公开(公告)号：CN118866956B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411328309.3

申请日：2024-09-24

Applicant: 润新微电子(大连)有限公司

Inventor： 任永硕 ,  王荣华 ,  梁辉南 ,  孙国臻

IPC: H10D30/47 ,  H01L23/64 ,  H10D30/01 ,  H01L25/18 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种GaN芯片及其制备方法、HEMT级联型器件及其封装方法，GaN芯片包括匹配电容、第一源电极、第一漏电极、第一栅电极及由下至上依次设置的衬底、叠层结构、第一介电层和第二介电层，匹配电容表面包括匹配电容电极，第一源电极、第一漏电极和第一栅电极均位于第一介电层和第二介电层中，匹配电容位于第二介电层上方，匹配电容在衬底上的正投影至少部分与第一漏电极在衬底上的正投影重合，匹配电容电极用于在封装时将匹配电容与HEMT级联型器件的第三栅电极连接。本发明的GaN芯片，在常规的GaN芯片的上层设计匹配电容，并在封装时将其与级联型器件的第三栅电极连接，增大了HEMT级联型器件的Cgd，有利于实现器件的开关速度调整。

公开(公告)号：CN119815909A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411734444.8

申请日：2024-09-24

Applicant: 润新微电子(大连)有限公司

Inventor： 任永硕 ,  王荣华 ,  梁辉南 ,  孙国臻

IPC: H10D84/40 ,  H10D30/47

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种HEMT级联型器件，包括GaN芯片和MOS芯片，GaN芯片包括匹配电容、第一源电极、第一漏电极、第一栅电极及由下至上依次设置的衬底、叠层结构、第一介电层和第二介电层，匹配电容表面包括匹配电容电极，第一源电极、第一漏电极和第一栅电极均位于第一介电层和第二介电层中，匹配电容位于第二介电层上方，匹配电容在衬底上的正投影至少部分与第一漏电极在衬底上的正投影重合，匹配电容电极用于在封装时将匹配电容与HEMT级联型器件的第三栅电极连接。本发明的HEMT级联型器件，在常规的GaN芯片的上层设计匹配电容，并在封装时将其与级联型器件的第三栅电极连接，增大了HEMT级联型器件的Cgd，有利于实现器件的开关速度调整。

公开(公告)号：CN118866956A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202411328309.3

申请日：2024-09-24

Applicant: 润新微电子(大连)有限公司

Inventor： 任永硕 ,  王荣华 ,  梁辉南 ,  孙国臻

IPC: H01L29/778 ,  H01L23/64 ,  H01L21/335 ,  H01L25/18 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种GaN芯片及其制备方法、HEMT级联型器件及其封装方法，GaN芯片包括匹配电容、第一源电极、第一漏电极、第一栅电极及由下至上依次设置的衬底、叠层结构、第一介电层和第二介电层，匹配电容表面包括匹配电容电极，第一源电极、第一漏电极和第一栅电极均位于第一介电层和第二介电层中，匹配电容位于第二介电层上方，匹配电容在衬底上的正投影至少部分与第一漏电极在衬底上的正投影重合，匹配电容电极用于在封装时将匹配电容与HEMT级联型器件的第三栅电极连接。本发明的GaN芯片，在常规的GaN芯片的上层设计匹配电容，并在封装时将其与级联型器件的第三栅电极连接，增大了HEMT级联型器件的Cgd，有利于实现器件的开关速度调整。