-
公开(公告)号：CN1982388A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610143554.2
申请日：2001-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： C09D133/08 , G03F7/09
CPC分类号： C08F220/28 , C08F220/18 , C08F220/36 , G03F7/091 , Y10S428/901 , Y10S430/151 , Y10T428/24917 , Y10T428/31504 , Y10T428/31667
摘要： 下式1的有机抗反射聚合物、其制备方法、一种包括有机抗反射聚合物的抗反射涂料组合物和由其制得的抗反射涂层的制备方法。该包含聚合物的抗反射涂层消除了由晶片的下层光学性能和光刻胶的厚度变化所引起的驻波，防止了由于从下层衍射和反射的光引起的回射和CD变换。这些优点使得能够形成适用于64M、256M、1G、4G和16G DRAM半导体器件的稳定的超微图案，改进生产产率和控制K值。还可以防止由于完成涂覆后不平衡酸度而导致的刻痕。
-
公开(公告)号：CN1974697A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610105643.8
申请日：2001-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： C09D133/08 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/091 , C08F220/36 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要： 一种具有下式1的有机抗反射聚合物、其制备方法、一种含有所述有机抗反射聚合物的抗反射涂料组合物、和由其制得抗反射涂层的制备方法。该包含所公开聚合物的抗反射涂层消除了由晶片的下层光学性能和光刻胶的厚度变化所引起的驻波，防止了由于从下层衍射和反射的光引起的回射和CD变换。这些优点使得能够形成适用于64M、256M、1G、4G和16G DRAM半导体器件的稳定的超微图案，并提高生产产率。而且，还能控制K值并且增加疏水性，有助于形成EBR(流珠式除水)。
-
公开(公告)号：CN1605938A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410069633.4
申请日：2004-07-15
申请人： 海力士半导体有限公司
发明人： 李根守
CPC分类号： G03F7/0046 , C07D327/04 , G03F7/0397
摘要： 本发明涉及光致抗蚀剂聚合物及光致抗蚀剂组合物。本发明公开的光致抗蚀剂聚合物及含有它们的光致抗蚀剂组合物具有优异的透射比、耐蚀刻性、耐热性和粘附性、低光线吸收度及对在193nm及157nm波长下的显影溶液具有高度亲和性，因而具有改良的LER(线边缘粗糙度)。
-
公开(公告)号：CN1175009C
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN01123296.X
申请日：2001-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： C08F20/10 , C09D133/04
CPC分类号： C08F220/36 , G03F7/091
摘要： 下式1的有机抗反射聚合物、其制备方法、含有该聚合物的抗反射涂料组合物、和由该组合物制得抗反射涂层的方法。含该聚合物的抗反射涂层消除了由晶片的下层光学性能和光刻胶的厚度变化所引起的驻波，防止了由于从下层衍射和反射的光引起的回射和CD变换。这些优点使得能够形成适用于64M、256M、1G、4G和16G DRAM半导体器件的稳定的超微图案，改进生产产率和控制K值。还可以防止涂完后由于不平衡的酸度而导致的刻痕。
-
公开(公告)号：CN1331254A
公开(公告)日：2002-01-16
申请号：CN01123295.1
申请日：2001-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： C08F20/10 , C09D133/08
CPC分类号： G03F7/091 , C08F220/36 , C08F220/40 , C08F2220/281 , C08F2220/325
摘要： 本发明提供了一种具有右式1的有机抗反射聚合物,其制备方法、包括所述有机抗反射聚合物的抗反射涂层组合物和由其制备的抗反射涂层的制备方法。包括本发明所述聚合物的抗反射涂层消除了由于晶片底部膜层的光学性质以及由于光刻胶厚度变化而产生的驻波,避免了回射以及来自该底部膜层衍射和反射光所产生的CD变化。这种优点使其适于64M,256M,1G和4G DRAM半导体器件的稳定的超细图案的形成且改进了产率。另一优点是k值随意控制。
-
公开(公告)号：CN100398571C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN01123292.7
申请日：2001-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： C08F20/14 , C09D133/08
CPC分类号： G03F7/091 , C08F220/36 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要： 一种具有下式1的有机抗反射聚合物、其制备方法、一种含有所述有机抗反射聚合物的抗反射涂料组合物、和由其制得抗反射涂层的制备方法。该包含所公开聚合物的抗反射涂层消除了由晶片的下层光学性能和光刻胶的厚度变化所引起的驻波，防止了由于从下层衍射和反射的光引起的回射和CD变换。这些优点使得能够形成适用于64M、256M、1G、4G和16G DRAM半导体器件的稳定的超微图案，并提高生产产率。而且，还能控制K值并且增加疏水性，有助于形成EBR(流珠式除水)。
-
公开(公告)号：CN1231503C
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN01123291.9
申请日：2001-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： C08F22/10 , C09D133/08
CPC分类号： C08F220/36 , C07C251/54 , C08F220/40 , G03F7/091 , Y10S430/111 , C08F2220/281 , C08F216/38
摘要： 式10的一种化合物，一种由式1化合物合成的具有式1结构的有机抗反射聚合物及其制备方法。一种含有以上有机抗反射聚合物的抗反射涂料组合物，以及抗反射涂料的制备方法。含有所公开聚合物的该抗反射涂层消除了由晶片上的下层光学性能和光刻胶的厚度变化所引起的驻波，防止了回射，还解决了由于从该下层衍射和反射的光引起的CD变换问题。这些优点使得能够形成适用于64M、256M、1G、4G和16G DRAM半导体器件的稳定的超微图案且产品的产率增加。而且，还能控制K值。
-
公开(公告)号：CN1590484A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410035057.1
申请日：2004-04-20
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： C09D143/02 , C09D5/33
CPC分类号： G03F7/091
摘要： 本发明公开了一种具有下列式I所示结构的有机抗反射涂料聚合物、其制造方法，以及有机抗反射涂料组合物，该组合物与光致抗蚀剂的超微图案形成方法有关，并用于使用具有波长193nm的ArF光源或具有波长157nm的VUV光源的光刻技术。更具体而言，本发明提供一种可保护光致抗蚀剂免受大气中胺污染的有机抗反射涂料聚合物，其可使光致抗蚀剂暴光后的后曝光延迟效应最小，而该效应同时增强了凹陷状态(亦即由漫反射所引起的图形失真)，及降低反射率而使偏摆效应最小；该聚合物的制造方法；以及包括其的有机抗反射涂料组合物。[式I]其中m为5至5000的整数。
-
公开(公告)号：CN1330288A
公开(公告)日：2002-01-09
申请号：CN01118895.2
申请日：2001-06-29
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0395 , Y10S430/115 , Y10S430/117 , Y10S430/122 , Y10S430/124 , Y10S430/126
摘要： 本发明涉及一种含有光自由基发生剂的光致抗蚀剂组合物,更具体涉及一种包括(a)光致抗蚀剂树脂,(b)光产酸剂,(c)有机溶剂和(d)光自由基发生剂的光致抗蚀剂组合物。该光致抗蚀剂组合物能降低或阻止由于光致抗蚀剂上部组合物产生的酸浓度相对于光致抗蚀剂下部组合物产生的酸浓度高所造成的倾斜图像的生成。
-
公开(公告)号：CN1974697B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200610105643.8
申请日：2001-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： C09D133/08 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/091 , C08F220/36 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要： 一种具有下式1的有机抗反射聚合物、其制备方法、一种含有所述有机抗反射聚合物的抗反射涂料组合物、和由其制得抗反射涂层的制备方法。该包含所公开聚合物的抗反射涂层消除了由晶片的下层光学性能和光刻胶的厚度变化所引起的驻波，防止了由于从下层衍射和反射的光引起的回射和CD变换。这些优点使得能够形成适用于64M、256M、1G、4G和16G DRAM半导体器件的稳定的超微图案，并提高生产产率。而且，还能控制K值并且增加疏水性，有助于形成EBR(流珠式除水)。式1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
29 条记录 (耗时 0.03 秒)
