公开(公告)号：CN101211730B

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200710305894.5

申请日：2007-12-28

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 渡瀬文雄 ,  山下真一 ,  渡边宏之

IPC: H01J1/34 ,  H01J40/06 ,  H01J40/16 ,  H01J40/04 ,  H01J43/06 ,  H01J43/28

CPC classification number: H01J1/34 ,  H01J1/35 ,  H01J43/00

Abstract: 本发明涉及具有与传统技术相比显著提高有效量子效率的结构的光电阴极、光电倍增管和电子管。光电阴极包括传送或阻碍入射光的支撑基板、设置在支撑基板上的含有碱金属的光电子发射层、和设置在支撑基板和光电子发射层之间的底层。特别地，底层含有氧化铍，并调节其厚度使得底层和光电子发射层的厚度比落入特定范围内。该结构使得人们可以获得量子效率显著提高的光电阴极。

公开(公告)号：CN101211730A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710305894.5

申请日：2007-12-28

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 渡瀬文雄 ,  山下真一 ,  渡边宏之

IPC: H01J1/34 ,  H01J40/06 ,  H01J40/16 ,  H01J40/04 ,  H01J43/06 ,  H01J43/28

CPC classification number: H01J1/34 ,  H01J1/35 ,  H01J43/00

Abstract: 本发明涉及具有与传统技术相比显著提高有效量子效率的结构的光电阴极、光电倍增管和电子管。光电阴极包括传送或阻碍入射光的支撑基板、设置在支撑基板上的含有碱金属的光电子发射层、和设置在支撑基板和光电子发射层之间的底层。特别地，底层含有氧化铍，并调节其厚度使得底层和光电子发射层的厚度比落入特定范围内。该结构使得人们可以获得量子效率显著提高的光电阴极。