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公开(公告)号：CN101425552B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810194786.X
申请日：2008-10-20
申请人： 淮阴师范学院 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/04 , H01L21/426
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及离子注入制备高性能碲镉汞p-n结的方法。该方法采用同一块碲镉汞薄膜为基底；制作多块掩膜板；并蒸镀ZnS薄膜作为离子注入的阻挡层；在阻挡层上光刻出相应的离子注入区进行注入；再完成p-n结的成结工艺。其中，离子注入的阻挡层是通过多次叠加蒸镀获得的不同厚度ZnS薄膜阻挡层；离子注入的剂量为优化后的同一离子剂量、同一注入能量值。本发明在同一基底材料上获得叠加蒸镀具有不同厚度阻挡层的系列试验单元，一次性地以优化后的离子注入剂量对光刻出注入区进行离子注入的工艺改进，制备高性能碲镉汞p-n结，为光伏型红外探测器提供更方便快捷的优化工艺参数试验研究，试验成本低、且节省时间和精力；该方法同样可推广应用于对其它基底材料体系的离子注入阻挡层厚度的优化研究。
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公开(公告)号：CN100401533C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200510122955.5
申请日：2005-12-06
申请人： 淮阴师范学院 , 中国科学院上海技术物理研究所
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明提供了一种光伏型红外探测器碲镉汞材料离子注入剂量优化方法。本发明采用分子束外延技术，以同一块碲镉汞薄膜材料为基底，进行硼(B)离子注入。其主要工艺为：设置阻挡层；在阻挡层上规律地光刻出注入区；制作多块刻有镂空区的掩膜板；将不同的掩膜板依次分别叠加在阻挡层上，不同掩膜板露出阻挡层的光刻出的不同注入区，调整不同的离子剂量叠加式向覆有掩膜板、阻挡层的碲镉汞基底进行注入，最终获得系列单元的p-n结。测量后，得到不同单元的电压-电流特性曲线和零偏微分电阻值R0。经比较获得最优的离子注入剂量。本方法大大提高了不同参数的单元间的可比性，有利于对影响探测器性能的参数进行系统研究，试验成本低、节省了时间和精力，使优化研究更方便。
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公开(公告)号：CN101425552A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810194786.X
申请日：2008-10-20
申请人： 淮阴师范学院
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/04 , H01L21/426
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及离子注入制备高性能碲镉汞p－n结的方法。该方法采用同一块碲镉汞薄膜为基底；制作多块掩膜板；并蒸镀ZnS薄膜作为离子注入的阻挡层；在阻挡层上光刻出相应的离子注入区进行注入；再完成p－n结的成结工艺。其中，离子注入的阻挡层是通过多次叠加蒸镀获得的不同厚度ZnS薄膜阻挡层；离子注入的剂量为优化后的同一离子剂量、同一注入能量值。本发明在同一基底材料上获得叠加蒸镀具有不同厚度阻挡层的系列试验单元，一次性地以优化后的离子注入剂量对光刻出注入区进行离子注入的工艺改进，制备高性能碲镉汞p－n结，为光伏型红外探测器提供更方便快捷的优化工艺参数试验研究，试验成本低、且节省时间和精力；该方法同样可推广应用于对其它基底材料体系的离子注入阻挡层厚度的优化研究。
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公开(公告)号：CN1812140A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510122955.5
申请日：2005-12-06
申请人： 淮阴师范学院
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明提供了一种光伏型红外探测器碲镉汞材料离子注入剂量得到优化的方法。本发明采用分子束外延技术生长的同一块碲镉汞薄膜材料为基底，进行硼(B)离子注入。其主要工艺为：设置阻挡层，在阻挡层上规律地光刻出注入区，制作有隙缝的掩膜板，分别将掩膜板分次叠加在阻挡层上，出露相应的光刻注入区，调整不同的离子剂量叠加式向覆有掩膜板、阻挡层的碲镉汞基底进行注入，最终获得系列单元的p－n结。测量后，得不同单元的电压－电流特性曲线和零偏微分电阻值R0。经比较获得最优的离子注入剂量。本方法大大提高了不同参数的单元间的可比性，有利于对影响探测器性能的参数进行系统研究，试验成本低、节省了时间和精力，使优化研究更方便快捷。
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