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公开(公告)号：CN115000269B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210641669.3
申请日：2022-06-07
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种发光二极管及发光二极管封装件，其中，该发光二极管包括：衬底，以及设置在衬底上的发光结构层，发光结构层顺次包括N型层、有源层和P型层；N型层包括未被P型层和所述有源层覆盖的暴露区域，暴露区包括若干个分散的N台阶；反射电极，包括分散设置于所述P型层的上表面的复数个子反射电极；第一绝缘层，覆盖所述发光结构层并包括露出所述N台阶的第一开口和露出所述子反射电极的第二开口；第一互连电极，通过所述第一开口与所述N型层电性连接；第二互连电极，通过所述第二开口与所述反射电极电性连接，所述第一互连电极与所述第二互连电极绝缘设置；所述子反射电极的数量大于所述N台阶的数量。可以提高LED的出光效率。
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公开(公告)号：CN115000269A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210641669.3
申请日：2022-06-07
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种发光二极管及发光二极管封装件，其中，该发光二极管包括：衬底，以及设置在衬底上的发光结构层，发光结构层顺次包括N型层、有源层和P型层；N型层包括未被P型层和所述有源层覆盖的暴露区域，暴露区包括若干个分散的N台阶；反射电极，包括分散设置于所述P型层的上表面的复数个子反射电极；第一绝缘层，覆盖所述发光结构层并包括露出所述N台阶的第一开口和露出所述子反射电极的第二开口；第一互连电极，通过所述第一开口与所述N型层电性连接；第二互连电极，通过所述第二开口与所述反射电极电性连接，所述第一互连电极与所述第二互连电极绝缘设置；所述子反射电极的数量大于所述N台阶的数量。可以提高LED的出光效率。
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公开(公告)号：CN114899290A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210639416.2
申请日：2022-06-07
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种发光二极管芯片及发光二极管封装件，其中，LED芯片由下至上依次包括：衬底，以及设置在衬底上的外延结构层，外延结构层顺次包括N型层、有源层和P型层；N型层包括未被有源层和P型层覆盖的暴露区域，暴露区包括位于LED芯片边缘的若干个第一子区域和若干个被有源层包围的第二子区域；第一绝缘层，覆盖外延结构层；包括设置于第一子区域和第二子区域上的第一开口，以及设置于P型层上的复数个第二开口；第一电极层，通过第一开口与N型层电性连接；第二电极层，通过第二开口与P型层电性连接，第一电极与第二电极绝缘设置；第二开口的数量大于第一开口的数量。可以提高LED芯片的工作可靠性。
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公开(公告)号：CN114242865B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202111496290.X
申请日：2021-12-09
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
发明人： 李明
IPC分类号： H01L33/40
摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种反射电极及其制备方法和LED芯片。本发明的反射电极，包括依次连接设置的金属反射层、叠层金属阻挡层和金属覆盖层；所述金属反射层包括Ag层；所述叠层金属阻挡层包括Ti层、Ni层、Pt层和Cr层中的至少两种；所述金属覆盖层包括Au层、Cu层、Al层和Zn层中的至少一种。本发明通过金属反射层、叠层金属阻挡层和金属覆盖层的配合，以实现金属反射层与基板之间的高效粘结，同时可以保证金属反射层的稳定性，防止金属反射层的金属迁移，又可以消除不同莫氏硬度造成的拉应力导致的翘起问题。
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公开(公告)号：CN115424950A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210932232.5
申请日：2022-08-04
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种检验金属薄膜应力的方法，其特征在于，包括A：选择至少两种金属叠层结构的金属沉积层；B：准备与金属叠层结构数量相同的衬底，衬底上匀光刻胶；C：根据对应的金属叠层结构分别在衬底上沉积出对应的金属沉积层；D：在沉积完金属的衬底经过撕蓝膜工艺，撕掉蓝膜及与蓝膜粘合的金属沉积层，分离出与每个金属叠层结构相对应的带有残胶的衬底；E：将与每个金属叠层结构相对应的带有残胶的衬底之间相互对比，衬底上的残胶越多，则对应该衬底对应的金属沉积层应力越小。本发明的检验方法简单，能够便捷判断新电极结构应力的相对大小，并以其为依据对电极结构进行优化。
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公开(公告)号：CN115424950B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202210932232.5
申请日：2022-08-04
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种检验金属薄膜应力的方法，其特征在于，包括A：选择至少两种金属叠层结构的金属沉积层；B：准备与金属叠层结构数量相同的衬底，衬底上匀光刻胶；C：根据对应的金属叠层结构分别在衬底上沉积出对应的金属沉积层；D：在沉积完金属的衬底经过撕蓝膜工艺，撕掉蓝膜及与蓝膜粘合的金属沉积层，分离出与每个金属叠层结构相对应的带有残胶的衬底；E：将与每个金属叠层结构相对应的带有残胶的衬底之间相互对比，衬底上的残胶越多，则对应该衬底对应的金属沉积层应力越小。本发明的检验方法简单，能够便捷判断新电极结构应力的相对大小，并以其为依据对电极结构进行优化。
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公开(公告)号：CN114242865A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111496290.X
申请日：2021-12-09
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
发明人： 李明
IPC分类号： H01L33/40
摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种反射电极及其制备方法和LED芯片。本发明的反射电极，包括依次连接设置的金属反射层、叠层金属阻挡层和金属覆盖层；所述金属反射层包括Ag层；所述叠层金属阻挡层包括Ti层、Ni层、Pt层和Cr层中的至少两种；所述金属覆盖层包括Au层、Cu层、Al层和Zn层中的至少一种。本发明通过金属反射层、叠层金属阻挡层和金属覆盖层的配合，以实现金属反射层与基板之间的高效粘结，同时可以保证金属反射层的稳定性，防止金属反射层的金属迁移，又可以消除不同莫氏硬度造成的拉应力导致的翘起问题。
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公开(公告)号：CN218241875U
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202222042822.9
申请日：2022-08-04
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种LED电极，电极结构至少包括反射层、阻挡层、Al复合层、保护层，所述Al复合包括n个Al子层，以及分别设置于相邻Al子层之间的Ti子层，1≤n≤10。采用Al复合层替代Åu层制造LED电极以极大的降低成本。Al复合层中采用Al、Cr、Ni、Ti的层式结构，Ni用于隔绝Al和Ti，可以保证电极在DBR孔洞斜坡位置的稳定性，避免出现孔洞，保证电极在斜坡位置的披覆，Cr用于隔绝Al、Ni，避免后续高温工艺中Al、Ni互融现象的出现导致老化失效，因此，采用CrNi包裹Ti的方式同时可以避免Ti空洞以及AlNi互融，保证整个电极的稳定性，从而使得整个LED芯片的老化稳定性得以保证。
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公开(公告)号：CN218918927U
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202222044645.8
申请日：2022-08-04
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
IPC分类号： H01L33/40
摘要： 本实用新型公开了一种LED电极，电极结构至少包括反射层、阻挡层、Al复合层、保护层，所述Al复合层包括n个Al子层，以及分别设置于相邻Al子层之间的Ni子层，1≤n≤10。采用Al复合层替代Åu层制造LED电极以极大的降低成本，其中，Al复合层中采用Al、Cr、Ni的层式结构，Cr用于隔绝Al、Ni，避免后续高温工艺中Al、Ni互融现象的出现导致老化失效，保证整个电极的稳定性，从而使得整个LED芯片的老化稳定性得以保证。
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