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公开(公告)号：CN110988767A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911020208.9
申请日：2019-10-25
申请人： 浙江铖昌科技有限公司
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本发明公开了一种基于熔融石英衬底的太赫兹在片校准件制造方法，具体包括如下步骤：101)晶片加工步骤、102)表面处理步骤、103)初步制作步骤、104)二次处理步骤；本发明提供制造出高性能的开路结构、短路结构、直通结构、负载结构、延时结构的在片校准件，并且可通过模型对其电性能进行合理表征的一种基于熔融石英衬底的太赫兹在片校准件制造方法。
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公开(公告)号：CN110007209A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201810820234.9
申请日：2018-07-24
申请人： 浙江铖昌科技有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明公开了GaN功率放大器芯片自动化在片测试系统，包括微波信号源、驱动放大器、耦合器、在片测试模块、功率检测单元、功率环路自动化控制模块和功放自动化测试模块；依次按微波信号源、驱动放大器、耦合器、功率检测单元的顺序进行信号线连接，微波信号源、功率检测单元与功率环路自动化控制模块电性连接，并受其控制；耦合器与在片测试模块通过信号线连接，在片测试模块、功率环路自动化控制模块和功放自动化测试模块通过信号线连接，并受其控制；本发明提供GaN功率放大器芯片自动化在片测试系统，可以精确保证每颗芯片的输入功率要求，有效提高和保证测试精度。
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公开(公告)号：CN111929558A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202011038481.7
申请日：2020-09-28
申请人： 浙江铖昌科技有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供一种基于自校准的去嵌方法、系统、存储介质及终端，晶圆上设置有去嵌结构，所述去嵌结构为左右对称结构，包括直通、反射开路、反射短路和负载匹配；所述基于自校准的去嵌方法包括以下步骤：获取所述负载匹配的直流电阻；对探针尖端面的S参数进行校准；获取所述直通、所述反射开路、所述反射短路和所述负载匹配的S参数；根据所获取的S参数和所述直流电阻分别计算左右去嵌结构的S参数；基于所述校准的S参数和所述左右去嵌结构的S参数计算待测器件的S参数。本发明的基于自校准的去嵌方法、系统、存储介质及终端减少了去嵌过程中探针移动对结果的影响，去嵌精度高；去嵌结构占用面积小，降低了测试成本，提高了测试效率。
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公开(公告)号：CN110763977A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201910605042.0
申请日：2019-07-05
申请人： 浙江铖昌科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种定量测量评估噪声测试系统精度的系统及方法，包括测控模块、算法模块、处理分析模块；测控模块测出相应数据，并由算法模块进行测量评估，处理分析模块根据算法模块的测量评估生成测量评估报告；本发明提供一种具有全频段测量评估功能，可根据具体需求对噪声测试系统的任意测试频段进行选择性精度测量评估，并且可以定量地计算出对应频段内噪声测试系统的测试精度。
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公开(公告)号：CN110470973A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910715479.X
申请日：2019-08-05
申请人： 浙江铖昌科技有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明公开了一种低噪放芯片噪声系数自动化在片测试系统，包括频谱分析仪、噪声源、射频同轴线、转接器、射频探针、在片插入损耗补偿系统、自动化测试系统组成,在片插入损耗补偿系统包括信号源、双定向耦合器、接收机、射频同轴线、转接器、射频探针、同轴校准件和在片校准件；本发明提供一种低噪放芯片噪声系数自动化在片测试系统，实现噪声系数测试时精确补偿放大器输入端引入的损耗，提高了测试精度。
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公开(公告)号：CN111751627A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010506206.7
申请日：2020-06-05
申请人： 浙江铖昌科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于十项误差模型的矢量网络分析仪的自校准方法，具体包括如下步骤：101)初始化步骤、102)校准标准件参数设置步骤、103)校准标准件参数采集步骤、104)修正步骤、105)变换处理步骤、106)计算得出相应参数步骤、107)测试步骤；本发明提供一种基于十项误差模型的矢量网络分析仪的自校准方法，其只需要校准标准件Thru的延时τ与插入损耗IL及负载标准件Match(Load)的直流电阻RM，其它校准标准件参数在校准过程中自动计算出来。
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公开(公告)号：CN110988768A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911020209.3
申请日：2019-10-25
申请人： 浙江铖昌科技有限公司
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本发明公开了一种基于隔膜与异质集成工艺的在片校准件及其制作方法，包括玻璃载板、金属导体层、隔膜层、衬底；金属导体层设置在隔膜层上，隔膜层设置在衬底上，其中衬底与金属导体层相对应的位置处设置衬底空腔；衬底设置在玻璃载板之上；金属导体层引出金属至下方衬底未设置衬底空腔的位置；本发明提出具有超宽工作频带、低损耗特性，具有高精密性、高准确性、高重复性特点，满足当下毫米波以及更高频段的应用需求的一种基于隔膜与异质集成工艺的在片校准件及其制作方法。
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公开(公告)号：CN208350944U
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201821090460.8
申请日：2018-07-10
申请人： 浙江铖昌科技有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本实用新型公开了毫米波脉冲功率放大器芯片的测试系统，包括自动化测试控制单元、毫米波电性能测试单元、脉冲触发控制单元、脉冲电源控制单元和脉冲功率放大器；毫米波电性能测试单元、脉冲触发控制单元与自动化测试控制单元电性连接，并受其控制实现通信；脉冲触发控制单元与毫米波电性能测试单元、脉冲电源控制单元、脉冲功率放大器电性连接；本实用新型提供了高效率、高精度、高重复性的毫米波脉冲功率放大器芯片的测试系统。
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