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公开(公告)号：CN111294000B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010394763.4
申请日：2020-05-12
申请人： 浙江铖昌科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种匹配网络可重构的多功能功率放大器及雷达系统，其中匹配网络可重构的多功能功率放大器包括：发射功率放大器模块、输出级可重构匹配网络模块以及供电控制模块。供电控制模块用于在发射状态时控制：发射功率放大器模块偏置上电，输出级可重构匹配网络模块重构为发射信号输出匹配网络；供电控制模块用于在接收状态时控制：发射功率放大器模块偏置掉电，输出级可重构匹配网络模块重构为接收信号传输网络。本发明通过对功率放大器末级匹配网络进行可重构设计，使其同时具备发射和接收功能，省去传统射频收发组件中的环形器或单刀双掷射频收发开关，提高了芯片集成度，减少了组件元器件数量，同时提高了系统性能。
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公开(公告)号：CN111293999A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010394754.5
申请日：2020-05-12
申请人： 浙江铖昌科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种宽带可重构功率放大器及雷达系统，其中宽带可重构功率放大器包括：输入可重构匹配网络模块、宽带大功率放大器模块、超宽带低功率放大器模块、输出可重构匹配网络模块以及供电控制模块。供电控制模块用于在选择宽带大功率模式时控制：超宽带低功率放大器模块偏置掉电，宽带大功率放大器模块偏置上电，输入可重构匹配网络模块重构为大功率输入匹配网络，输出可重构匹配网络模块重构为大功率输出匹配网络；供电控制模块用于在选择超宽带低功率线性放大模式时控制：宽带大功率放大器模块偏置掉电，超宽带低功率放大器模块偏置上电，输入可重构匹配网络模块重构为低功率输入匹配网络，输出可重构匹配网络模块重构为低功率输出匹配网络。
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公开(公告)号：CN110611488A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910715478.5
申请日：2019-08-05
申请人： 浙江铖昌科技有限公司
摘要： 本发明公开了温度补偿有源偏置电路，包括开关晶体管、有源偏置晶体管、电压调节电阻R2和栅极限流电阻R5；开关晶体管的一端与电压调节电阻R2的一端连接，电压调节电阻R2的另一端与有源偏置晶体管、栅极限流电阻R5的一端连接；本发明提供可降低工艺敏感度的温度补偿有源偏置，以解决在复杂工作环境中低噪声放大器芯片性能稳定性，并提高低噪声放大器芯片成品率的温度补偿有源偏置电路。
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公开(公告)号：CN111293999B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010394754.5
申请日：2020-05-12
申请人： 浙江铖昌科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种宽带可重构功率放大器及雷达系统，其中宽带可重构功率放大器包括：输入可重构匹配网络模块、宽带大功率放大器模块、超宽带低功率放大器模块、输出可重构匹配网络模块以及供电控制模块。供电控制模块用于在选择宽带大功率模式时控制：超宽带低功率放大器模块偏置掉电，宽带大功率放大器模块偏置上电，输入可重构匹配网络模块重构为大功率输入匹配网络，输出可重构匹配网络模块重构为大功率输出匹配网络；供电控制模块用于在选择超宽带低功率线性放大模式时控制：宽带大功率放大器模块偏置掉电，超宽带低功率放大器模块偏置上电，输入可重构匹配网络模块重构为低功率输入匹配网络，输出可重构匹配网络模块重构为低功率输出匹配网络。
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公开(公告)号：CN111294000A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010394763.4
申请日：2020-05-12
申请人： 浙江铖昌科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种匹配网络可重构的多功能功率放大器及雷达系统，其中匹配网络可重构的多功能功率放大器包括：发射功率放大器模块、输出级可重构匹配网络模块以及供电控制模块。供电控制模块用于在发射状态时控制：发射功率放大器模块偏置上电，输出级可重构匹配网络模块重构为发射信号输出匹配网络；供电控制模块用于在接收状态时控制：发射功率放大器模块偏置掉电，输出级可重构匹配网络模块重构为接收信号传输网络。本发明通过对功率放大器末级匹配网络进行可重构设计，使其同时具备发射和接收功能，省去传统射频收发组件中的环形器或单刀双掷射频收发开关，提高了芯片集成度，减少了组件元器件数量，同时提高了系统性能。
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公开(公告)号：CN109904078A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910056401.1
申请日：2019-01-22
申请人： 浙江铖昌科技有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/488
摘要： 本发明公开了一种砷化镓芯片和CMOS芯片三维封装结构和制作工艺，其中结构包括：砷化镓芯片作为射频部分，砷化镓芯片的逻辑和控制线连接至砷化镓芯片焊盘，通过Bumping工艺在砷化镓芯片焊盘上生长起砷化镓凸起金属柱作为对外电气连接的接口；CMOS芯片作为逻辑控制和电源管理部分，CMOS芯片的所有连接线连接至CMOS芯片焊盘，通过Bumping工艺在CMOS芯片焊盘上生长CMOS芯片凸起金属柱作为对外电气连接的接口；砷化镓芯片和CMOS芯片通过砷化镓芯片凸起金属柱和CMOS芯片凸起金属柱堆叠连接进行三维封装，砷化镓芯片凸起金属柱和CMOS芯片凸起金属柱通过焊料固定连接。
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公开(公告)号：CN111490763A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010582938.4
申请日：2020-06-24
申请人： 浙江铖昌科技有限公司
IPC分类号： H03K17/687 , G01S7/02 , H04B1/40
摘要： 本发明涉及耐功率的场效应管开关、开关限幅芯片及射频前端系统，该场效应管开关包括自举电容以及至少一个FET管芯、至少一个漏源电阻、至少一个栅极串联电阻；所述场效应管开关的射频信号输入端与射频信号输出端连接，所述射频信号输入端与射频信号输出端之间的节点通过串联的各所述漏源电阻和所述自举电容接地；每个所述FET管芯的源极、漏极分别对应连接一个所述漏源电阻的两端，每个所述FET管芯的栅极通过一个所述栅极串联电阻连接所述场效应管开关的控制端。采用本发明提供的场效应管开关，可以在不增加、甚至降低开关损耗和面积的前提下提高开关的耐功率水平。
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公开(公告)号：CN110011640A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811030585.6
申请日：2018-09-05
申请人： 浙江铖昌科技有限公司
摘要： 本发明公开了小型化Lange型数控单片集成移相器，包括Lange耦合器和反射型移相电路，Lange耦合器采用耦合线宽边耦合方式耦合，耦合线构成环形结构，反射型移相电路包括感性负载电路和容性负载电路，感性负载电路包括电感、第一晶体管和电阻，电感和第一晶体管串联，第一晶体管和电阻并联；容性负载电路包括电容和第二晶体管，电容与第二晶体管串联，且第二晶体管接地；本发明提供小型化Lange型数控单片集成移相器，以解决在复杂相控阵电路中由于部分移相器结构造成的面积过大、版图长宽比过大导致不易集成的问题。
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公开(公告)号：CN208353310U
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201821448163.6
申请日：2018-09-05
申请人： 浙江铖昌科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了小型化Lange型数控单片集成移相器，包括Lange耦合器和反射型移相电路，Lange耦合器采用耦合线宽边耦合方式耦合，耦合线构成环形结构，反射型移相电路包括感性负载电路和容性负载电路，感性负载电路包括电感、第一晶体管和电阻，电感和第一晶体管串联，第一晶体管和电阻并联；容性负载电路包括电容和第二晶体管，电容与第二晶体管串联，且第二晶体管接地；本实用新型提供小型化Lange型数控单片集成移相器，以解决在复杂相控阵电路中由于部分移相器结构造成的面积过大、版图长宽比过大导致不易集成的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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