公开(公告)号：CN111630354B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN201980009397.1

申请日：2019-01-24

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 马场隆 ,  枦达也 ,  铃木祥仁 ,  牧野健二 ,  中村重幸

IPC: G01J1/42 ,  G01J11/00 ,  H01L27/146 ,  H01L31/10 ,  H01L31/107 ,  H04N25/79

Abstract: 光检测装置(1)具备由化合物半导体构成的雪崩光电二极管阵列基板(10)。电路基板(50)具有多个时间测量电路(40)及时钟驱动器(35)。各时间测量电路(40)具有延迟线部，根据延迟线(47)的动作结果，取得表示自对应的雪崩光电二极管(20)输入脉冲信号的时机的时间信息。延迟线部对应于脉冲信号输入到该时间测量电路(40)而开始延迟线(47)的动作，对应于来自时钟驱动器(35)的时钟信号输入到该时间测量电路(40)而停止延迟线(47)的动作，通过延迟线(47)的动作检测较时钟信号的周期短的时间间隔。

公开(公告)号：CN115244368A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180017048.1

申请日：2021-02-15

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 枦达也 ,  岩科进也 ,  马场隆 ,  中村重幸

IPC: G01J1/42 ,  G01J1/04 ,  G01S7/486 ,  H01L27/146 ,  H01L31/107

Abstract: 本发明的光检测装置(1)中，电路基板(20)具有处理从对应的像素输出的检测信号的多个信号处理部(SP)。多个雪崩光电二极管的受光区域在每个像素二维排列。各信号处理部(SP)中，时机测量部(42)基于检测信号，测量光入射至对应的像素的时机。能量测量部(43)基于检测信号，测量向对应的像素的入射光的能量。存储部(44)存储时机测量部(42)和能量测量部(43)中的测量结果。设有多个像素的光检测区域(α)和设有多个信号处理部的信号处理区域(β)至少一部分重叠。

公开(公告)号：CN111630354A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201980009397.1

申请日：2019-01-24

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 马场隆 ,  枦达也 ,  铃木祥仁 ,  牧野健二 ,  中村重幸

IPC: G01J1/42 ,  G01J11/00 ,  H01L27/146 ,  H01L31/10 ,  H01L31/107 ,  H04N5/378

Abstract: 光检测装置(1)具备由化合物半导体构成的雪崩光电二极管阵列基板(10)。电路基板(50)具有多个时间测量电路(40)及时钟驱动器(35)。各时间测量电路(40)具有延迟线部，根据延迟线(47)的动作结果，取得表示自对应的雪崩光电二极管(20)输入脉冲信号的时机的时间信息。延迟线部对应于脉冲信号输入到该时间测量电路(40)而开始延迟线(47)的动作，对应于来自时钟驱动器(35)的时钟信号输入到该时间测量电路(40)而停止延迟线(47)的动作，通过延迟线(47)的动作检测较时钟信号的周期短的时间间隔。