公开(公告)号：CN101346207B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200680048830.5

申请日：2006-12-12

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 久野耕司 ,  村松宪一 ,  渥美一弘 ,  筬岛哲也

IPC: B23K26/04 ,  B23K26/00 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  H01L21/301 ,  B23K101/40

CPC classification number: B23K26/048 ,  B23K26/046 ,  B23K26/0617 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50

Abstract: 激光加工装置，具备：使加工用激光与测距用激光(L2)向晶圆(1)聚光的聚光用透镜(31)，使聚光用透镜(31)动作的致动器，对测距用激光的反射光(L3)附加非点像差的整形光学系统(49)，接收反射光(L3)而输出配合其光量的电压值的(4)分割光电二极管(42)，和控制致动器的控制部；使测距用激光(L2)的聚光点(P2)位于透镜焦点(P0)与透镜(31)之间，可以在距表面(3)更深的位置形成改质区域，并抑制反射光(L3)造成的不良影响。根据实施了基于电压值总和的除算的运算值来加以控制，可由此防止运算值的反射光量所造成的变化。

公开(公告)号：CN101218664A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200680024607.7

申请日：2006-07-03

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志 ,  村松宪一

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/40 ,  B23K101/40

CPC classification number: B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供了一种加工对象物切断方法，即使在基板较厚的情况下，也能够在短时间内沿着切断预定线将包括基板以及具有多个功能元件并设置在基板的表面上的叠层部的加工对象物切断成各个功能元件。通过将聚光点(P)对准基板(4)的内部并从叠层部(16)侧照射激光(L)，从而沿着切断预定线，在基板(4)的内部形成从基板(4)的厚度方向的中心位置(CL)偏向基板(4)的背面(21)侧的第1改质区域(71)和从基板(4)的厚度方向的中心位置(CL)偏向基板(4)的表面(3)侧的第2改质区域(72)，并从第2改质区域(72)向基板(4)的表面(3)产生裂缝(24)。然后，在使贴于基板(4)的背面(21)的扩张带(23)扩张的状态下，使加工对象物(1)内产生应力以使裂缝(24)打开。

公开(公告)号：CN102581494B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201210040648.2

申请日：2006-07-03

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志 ,  村松宪一

IPC: B23K26/402 ,  B28D5/00 ,  H01L21/78

CPC classification number: B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供了一种加工对象物切断方法，即使在基板较厚的情况下，也能够在短时间内沿着切断预定线将包括基板以及具有多个功能元件并设置在基板的表面上的叠层部的加工对象物切断成各个功能元件。通过将聚光点(P)对准基板(4)的内部并从叠层部(16)侧照射激光(L)，从而沿着切断预定线，在基板(4)的内部形成从基板(4)的厚度方向的中心位置(CL)偏向基板(4)的背面(21)侧的第1改质区域(71)和从基板(4)的厚度方向的中心位置(CL)偏向基板(4)的表面(3)侧的第2改质区域(72)，并从第2改质区域(72)向基板(4)的表面(3)产生裂缝(24)。然后，在使贴于基板(4)的背面(21)的扩张带(23)扩张的状态下，使加工对象物(1)内产生应力以使裂缝(24)打开。

公开(公告)号：CN101317250A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200680044101.2

申请日：2006-11-16

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 村松宪一 ,  坂本刚志

IPC: H01L21/301 ,  B23K101/40 ,  B23K26/10

CPC classification number: B23K26/53 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  B28D5/0094 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，在将吸附平台和保持部件分开时，可防止以改质区域为切断起点沿着切断预定线切断加工对象物。在真空卡盘的吸附平台(52)上，隔着多孔薄片(53)对展开设置在框架(51)并且保持有加工对象物(1)的扩张带(23)进行吸附固定。此时，因薄片(53)的杨氏模数比平台(52)的杨氏模数低，所以能够抑制扩张带(23)陷入薄片(53)的微孔。由此，在形成改质区域(7)后即使解除吸附固定，将平台(52)和扩张带(23)分开，也不会有大的弯曲应力作用在加工对象物(1)上。因此，在将平台(52)和扩张带(23)分开时，可防止以改质区域为切断起点沿着切断预定线切断加工对象物。

公开(公告)号：CN101218664B

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN200680024607.7

申请日：2006-07-03

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志 ,  村松宪一

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/40 ,  B23K101/40

CPC classification number: B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供了一种加工对象物切断方法，即使在基板较厚的情况下，也能够在短时间内沿着切断预定线将包括基板以及具有多个功能元件并设置在基板的表面上的叠层部的加工对象物切断成各个功能元件。通过将聚光点(P)对准基板(4)的内部并从叠层部(16)侧照射激光(L)，从而沿着切断预定线，在基板(4)的内部形成从基板(4)的厚度方向的中心位置(CL)偏向基板(4)的背面(21)侧的第1改质区域(71)和从基板(4)的厚度方向的中心位置(CL)偏向基板(4)的表面(3)侧的第2改质区域(72)，并从第2改质区域(72)向基板(4)的表面(3)产生裂缝(24)。然后，在使贴于基板(4)的背面(21)的扩张带(23)扩张的状态下，使加工对象物(1)内产生应力以使裂缝(24)打开。

公开(公告)号：CN101351870B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200680049819.0

申请日：2006-12-26

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志 ,  村松宪一

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  B28D5/00 ,  B23K101/40

CPC classification number: H01L23/544 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  C03B33/0222 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在具备基板(14)、和形成在基板(14)的表面的多个功能元件(15)的加工对象物(1)的基板(4)内部，对准聚光点(P)并照射激光(L)，而对于1条切断预定线(5)，形成至少1列分割改质区域(72)，位于分割改质区域(72)和基板(4)的表面(3)之间的至少1列的品质改质区域(71)，及位于分割改质区域(72)和基板(4)的背面(21)之间的至少1列的HC改质区域(73)。此时，在沿着切断预定线的方向上，分割改质区域(72)的形成密度，比品质改质区域(71)的形成密度及HC改质区域(73)的形成密度低。

公开(公告)号：CN101351870A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200680049819.0

申请日：2006-12-26

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志 ,  村松宪一

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  B28D5/00 ,  B23K101/40

CPC classification number: H01L23/544 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  C03B33/0222 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在具备基板(14)、和形成在基板(14)的表面的多个功能元件(15)的加工对象物(1)的基板(4)内部，对准聚光点(P)并照射激光(L)，而对于1条切断预定线(5)，形成至少1列分割改质区域(72)，位于分割改质区域(72)和基板(4)的表面(3)之间的至少1列的品质改质区域(71)，及位于分割改质区域(72)和基板(4)的背面(21)之间的至少1列的HC改质区域(73)。此时，在沿着切断预定线的方向上，分割改质区域(72)的形成密度，比品质改质区域(71)的形成密度及HC改质区域(73)的形成密度低。

公开(公告)号：CN100587915C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200680044101.2

申请日：2006-11-16

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 村松宪一 ,  坂本刚志

IPC: H01L21/301 ,  B23K101/40 ,  B23K26/10

CPC classification number: B23K26/53 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  B28D5/0094 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，在将吸附平台和保持部件分开时，可防止以改质区域为切断起点沿着切断预定线切断加工对象物。在真空卡盘的吸附平台(52)上，隔着多孔薄片(53)对展开设置在框架(51)并且保持有加工对象物(1)的扩张带(23)进行吸附固定。此时，因薄片(53)的杨氏模数比平台(52)的杨氏模数低，所以能够抑制扩张带(23)陷入薄片(53)的微孔。由此，在形成改质区域(7)后即使解除吸附固定，将平台(52)和扩张带(23)分开，也不会有大的弯曲应力作用在加工对象物(1)上。因此，在将平台(52)和扩张带(23)分开时，可防止以改质区域为切断起点沿着切断预定线切断加工对象物。

公开(公告)号：CN100466185C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200580010859.X

申请日：2005-03-02

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志 ,  村松宪一

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/00 ,  B23K101/40

CPC classification number: B23K33/002 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/36 ,  B23K2103/50

Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，该方法可在将形成有包括多个功能元件的叠层部的基板切断为具有功能元件的多个芯片时，与基板同时实现叠层部的高精度的切断。在该激光加工方法中，沿着各预定切断线(5a～5d)形成使基板(4)发生断裂的容易程度不同改质区域。因此，在将伸展带贴附在基板(4)的背面并扩张时，使加工对象物(1)在多个半导体芯片上分阶段被切断。如上所述的分阶段的切断，在沿着各预定切断线(5a～5d)的部分上作用均等的扩张应力，其结果是，与基板(4)同时使预定切断线(5a～5d)上的层间绝缘膜被高精度地切断。

公开(公告)号：CN101346207A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200680048830.5

申请日：2006-12-12

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 久野耕司 ,  村松宪一 ,  渥美一弘 ,  筬岛哲也

IPC: B23K26/04 ,  B23K26/00 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  B23K101/40 ,  H01L21/301

CPC classification number: B23K26/048 ,  B23K26/046 ,  B23K26/0617 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50

Abstract: 激光加工装置，具备：使加工用激光与测距用激光(L2)向晶圆(1)聚光的聚光用透镜(31)，使聚光用透镜(31)动作的致动器，对测距用激光的反射光(L3)附加非点像差的整形光学系统(49)，接收反射光(L3)而输出配合其光量的电压值的(4)分割光电二极管(42)，和控制致动器的控制部；使测距用激光(L2)的聚光点(P2)位于透镜焦点(P0)与透镜(31)之间，可以在距表面(3)更深的位置形成改质区域，并抑制反射光(L3)造成的不良影响。根据实施了基于电压值总和的除算的运算值来加以控制，可由此防止运算值的反射光量所造成的变化。