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公开(公告)号：CN117080277A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311154777.9
申请日：2021-02-23
申请人： 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明实施例提供一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件，太阳能电池包括：基底以及位于基底前表面的发射极；在远离发射极的方向上依次堆叠的第一钝化层、第二钝化层、第三钝化层以及第四钝化层，第一钝化层包括氧化硅材料，第二钝化层包括第一氮氧化硅SiOxNy材料，第三钝化层包括氮化硅SimNn材料，第四钝化层包括第二氮氧化硅SiOiNj材料，其中，x/y∈[1.51，2.58]，m/n∈[3.12，5.41]，i/j∈[1.98，8.47]，第二钝化层折射率大于第四钝化层折射率，第三钝化层折射率大于第二钝化层折射率；位于基底后表面的钝化接触结构。至少有利于提高太阳能电池的光利用率以及制作黑组件。
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公开(公告)号：CN117012839A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210474482.9
申请日：2022-04-29
申请人： 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0288
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池和光伏组件，涉及电池技术领域，包括第一钝化接触台阶设置于晶体硅衬底的表面；第二钝化接触台阶设置于第一钝化接触台阶的远离晶体硅衬底的一面；第一钝化减反射台阶设置于第一钝化接触台阶的远离晶体硅衬底的一面；第二钝化减反射台阶设置于第二钝化接触台阶的远离第一钝化接触台阶的一面；电极的一端与第一钝化接触台阶接触，另一端依次贯穿第二钝化接触台阶和第二钝化减反射台阶。本发明提供的方案设置多级钝化接触台阶，第一钝化接触台阶厚度较薄，能够减少对长波段光线的寄生吸，有效提升太阳能电池的长波响应以及双面率。第二钝化接触台阶的厚度较厚，能够保证金属化过程中与金属浆料形成良好的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN115036374B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202110204237.1
申请日：2021-02-23
申请人： 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明实施例提供一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件，太阳能电池包括：N型基底以及位于所述基底前表面的P型发射极；位于所述基底前表面且在远离所述P型发射极的方向上依次堆叠的第一钝化层、第二钝化层、第三钝化层以及第四钝化层，所述第一钝化层包括氧化硅材料，所述第二钝化层包括第一氮氧化硅SiOxNy材料，所述第三钝化层包括氮化硅SimNn材料，所述第四钝化层包括第二氮氧化硅SiOiNj材料，所述第二钝化层包括靠近所述第一钝化层的第一部分和靠近所述第三钝化层的第二部分，所述第一部分的氮原子浓度小于所述第二部分的氮原子浓度；位于所述基底后表面的钝化接触结构。本发明实施例有利于提高太阳能电池的光利用率。
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公开(公告)号：CN115172477B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202210887189.5
申请日：2022-07-26
申请人： 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/068
摘要： 本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有相对的正面以及背面，基底的背面具有第一掺杂区，第一掺杂区的掺杂元素类型与基底内的掺杂元素类型相反；隧穿介质层，隧穿介质层位于基底背面；掺杂导电层，掺杂导电层位于隧穿介质层远离基底背面的表面，掺杂导电层具有掺杂元素，掺杂导电层内的掺杂元素类型与基底内的掺杂元素类型相反；背电极，背电极沿第一方向排布，背电极与掺杂导电层相接触。本申请实施例提供的太阳能电池及光伏组件，至少有利于提升太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN115172477A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210887189.5
申请日：2022-07-26
申请人： 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/068
摘要： 本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有相对的正面以及背面，基底的背面具有第一掺杂区，第一掺杂区的掺杂元素类型与基底内的掺杂元素类型相反；隧穿介质层，隧穿介质层位于基底背面；掺杂导电层，掺杂导电层位于隧穿介质层远离基底背面的表面，掺杂导电层具有掺杂元素，掺杂导电层内的掺杂元素类型与基底内的掺杂元素类型相反；背电极，背电极沿第一方向排布，背电极与掺杂导电层相接触。本申请实施例提供的太阳能电池及光伏组件，至少有利于提升太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN115036388A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202110203419.7
申请日：2021-02-23
申请人： 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216
摘要： 本发明实施例提供一种太阳能电池及其制作方法，太阳能电池的制作方法包括：提供N型基底以及位于所述基底前表面的P型发射极；在所述基底前表面形成第一钝化层，所述第一钝化层包括多个氮氧化硅子层，所述氮氧化硅子层内掺杂有氢离子，在垂直于所述基底前表面的方向上，每一所述氮氧化硅子层的厚度不大于20nm，在远离所述基底的方向上，所述多个氮氧化硅子层的折射率递减；在所述第一钝化层表面形成第二钝化层，所述第二钝化层包括多个氮化硅子层，在远离所述基底的方向上，所述多个氮化硅子层的折射率递减；在所述基底后表面形成钝化接触结构。本发明实施例有利于提升太阳能电池的钝化效果。
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公开(公告)号：CN115036388B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202110203419.7
申请日：2021-02-23
申请人： 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216
摘要： 本发明实施例提供一种太阳能电池及其制作方法，太阳能电池的制作方法包括：提供N型基底以及位于所述基底前表面的P型发射极；在所述基底前表面形成第一钝化层，所述第一钝化层包括多个氮氧化硅子层，所述氮氧化硅子层内掺杂有氢离子，在垂直于所述基底前表面的方向上，每一所述氮氧化硅子层的厚度不大于20nm，在远离所述基底的方向上，所述多个氮氧化硅子层的折射率递减；在所述第一钝化层表面形成第二钝化层，所述第二钝化层包括多个氮化硅子层，在远离所述基底的方向上，所述多个氮化硅子层的折射率递减；在所述基底后表面形成钝化接触结构。本发明实施例有利于提升太阳能电池的钝化效果。
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公开(公告)号：CN115985975A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310107821.4
申请日：2023-02-02
申请人： 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/0288 , H01L31/0224 , H01L31/048 , H01L31/068
摘要： 本发明公开了太阳能电池和光伏组件，该太阳能电池包括硅基底、第一电极和第二电极；所述硅基底的其中一面沿远离所述硅基底方向设置有隧穿氧化层，所述隧穿氧化层远离所述硅基底一侧设置有至少两层掺杂多晶硅层，相邻所述掺杂多晶硅层之间设置有阻挡层，多条所述第一电极电连接至不同的所述掺杂多晶硅层。本发明不仅能够降低多晶硅层总厚度，较薄的多晶硅层可以降低寄生吸收，从而提高短路电流，而且通过阻挡层阻挡浆料烧穿隧穿氧化层的风险，同时减少金属复合，从而提高太阳能电池的开路电压，进而提升太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN115036374A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202110204237.1
申请日：2021-02-23
申请人： 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明实施例提供一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件，太阳能电池包括：N型基底以及位于所述基底前表面的P型发射极；位于所述基底前表面且在远离所述P型发射极的方向上依次堆叠的第一钝化层、第二钝化层、第三钝化层以及第四钝化层，所述第一钝化层包括氧化硅材料，所述第二钝化层包括第一氮氧化硅SiOxNy材料，所述第三钝化层包括氮化硅SimNn材料，所述第四钝化层包括第二氮氧化硅SiOiNj材料，所述第二钝化层包括靠近所述第一钝化层的第一部分和靠近所述第三钝化层的第二部分，所述第一部分的氮原子浓度小于所述第二部分的氮原子浓度；位于所述基底后表面的钝化接触结构。本发明实施例有利于提高太阳能电池的光利用率。
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公开(公告)号：CN217933805U
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202222024279.X
申请日：2022-07-28
申请人： 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/048
摘要： 本实用新型实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底内掺杂有N型掺杂元素或者P型掺杂元素的一者，基底内具有铝扩散层；铝硅合金层，铝硅合金层至少位于部分铝扩散层远离基底的背面的表面，基底露出铝硅合金层的表面；钝化层，钝化层位于基底的正面，钝化层还位于铝硅合金层的表面；电极，电极沿第一方向排布，电极贯穿钝化层与铝硅合金层电接触；隧穿介质层以及掺杂导电层，隧穿介质层位于基底背面，掺杂导电层位于隧穿介质层远离基底背面的表面，掺杂导电层内掺杂N型掺杂元素或者P型掺杂元素的另一者；背电极，背电极与掺杂导电层相接触，至少可以提升太阳能电池的光电转换效率。
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