一种基于Bi-LSTM的电连接器退化预测方法

    公开(公告)号:CN117313545A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202311362614.X

    申请日:2023-10-20

    摘要: 本发明公开了一种基于Bi‑LSTM的电连接器退化预测方法,所述方法包括:根据电连接器退化环境影响因素,设计试验得出退化路径,建立基础物理退化模型,得出目标函数;对目标函数进行最速下降法,得出初步的优化模型;利用Bi‑LSTM神经网络对模型修正。基于建立Bi‑LSTM神经网络模型,其中输入包括环境变量、期望退化路径和观测退化数据。通过训练神经网络来实现基于物理退化的预测进行偏差校正,以达到更合理的退化趋势。