶体直径的方法。包括以下步骤：(1)设置CCD摄像机，根据原始热场设计获得参照物直径Ф1，晶体实际直径，记为Ф；(2)晶体实际生长过程中，CCD摄像机计算得到图像中参照物直径记为φ1，参照物在硅熔体表面的倒影直径φ2，晶体与液面交界面图像，将此时晶体直径记为φ；(3)CCD捕捉到图像中参照物在液面垂直投影直径可近似计算φ3＝(φ1+φ2)/2，直径Ф1＝Ф3，图像中φ/φ3＝Ф/Ф3＝Ф/Ф1，即Ф＝Ф1×(φ/φ3)＝Ф1×[2φ/(φ1+φ2)]。本发明装置最终实现准确测量晶体直径和实时测量，从而提高晶体直径控制精度和工艺稳定性。
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公开(公告)号：CN110685007A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910963279.6
申请日：2019-10-11
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及单晶硅生产技术，特别涉及直拉法生长硅单晶过程中测量晶体直径的方法。包括以下步骤：(1)设置CCD摄像机，根据原始热场设计获得参照物直径Ф1，晶体实际直径，记为Ф；(2)晶体实际生长过程中，CCD摄像机计算得到图像中参照物直径记为φ1，参照物在硅熔体表面的倒影直径φ2，晶体与液面交界面图像，将此时晶体直径记为φ；(3)CCD捕捉到图像中参照物在液面垂直投影直径可近似计算φ3＝(φ1+φ2)/2，直径Ф1＝Ф3，图像中φ/φ3＝Ф/Ф3＝Ф/Ф1，即Ф＝Ф1×(φ/φ3)＝Ф1×[2φ/(φ1+φ2)]。本发明装置最终实现准确测量晶体直径和实时测量，从而提高晶体直径控制精度和工艺稳定性。
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公开(公告)号：CN109972201B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201910274689.X
申请日：2019-04-07
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及半导体晶体制造技术，旨在提供一种用于直拉法硅单晶生长过程的晶体直径控制方法。该方法包括：在直拉法生产硅单晶时使晶体进入等径生长过程，达到稳定状态；将晶体实际提拉速度设定为当前平均提拉速度，按照预定的变化率使实际提拉速度向设定提拉速度靠拢，直至晶体提拉速度恒定不随晶体直径波动变化；在晶体等径生长过程通过调整加热器功率控制晶体直径，具体是在当前加热平均功率基础上附加可变周期脉冲式功率输出。本发明通过对晶体直径变化速度、加速度的计算和临界值控制，使功率输出时间的关键点判断更为合理和准确；可以缩短直径变化对功率调节的响应时间滞后；不会对晶体直径造成较大扰动，不易造成晶体直径大幅度波动。
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公开(公告)号：CN109972201A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910274689.X
申请日：2019-04-07
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及半导体晶体制造技术，旨在提供一种用于直拉法硅单晶生长过程的晶体直径控制方法。该方法包括：在直拉法生产硅单晶时使晶体进入等径生长过程，达到稳定状态；将晶体实际提拉速度设定为当前平均提拉速度，按照预定的变化率使实际提拉速度向设定提拉速度靠拢，直至晶体提拉速度恒定不随晶体直径波动变化；在晶体等径生长过程通过调整加热器功率控制晶体直径，具体是在当前加热平均功率基础上附加可变周期脉冲式功率输出。本发明通过对晶体直径变化速度、加速度的计算和临界值控制，使功率输出时间的关键点判断更为合理和准确；可以缩短直径变化对功率调节的响应时间滞后；不会对晶体直径造成较大扰动，不易造成晶体直径大幅度波动。
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公开(公告)号：CN205974743U
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201620937947.X
申请日：2016-08-25
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
IPC分类号： C30B13/28
摘要： 本实用新型涉及区熔炉的观察装置，旨在提供区熔炉多CCD系统观测装置。该区熔炉多CCD系统观测装置包括CCD摄像装置和固定支架，CCD摄像装置包括CCD摄像头和CCD摄像头支架，CCD摄像头支架利用固定支架安装在主观察窗上，CCD摄像头至少设有三个，分别安装在CCD摄像头支架上，能实现利用CCD摄像头对主观察窗内的情况进行实时监控。本实用新型采用多CCD摄像头，能实时、全方位的监控引晶时籽晶与熔区的接触状况和拉晶过程中熔区附近的图像，并将图像数据传输到操作终端，使拉晶人员能实现远程引晶和实时掌握熔区的状态。
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