公开(公告)号：CN101425552B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200810194786.X

申请日：2008-10-20

申请人： 淮阴师范学院 ,  中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 陈贵宾 ,  陆卫 ,  王少伟 ,  李志锋 ,  陈效双

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/04 ,  H01L21/426

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明涉及离子注入制备高性能碲镉汞p-n结的方法。该方法采用同一块碲镉汞薄膜为基底；制作多块掩膜板；并蒸镀ZnS薄膜作为离子注入的阻挡层；在阻挡层上光刻出相应的离子注入区进行注入；再完成p-n结的成结工艺。其中，离子注入的阻挡层是通过多次叠加蒸镀获得的不同厚度ZnS薄膜阻挡层；离子注入的剂量为优化后的同一离子剂量、同一注入能量值。本发明在同一基底材料上获得叠加蒸镀具有不同厚度阻挡层的系列试验单元，一次性地以优化后的离子注入剂量对光刻出注入区进行离子注入的工艺改进，制备高性能碲镉汞p-n结，为光伏型红外探测器提供更方便快捷的优化工艺参数试验研究，试验成本低、且节省时间和精力；该方法同样可推广应用于对其它基底材料体系的离子注入阻挡层厚度的优化研究。

公开(公告)号：CN101425552A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810194786.X

申请日：2008-10-20

申请人： 淮阴师范学院

发明人： 陈贵宾 ,  陆卫 ,  王少伟 ,  李志锋 ,  陈效双

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/04 ,  H01L21/426

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明涉及离子注入制备高性能碲镉汞p－n结的方法。该方法采用同一块碲镉汞薄膜为基底；制作多块掩膜板；并蒸镀ZnS薄膜作为离子注入的阻挡层；在阻挡层上光刻出相应的离子注入区进行注入；再完成p－n结的成结工艺。其中，离子注入的阻挡层是通过多次叠加蒸镀获得的不同厚度ZnS薄膜阻挡层；离子注入的剂量为优化后的同一离子剂量、同一注入能量值。本发明在同一基底材料上获得叠加蒸镀具有不同厚度阻挡层的系列试验单元，一次性地以优化后的离子注入剂量对光刻出注入区进行离子注入的工艺改进，制备高性能碲镉汞p－n结，为光伏型红外探测器提供更方便快捷的优化工艺参数试验研究，试验成本低、且节省时间和精力；该方法同样可推广应用于对其它基底材料体系的离子注入阻挡层厚度的优化研究。