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发明授权
耐功率的场效应管开关、开关限幅芯片及射频前端系统有权

公开(公告)号：CN111490763B

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN202010582938.4

申请日：2020-06-24

申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司

发明人： 李博 , 黄剑华 , 朱恒 , 陈湜 , 郑骎

IPC分类号： H03K17/687 , G01S7/02 , H04B1/40

摘要： 本发明涉及耐功率的场效应管开关、开关限幅芯片及射频前端系统，该场效应管开关包括自举电容以及至少一个FET管芯、至少一个漏源电阻、至少一个栅极串联电阻；所述场效应管开关的射频信号输入端与射频信号输出端连接，所述射频信号输入端与射频信号输出端之间的节点通过串联的各所述漏源电阻和所述自举电容接地；每个所述FET管芯的源极、漏极分别对应连接一个所述漏源电阻的两端，每个所述FET管芯的栅极通过一个所述栅极串联电阻连接所述场效应管开关的控制端。采用本发明提供的场效应管开关，可以在不增加、甚至降低开关损耗和面积的前提下提高开关的耐功率水平。