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公开(公告)号：CN103199154B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310093925.0
申请日：2013-03-22
申请人： 浙江正泰太阳能科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/068
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种双层减反膜晶体硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：在硅片的正面形成绒面；在所述硅片正面形成P扩散层，然后去除所述硅片正面的PSG和周边P扩散层；在所述硅片正面形成第一减反膜；在所述第一减反膜上形成第二减反膜；在所述硅片背面形成背电极和铝背场；在所述硅片正面形成正电极；在上述步骤执行过程中，向所述硅片、第一减反膜或第二减反膜中的一个或多个进行氢基团扩散。本发明提供的太阳能电池的制备方法可以有效提高太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN102779897A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210158557.9
申请日：2012-05-22
申请人： 浙江正泰太阳能科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种一次性扩散制备选择性发射极的方法，包括以下步骤：（一）装片；（二）扩散；（三）测片；（四）卸片。本发明通过在扩散时采用活动选择性扩散模板或固定选择性扩散模板对硅片进行选择性遮掩，使硅片上的栅线印刷位置暴露在扩散气氛中，而硅片上其它部位则被遮掩，扩散后分别形成深扩散区和浅扩散区，从而直接形成选择性发射极，解决了现有技术的制备选择性发射极的方法成本高，制作复杂，量产难度较大的问题。本发明制备工艺简单，可操作性强；大大简化了制备工艺，降低了制备成本；适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN102353468A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110183002.5
申请日：2011-06-30
申请人： 浙江正泰太阳能科技有限公司
IPC分类号： G01K7/02
摘要： 本发明公开了一种热电偶固定装置，该装置包括：外边框结构；双排横梁结构，其位于上述外边框结构内，其中一排横梁结构上设置一个或多个热电偶固定孔，在每个固定孔旁设置有固定结构，在另一排横梁结构上设置有一个或多个热电偶固定孔。本发明还公开了一种温度测定承载装置、一种利用上述热电偶固定装置的太阳能电池烧结炉温度测定装置及其使用方法。上述装置和方法提高了在太阳能电池烧结工艺中温度测量的准确度，避免了由于测试不准确导致的重复测量，提高了工作效率。
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公开(公告)号：CN102299203B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110247836.8
申请日：2011-08-25
申请人： 浙江正泰太阳能科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池，其特征在于包括背电极和正面电极，其中在正面电极上印刷有具备嵌套式全副栅设计的栅极结构，所述栅极结构具体包括：细栅结构，所述细栅结构由四边环形构成，所述四边环形由细栅线构成；密集副栅结构，所述密集副栅结构由若干个逐层嵌套的所述细栅结构构成；全副栅结构，所述全副栅结构由至少两组相邻的所述密集副栅结构构成。本发明还公开了一种太阳能电池正面电极设计方法。上述太阳能电池中的正面电极上的栅极结构的全副栅设计可有效解决传统主栅与副栅之间由于高度差而引起的焊接不良问题，同时，节省了导电银浆料的使用量，节约了成本。
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公开(公告)号：CN102779897B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210158557.9
申请日：2012-05-22
申请人： 浙江正泰太阳能科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种一次性扩散制备选择性发射极的方法，包括以下步骤：（一）装片；（二）扩散；（三）测片；（四）卸片。本发明通过在扩散时采用活动选择性扩散模板或固定选择性扩散模板对硅片进行选择性遮掩，使硅片上的栅线印刷位置暴露在扩散气氛中，而硅片上其它部位则被遮掩，扩散后分别形成深扩散区和浅扩散区，从而直接形成选择性发射极，解决了现有技术的制备选择性发射极的方法成本高，制作复杂，量产难度较大的问题。本发明制备工艺简单，可操作性强；大大简化了制备工艺，降低了制备成本；适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN103227246A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310125902.3
申请日：2013-04-11
申请人： 浙江正泰太阳能科技有限公司
IPC分类号： H01L31/20
CPC分类号： H01L31/20 , H01L31/02167 , H01L31/022483 , H01L31/0236 , H01L31/0747 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种异质结电池的制备方法，包括如下步骤：在n型硅片的正面沉积第一非晶硅本征层，这里的n型硅片可以是单晶或是多晶硅片；在所述第一非晶硅本征层上沉积非晶硅p层；在所述非晶硅p层上沉积第一掺硼氧化锌薄膜；在所述硅片的背面形成背电极和铝背场；在所述硅片的正面形成正电极。另外，本发明还公开了一种双面异质结电池的制备方法。本发明采用掺硼氧化锌薄膜除替代ITO薄膜作为减反膜，由于掺硼氧化锌的特殊性质，特别是光陷作用，掺硼氧化锌可以起到良好的减反射作用，这样就省去了制绒的步骤，简化了制备工艺，由于多晶硅制绒更加具有挑战性，本发明对采用多晶硅硅片的异质结电池更加有意义。
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公开(公告)号：CN102956751A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210488916.7
申请日：2012-11-26
申请人： 浙江正泰太阳能科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池正面电极的设计方法，所述太阳能电池包括背电极和正面电极，所述正面电极由至少4根主栅和若干根副栅组成，该设计方法包括以下步骤：形成主栅的步骤，所述主栅为多段镂空结构，镂空段与实体段交替连接，所述主栅至少包括2个所述镂空段；形成副栅的步骤，所述副栅与所述主栅成一定角度设置。相应的，本发明还提供一种太阳能电池，所述太阳能电池包括背电极和正面电极，其中，所述正面电极由至少4根主栅和与所述主栅成一定角度设置的副栅组成，所述主栅为多段镂空结构，镂空段与实体段交替连接，所述主栅至少包括2个镂空段。采用本发明的方法可以在有效降低金属浆料用量的同时保持太阳能电池的电性能。
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公开(公告)号：CN103296140B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201310192233.1
申请日：2013-05-21
申请人： 浙江正泰太阳能科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/20 , H01L31/078
摘要： 本发明提供一种晶体硅/硅基薄膜叠层电池的制备方法，该方法包括以下步骤：在n型硅片上形成硼（Boron）扩散p层；除边隔离，并去除硼硅玻璃；在所述B扩散层上形成n‑i‑p结构；在所述n型硅片的背面沉积第二非晶硅n型层；在所述n‑i‑p结构上形成第一掺硼氧化锌薄膜，在所述第二非晶硅n型层上形成第二掺硼氧化锌薄膜；在所述n型硅片的背面形成背电极，在所述n型硅片的正面形成正电极。采用本发明提供的制备方法，工艺简单，生产成本低，且得到的太阳能电池具有良好的光陷作用和较高的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN103614708A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310667675.7
申请日：2013-12-10
申请人： 浙江正泰太阳能科技有限公司
IPC分类号： C23C16/458
摘要： 本发明公开了一种渐变间距式的石墨舟，所述石墨舟包含有多片平行设置的石墨片；从所述石墨舟的中心到所述石墨舟的外侧，相邻两片石墨片之间的间距依次为D0、D1……Dn-1、Dn；所述D0、D1……Dn-1、Dn之间的大小关系为：D0>D1>……>Dn-1>Dn；且D0-D1=D1-D2=……=Dn-1-Dn=a（a>0），a为相邻两石墨片之间的距离差。相应的，本发明还提供一种使用该石墨舟对硅片进行镀膜的方法。采用本发明提供的技术方案，可以有效解决经石墨舟镀膜后，减反膜膜厚不均匀的问题，提高产品的合格率。
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公开(公告)号：CN103614708B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310667675.7
申请日：2013-12-10
申请人： 浙江正泰太阳能科技有限公司
IPC分类号： C23C16/458
摘要： 本发明公开了一种渐变间距式的石墨舟，所述石墨舟包含有多片平行设置的石墨片；从所述石墨舟的中心到所述石墨舟的外侧，相邻两片石墨片之间的间距依次为D0、D1……Dn-1、Dn；所述D0、D1……Dn-1、Dn之间的大小关系为：D0>D1>……>Dn-1>Dn；且D0-D1=D1-D2=……=Dn-1-Dn=a（a>0），a为相邻两石墨片之间的距离差。相应的，本发明还提供一种使用该石墨舟对硅片进行镀膜的方法。采用本发明提供的技术方案，可以有效解决经石墨舟镀膜后，减反膜膜厚不均匀的问题，提高产品的合格率。
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