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公开(公告)号：CN105794055B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201480066424.6
申请日：2014-11-27
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： A·A·尼基佩洛夫 , V·Y·巴宁 , P·W·H·德加格 , G·C·德维雷斯 , O·W·V·弗雷杰恩斯 , L·A·G·格里敏克 , A·卡特勒尼克 , J·A·G·阿克曼斯 , E·R·洛普斯特拉 , W·J·恩格伦 , P·R·巴特莱杰 , T·J·科南 , W·P·E·M·奥普特鲁特
CPC分类号： H01S3/0903 , H01J1/34 , H05H7/08 , H05H2007/084
摘要： 一种用于提供电子束的注入器装置。注入器装置包括用于提供电子束团的第一注入器和用于提供电子束团的第二注入器。注入器装置可操作为以电子束包括仅由第一注入器提供的电子束团的第一模式和电子束包括仅由第二注入器提供的电子束团的第二模式操作。
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公开(公告)号：CN108630510A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810489512.7
申请日：2018-05-21
申请人： 南京理工大学
摘要： 本发明提出了一种变掺杂GaN纳米线阵列光电阴极，包括衬底、生长在衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的光电发射层，以及位于光电发射层上的Cs/O激活层，所述光电发射层为若干等间距分布的p型掺杂GaN纳米线组成的p型GaN纳米线阵列，所述p型掺杂GaN纳米线掺杂浓度从缓冲层表面向外逐渐降低。本发明采用的由缓冲层表面往外掺杂浓度由高到低的变掺杂结构，能在GaN纳米线阵列光电阴极体内产生帮助光电子向表面输运的内建电场，提高光电子的体内输运效率和表面逸出几率，最终提高光电阴极的光电发射量子效率。
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公开(公告)号：CN105788997A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610216950.7
申请日：2008-11-07
申请人： 浜松光子学株式会社
摘要： 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol％以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。
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公开(公告)号：CN101211730B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200710305894.5
申请日：2007-12-28
申请人： 浜松光子学株式会社
摘要： 本发明涉及具有与传统技术相比显著提高有效量子效率的结构的光电阴极、光电倍增管和电子管。光电阴极包括传送或阻碍入射光的支撑基板、设置在支撑基板上的含有碱金属的光电子发射层、和设置在支撑基板和光电子发射层之间的底层。特别地，底层含有氧化铍，并调节其厚度使得底层和光电子发射层的厚度比落入特定范围内。该结构使得人们可以获得量子效率显著提高的光电阴极。
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公开(公告)号：CN102067264A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200880129779.X
申请日：2008-11-07
申请人： 浜松光子学株式会社
摘要： 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol％以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。
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公开(公告)号：CN101379582A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200780004067.0
申请日：2007-03-05
申请人： 浜松光子学株式会社
摘要： 本发明涉及一种光电面，其改善了量子效率。本发明的光电面(10)具备，由石英玻璃或者硼硅酸玻璃构成的光透过性基板(12)、由氧化铪(HfO2)构成的中间层(14)、由锰和镁或者钛的氧化物构成的基底层(16)以及由碱金属和锑的化合物构成的光电子放出层(18)。由氧化铪构成的中间层阻止了包含于光电子放出层的碱金属向光透过性基板移动，从而有助于量子效率的改善。
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公开(公告)号：CN1527341A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200310114253.3
申请日：2003-11-06
申请人： 浜松光子学株式会社
摘要： 半导体光电阴极(1)具备以GaSb形成的p+型的半导体基板(2)、以及以InAsSb形成的p－型的光吸收层(3)。在半导体基板(2)与光吸收层(3)之间，形成有具有比光吸收层(3)大的能带宽度、由AlGaSb构成的p+型的空穴区层(4)。在光吸收层(3)上，形成有由AlGaSb构成的p－型的空穴区层(5)；在空穴区层(5)上，形成有由GaSb构成的p－型的电子发射层(6)。在电子发射层(6)上，形成有由GaSb构成的n+型的接触层(7)，该接触层(7)与电子发射层(6)形成pn结。
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公开(公告)号：CN103887126A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410085728.9
申请日：2008-11-07
申请人： 浜松光子学株式会社
摘要： 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol%以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。
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公开(公告)号：CN101379582B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200780004067.0
申请日：2007-03-05
申请人： 浜松光子学株式会社
摘要： 本发明涉及一种光电面，其改善了量子效率。本发明的光电面(10)具备，由石英玻璃或者硼硅酸玻璃构成的光透过性基板(12)、由氧化铪(HfO2)构成的中间层(14)、由锰和镁或者钛的氧化物构成的基底层(16)以及由碱金属和锑的化合物构成的光电子放出层(18)。由氧化铪构成的中间层阻止了包含于光电子放出层的碱金属向光透过性基板移动，从而有助于量子效率的改善。
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