公开(公告)号：CN110011641A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811031215.4

申请日：2018-09-05

申请人： 浙江铖昌科技有限公司

发明人： 王立平 ,  郑骎 ,  刘利平 ,  周甲武 ,  郁发新

IPC分类号： H03H11/24

摘要： 本发明公开了一种基于电容补偿的衰减器，该衰减器包括一个晶体管开关、一个并联衰减电阻、一个并联开路线电容以及匹配传输线，所述衰减器利用开关切换衰减状态和直通状态从而实现相对衰减的控制；本衰减器结构简单，占用面积小，寄生调相、衰减特性带宽良好，在单片集成电路应用中具有较大的优势和应用空间。

公开(公告)号：CN110011640A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811030585.6

申请日：2018-09-05

申请人： 浙江铖昌科技有限公司

发明人： 周甲武 ,  刘利平 ,  郑骎 ,  王立平 ,  郁发新

IPC分类号： H03H11/16 ,  H01P5/16

摘要： 本发明公开了小型化Lange型数控单片集成移相器，包括Lange耦合器和反射型移相电路，Lange耦合器采用耦合线宽边耦合方式耦合，耦合线构成环形结构，反射型移相电路包括感性负载电路和容性负载电路，感性负载电路包括电感、第一晶体管和电阻，电感和第一晶体管串联，第一晶体管和电阻并联；容性负载电路包括电容和第二晶体管，电容与第二晶体管串联，且第二晶体管接地；本发明提供小型化Lange型数控单片集成移相器，以解决在复杂相控阵电路中由于部分移相器结构造成的面积过大、版图长宽比过大导致不易集成的问题。

公开(公告)号：CN208353310U

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201821448163.6

申请日：2018-09-05

申请人： 浙江铖昌科技有限公司

发明人： 周甲武 ,  刘利平 ,  郑骎 ,  王利平 ,  郁发新

IPC分类号： H03H11/16 ,  H01P5/16

摘要： 本实用新型公开了小型化Lange型数控单片集成移相器，包括Lange耦合器和反射型移相电路，Lange耦合器采用耦合线宽边耦合方式耦合，耦合线构成环形结构，反射型移相电路包括感性负载电路和容性负载电路，感性负载电路包括电感、第一晶体管和电阻，电感和第一晶体管串联，第一晶体管和电阻并联；容性负载电路包括电容和第二晶体管，电容与第二晶体管串联，且第二晶体管接地；本实用新型提供小型化Lange型数控单片集成移相器，以解决在复杂相控阵电路中由于部分移相器结构造成的面积过大、版图长宽比过大导致不易集成的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN208353311U

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201821447396.4

申请日：2018-09-05

申请人： 浙江铖昌科技有限公司

发明人： 王利平 ,  郑骎 ,  刘利平 ,  周甲武 ,  郁发新

IPC分类号： H03H11/24

摘要： 本实用新型公开了一种基于电容补偿的衰减器，该衰减器包括一个晶体管开关、一个并联衰减电阻、一个并联开路线电容以及匹配传输线，所述衰减器利用开关切换衰减状态和直通状态从而实现相对衰减的控制；本衰减器结构简单，占用面积小，寄生调相、衰减特性带宽良好，在单片集成电路应用中具有较大的优势和应用空间。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利