一种基于IBC电池的电池串

    公开(公告)号:CN109713074A

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201811615522.7

    申请日:2018-12-27

    摘要: 本发明公开了一种电池串,任意一个第一电极沿第一方向仅仅会与第一电极或空白区域相邻,任意一个第二电极沿第一方向仅仅会与第二电极或空白区域相邻。此时串焊线可以沿第一方向仅仅将两个IBC电池片的第一电极串联,或仅仅将第二电极串联。而位于第一IBC电池片的第一电极为n型电极,位于第一IBC电池片的第二电极为p型电极,位于第二IBC电池片的第一电极为p型电极,位于第二IBC电池片的第二电极为n型电极。上述沿第一方向延伸的串焊线可以将第一IBC电池片与第二IBC电池片相互串联而构成电池串。串焊线的成本较低,且设置串焊线仅仅使用常规的串焊设备以及串焊台即可,可以极大的降低基于IBC电池的电池串的成本。

    一种IBC电池及其制作方法

    公开(公告)号:CN109659397B

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN201811593583.8

    申请日:2018-12-25

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/0224

    摘要: 本申请公开了一种IBC电池制作方法,包括在硅片的第一表面局部区域,采用高温推进方式形成n+层,其中,所述第一表面与所述硅片的接受光照的表面相背;在所述第一表面形成多晶硅层,且所述多晶硅层与所述n+层不重叠;对位于所述第一表面的膜层进行开膜处理,以形成缝隙;在所述缝隙中形成电极。本申请IBC电池制作方法中通过沉积多晶硅层,取代硼浆料的印刷,多晶硅层不仅可以作为p+层,还可以作为发射层,增加光生载流子的传输,从而增加IBC电池性能。此外,本申请还提供一种具有上述优点的IBC电池。

    一种IBC电池及其制作方法

    公开(公告)号:CN109659397A

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201811593583.8

    申请日:2018-12-25

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/0224

    摘要: 本申请公开了一种IBC电池制作方法,包括在硅片的第一表面局部区域,采用高温推进方式形成n+层,其中,所述第一表面与所述硅片的接受光照的表面相背;在所述第一表面形成多晶硅层,且所述多晶硅层与所述n+层不重叠;对位于所述第一表面的膜层进行开膜处理,以形成缝隙;在所述缝隙中形成电极。本申请IBC电池制作方法中通过沉积多晶硅层,取代硼浆料的印刷,多晶硅层不仅可以作为p+层,还可以作为发射层,增加光生载流子的传输,从而增加IBC电池性能。此外,本申请还提供一种具有上述优点的IBC电池。

    一种IBC电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN109698252A

    公开(公告)日:2019-04-30

    申请号:CN201811612781.4

    申请日:2018-12-25

    IPC分类号: H01L31/0352 H01L31/18

    摘要: 本申请公开了一种IBC电池制备方法,包括在硅片的第一表面的局部区域,采用高温推进方式形成n+层,其中,所述第一表面与所述硅片的接受光照的表面相背;在所述第一表面n+层以外的区域,采用所述高温推进方式形成p+层;在所述n+层第二表面和所述p+层第二表面形成钝化膜层,其中,所述第二表面为所述n+层和所述p+层背离所述硅片的表面。本申请中采用高温推进的方式在硅片第一表面上先形成n+层和p+层,然后再形成钝化膜层,消除了钝化膜层对形成n+层和p+层的影响,使得形成n+层和p+层更加容易。此外,本申请还提供了一种具有上述优点的IBC电池。

    一种制备单晶硅倒金字塔绒面的方法

    公开(公告)号:CN109686818A

    公开(公告)日:2019-04-26

    申请号:CN201811593575.3

    申请日:2018-12-25

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/0236

    CPC分类号: H01L31/02363 H01L31/1804

    摘要: 本申请公开了一种制备单晶硅倒金字塔绒面的方法,通过对单晶硅片进行清洗,得到预处理单晶硅片,清洗时间为第一时间;将所述预处理单晶硅片置于刻蚀液中进行刻蚀,得到具有倒金字塔绒面的单晶硅片,其中,刻蚀时间为第二时间,所述刻蚀液为氢氟酸与双氧水的混合溶液,且所述混合溶液中配入金属离子。本申请中先对硅片进行清洗,在单晶硅片表面形成一层液膜,再将清洗后的单晶硅片放入刻蚀液中,且刻蚀液中配有金属离子,由于液膜的存在,使刻蚀液与硅片接触部分的金属离子均匀分布在硅片表面,刻蚀第二时间后便得到具有倒金字塔绒面的单晶硅片,不需要先沉积后刻蚀再腐蚀等复杂步骤,非常简单。

    一种制备单晶硅倒金字塔绒面的方法

    公开(公告)号:CN109666972A

    公开(公告)日:2019-04-23

    申请号:CN201811593574.9

    申请日:2018-12-25

    摘要: 本申请公开了一种制备单晶硅倒金字塔绒面的方法,通过将单晶硅片置于刻蚀液中进行刻蚀,且对所述刻蚀液进行分散,以使金属离子在所述刻蚀液中均匀分布,得到具有倒金字塔绒面的单晶硅片,其中,刻蚀时间为预设时间,所述刻蚀液为氢氟酸与双氧水的混合溶液,且所述刻蚀液中配入所述金属离子。本申请中通过将单晶硅片置于刻蚀液中,并且使金属离子均匀分布在刻蚀液中,刻蚀预设时间后,便得到具有倒金字塔绒面的单晶硅片,即只需通过一步便得到具有倒金字塔绒面的单晶硅片,不需要先沉积后刻蚀再腐蚀等复杂步骤,非常简单,并且单晶硅片表面的倒金字塔形状尺寸均匀。

    一种P型双面太阳能电池组件

    公开(公告)号:CN108336163A

    公开(公告)日:2018-07-27

    申请号:CN201810128759.6

    申请日:2018-02-08

    摘要: 本发明公开了一种P型双面太阳能电池组件,包括:以P型硅作为制作太阳能双面电池的衬底,最终获得正面具有N型掺杂层,而背面具有间隔分布的N性掺杂层,且电池片的正面设置有负电极而背面设置有正电极和负电极;另外,各个电池片的正面和背面的电极和同一个电池片的同一电极相连接,相当于各个电池片只有一个负电极和一个正电极,且将正负电极与其他电池片的连接处分别设置于电池片不同的两侧。本发明中提供的P型双面太阳能组件,具有更低的生产成本和更简单的生产工艺,且具有更易焊接的电路连接方式。

    一种P型双面太阳能电池组件

    公开(公告)号:CN108336163B

    公开(公告)日:2019-12-06

    申请号:CN201810128759.6

    申请日:2018-02-08

    摘要: 本发明公开了一种P型双面太阳能电池组件,包括:以P型硅作为制作太阳能双面电池的衬底,最终获得正面具有N型掺杂层,而背面具有间隔分布的N性掺杂层,且电池片的正面设置有负电极而背面设置有正电极和负电极;另外,各个电池片的正面和背面的电极和同一个电池片的同一电极相连接,相当于各个电池片只有一个负电极和一个正电极,且将正负电极与其他电池片的连接处分别设置于电池片不同的两侧。本发明中提供的P型双面太阳能组件,具有更低的生产成本和更简单的生产工艺,且具有更易焊接的电路连接方式。

    一种太阳能电池栅线的制备方法

    公开(公告)号:CN108321252A

    公开(公告)日:2018-07-24

    申请号:CN201810106173.X

    申请日:2018-02-02

    摘要: 本发明公开了一种太阳能电池栅线的制备方法,包括:利用光刻工艺或激光穿透太阳能电池片上的减反射膜制备栅线图形;在穿透减反射膜的栅线图形上涂覆导电材料,以形成太阳能电池片的栅线。本申请公开的上述技术方案,利用半导体制造工艺中的光刻工艺或者尺寸比较小、能量比较高的激光穿透太阳能电池片上的减反射膜,以在太阳能电池片上制备出栅线图形,在栅线图形上涂覆导电材料,最终所得到的栅线的宽度要小于通过丝网印刷所得到的栅线的宽度,宽度较小的栅线不仅可以减少对太阳能电池片的遮挡,以在一定程度上提高太阳能电池片的光电转换效率,还可以减少导电材料的用量,从而降低太阳能电池片的制造成本。

    一种三维光伏组件
    10.
    实用新型

    公开(公告)号:CN207938623U

    公开(公告)日:2018-10-02

    申请号:CN201820290833.X

    申请日:2018-03-01

    IPC分类号: H01L31/043 H01L31/048

    摘要: 本实用新型公开了一种三维光伏组件,包括上透明基板、下基板、封装框架和多块太阳能电池片;其中,所述上透明基板与所述下基板设置于所述封装框架内,所述上透明基板中朝向所述下基板的表面设置有多条第一凹槽,所述下基板中朝向所述上透明基板的表面设置有与所述第一凹槽相错的多条第二凹槽;所述第一凹槽与所述第二凹槽之间斜搭有多块所述太阳能电池片,所述电池片构成锯齿形结构。上述三维光伏组件通过在上透明基板与下基板之间斜搭有多块太阳能电池片构成锯齿形结构,上述锯齿形结构类似于陷光结构,当外界光线照射到上述电池片时,会在相邻电池片之间进行多次反射最终被太阳能电池片所吸收,从而有效增加了光伏组件的光吸收率。