公开(公告)号：CN100352870C

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200410035057.1

申请日：2004-04-20

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 李根守 ,  卜喆圭 ,  文承灿 ,  申起秀 ,  李源旭

IPC分类号： C09D143/02 ,  C09D5/33

CPC分类号： G03F7/091

摘要： 本发明公开了一种具有下列式I所示结构的有机抗反射涂料聚合物、其制造方法，以及有机抗反射涂料组合物，该组合物与光致抗蚀剂的超微图案形成方法有关，并用于使用具有波长193nm的ArF光源或具有波长157nm的VUV光源的光刻技术。更具体而言，本发明提供一种可保护光致抗蚀剂免受大气中胺污染的有机抗反射涂料聚合物，其可使光致抗蚀剂曝光后的后曝光延迟效应最小，而该效应同时增强了凹陷状态(亦即由漫反射所引起的图形失真)，及降低反射率而使偏摆效应最小；该聚合物的制造方法；以及包括其的有机抗反射涂料组合物。其中m为5至5000的整数。

公开(公告)号：CN1590484A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410035057.1

申请日：2004-04-20

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 李根守 ,  卜喆圭 ,  文承灿 ,  申起秀 ,  李源旭

IPC分类号： C09D143/02 ,  C09D5/33

CPC分类号： G03F7/091

摘要： 本发明公开了一种具有下列式I所示结构的有机抗反射涂料聚合物、其制造方法，以及有机抗反射涂料组合物，该组合物与光致抗蚀剂的超微图案形成方法有关，并用于使用具有波长193nm的ArF光源或具有波长157nm的VUV光源的光刻技术。更具体而言，本发明提供一种可保护光致抗蚀剂免受大气中胺污染的有机抗反射涂料聚合物，其可使光致抗蚀剂暴光后的后曝光延迟效应最小，而该效应同时增强了凹陷状态(亦即由漫反射所引起的图形失真)，及降低反射率而使偏摆效应最小；该聚合物的制造方法；以及包括其的有机抗反射涂料组合物。[式I]其中m为5至5000的整数。